模拟与数字电子技术基础（第2版）习题解答

第1章半导体二极管和晶体管

习题斛答

习题

[1-1]填空：

1.本征半导体是,其载流子是

和。两种载流子的浓度。

2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于,而

少数载流子的浓度则与有很大关系。

3.漂移电流是在作用下形成的。

4.二极管的最主要特征是,与此

有关的两个主要参数是和。

5.稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。它

工作在。描述稳压管的主要参数有四个，它们分别

是、、、

和0

6.某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值

将0

7.双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时

有和两种载流子参与导电。

8.场效应管从结构上分成和两种类型，它的导

电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做

器件。

9.场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是

控制型器件。

10.当温度升高时，双极型晶体管的B将,反向饱和电流/CEO

将,正向结压降UBE将。

11.用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，

测出最为方便o

12.双极型晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证

和;__________________________________________________

在饱和区，应保证_____________和；在截止区，，应保证

和O

13.当温度升高时，双极型晶体管的共射输入特性曲线将,

输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔

将。

解：

1.化学成分纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。

2.杂质浓度，温度。

3.少数载流子，（内）电场。

4.单向导电性，正向导通压降UF和反向饱和电流膜

5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（力）,稳定电流（/zmin），最大管耗

（尸Zmax），动态电阻（「Z）。

6.增大。

7.NPN,PNP,自由电子，空穴。

8.结型，绝缘栅型，多子，单极型。

9.电压，电流。

10.变大，变大，变小。

11.各管脚对地电压。

12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。

13.左移，上移，增大。

[1-2]在题图1-2的各电路图中，E=5V,〃i=10sindV,二极管VD视为理想

二极管，试分别画出输出电压〃。的波形。

（a）（b）

题图1-2题1-2电路图

解:

波形如解图1-2（a）（b）

(a)(b)

解图1-2

[1-3]在题图1-3中，试求下列几种情况下输出端对地的电压UY及各元件中通

过的电流。(1)UA=10V,UB=OV；(2)UA=6V,UB=5V；(3)UA=UB=5V。设二

极管为理想二极管。

题图1-3题1-3电路图

解：

(1)VDA导通，VDB截止

,c,,10V,人

lnDnB—(),=1K--------=1mA

口人R(1+9)kQ

八=人.R=9V

(2)VDA导通，VDB截止

/nR=0,/DA=/R=-------=0.6mA

DB，口人RWkQ

八=/RR=5.4V

(3)VDA、VDB均导通

5VI

人=-----«0.526mA/,,=«0.263mA

R9.5kQ*ADB2

Uy=IR-R=4.74V

[1-4]设硅稳压管VDzi和VDz2的稳定电压分别为5V和10V,正向压降均为

0.7Vo求题图1-4中各电路的输出电压Uo。

题图1-4题1-4电路图

解:

图(a)15V;图(b)L4V;图(c)5V;图(d)0.7V。

[1-5]有两个稳压管VDzi和VDZ2,其稳定电压值分别为5.5V和8.5V,正向

压降都是0.5V。如果要得到3V的稳定电压，应如何连接？

解:

连接方法如解图1-5所示。

解图1-5

[1-6]有两个双极型晶体管分别接在电路中，已知它们均工作在放大区，测得

各管脚的对地电压分别如下表所列。试判别管子的三个电极，并说明是硅管还是

倍管?是NPN型还是PNP型？

晶体管I晶体管II

管脚号123管脚123

电压(V)43.49电压(V)-6-2.3-2

解：

晶体管I为NPN型硅管，1、2、3管脚依次是b、e、c；

晶体管II为PNP型错管，1、2、3管脚依次是c、b、e。

[1-7]如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN型还是PNP型？如何判

断出管子的三个管脚？错管硅管又如何通过实验区别出来？

解：

(1)先确定基极：万用表调至电阻欧姆义100或X1k挡，随意指定一个管脚为基极，把

任一个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻，若两次测得电阻都很

大(或很小)。把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小(或很大)，则假定的管脚是

基极•若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为NPN型，反之为PNP型。

(2)判断集电极：在确定了基极和晶体管的类型之后，可用电流放大倍数£的大小来确

定集电极和发射极。现以NPN型晶体管为例说明判断的方法。

先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起，并用一只手的中指和大拇指捏住，红表笔

与假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极。这相当通过人手皮肤的电阻

给基极加电流。记下表针偏转的角度，然后两只管脚对调再测一次。这两次测量中，表针偏

转角度大的•次所假设的晶体管电极是对的。因为集电区掺杂浓度低，现在集电极变成发射

极，当然夕要降低，表针偏转角度小。

[1-8]在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如题图1-8所示，试确定晶体

管的名称，各电极的名称；如果是双极型晶体管说明它是NPN,还是PNP型。

(b)

题图1-8题1-8晶体管三个电极的电流图

解：

(a)①一c,②一b,③一e；PNP型；

(b)①一S,②一G,③一D；N沟道场效应管；

图1-8题1-8晶体管电极电流图

[1-9]用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电压如题图1-9所示,

试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)?

题图1-9题1-9晶体管各极对地电压图

解：

晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。

[1-10]两个场效应管的转移特性曲线分别如题图l-10(a)和(b)所示，分别确定

这两个场效应管的类型，并求其主要参数(开启电压或夹断电压，低频跨导)。

测试时电流ZD的参考方向为从漏极D到源极So

题图1-10题1-10转移特性曲线

解:

(a)P沟道增强型MOSFET管，开启电压UGs<th>=-2V,/DO=TmA。

在工作点(UGS=-5V,/D=-2mA)处，见图l-10(a)o

且后组£=_L4mS

°GS(th)

(b)N沟道耗尽型MOSFET,夹断电压UGs(0ff)=-4V,/DSS=4mA

在工作点(UGS=-2V,/D=lmA)处，见图l-IO(b)o

84-2g；1

ms

^GS(off)

[141]用万用表直流电压挡测得电路中场效应管各极对地电压如题图1-11所

示，试判断各场效应管分别处于哪种工作状态（可变电阻区、恒流区、截止区）？

10V15V

+3.5V____|白

+3Vo_|白

Aov

O1V

=_

(a)%s@)=2V(b)^GS(Ih)2V

题图Ml题1-11场效应管各极对地电压

解：

（a）恒流区，N沟道增强型；（b）夹断区；（c）可变电阻区：（d）恒流区。

[1-12]试分析题图1-12所示电路的工作情况，图中二极管为理想,

«2=1Osin1007trVo要求画出的波形图，求输出电压的平均值UO（AV）。

题图1-12题1-12电路图

解：

当"2>0时，VDi、VD3导通，VD2、VD4截止，〃o为正；当〃2<0时，VD2,VD_»导通,

VDi.VD3截止，“。仍为正。实现桥式整流，波形如解图1-12所示。

解图1-12

1r兀

U^AV）=­J（）lOsin碗d（G/）H6.37V

[1-13]分析题图1-13电路的工作情况，图中/为电流源，/=2mA。设20℃时

二极管的正向电压降UD=660mV,求在50℃时二极管的正向电压降，设二极管

的温度系数的绝对值2mV/C。该电路有何用途？电路中为什么要使用电流源？

+

三E、乙。D

题图1-13题1-13电路图

解：

该电路利用二极管正向压降具有负温度系数的特性，可用于温度的测量，其温度系数

-2mV/℃。20℃时二极管的正向电压降UD=660mV,50"C时二极管的正向电压降

[7D=660-2X(50-20)=600mV

因为二极管的正向电压降UD是温度和正向电流的函数，所以应使用电流源以稳定电流,

使二极管的正向电压降UD仅仅是温度一个变量的函数。

第2章基本放大电路

习题斛答

习题

[2-1]填空、选择正确答案

1.对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是

A.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；

B.将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源

旁路；

C.将输入交流信号加到到晶体管的基极；

2.在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是凡，那么凡中：

A.只有直流；

B.只有交流；

C.既有直流，又有交流。

3.基本放大电路在静态时，它的漏极电流的平均值是（/DQ）;动态时，

在不失真的条件下，它的漏极电流的平均值是（/DQ）O

4.下列说法哪个正确：

A.基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；

B.在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为

输出的信号功率；

C.基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。

5.放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（越好）。

6.放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线（饱

和区）而引起的非线性失真。

7.在共漏基本放大电路中，若适当增加gm，放大电路的电压增益将（稍有

增加）。换一只跨导稍大的场效应管

8.在共射基本放大电路中，若适当增加回电压放大倍数将如何变化（基

本不增加）0因为若为BJT,适当增加月，从电压增益公式的分子看，电压增益

要增加，但是分母的小因夕的增加也会增加，故电压增益基本不变。

9.在共源（或共射）基本放大电路中，适当增大氏（或%），电压放大倍数和

输出电阻将有何变化。

A.放大倍数变大，输出电阻变大

B.放大倍数变大，输出电阻不变

C.放大倍数变小，输出电阻变大

D.放大倍数变小，输出电阻变小

10.有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入

输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条

件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影

响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二

是输出电阻,输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。

在负载开路的条件下，也就是排除了输出电阻的影响，只剩下输入电阻这一个因素。甲、乙

两个放大电路电压放大倍数相同，甲的输出小，说明甲的输入电阻小，乙的输入电阻大。）

11.某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4V,接入3kQ负载电

阻后，输出电压的有效值降为3V,据此计算放大电路的输出电阻。

A.IkQ；B.1.5kQC.2kQD.4kQ

12.有一个共漏（或共集）组态基本放大电路，它具有如下哪些特点：

A.输出与输入同相，电压增益略大于1；

B.输出与输入同相，电压增益稍小于1,输入电阻大和输出电阻小；

C.输出与输入同相，电压增益等于1,输入电阻大和输出电阻小。

[2-2]分别画出题图2-2所示各电路的直流通路与交流通路。

题图2-2题2-2电路图

解：

直流通路，见解图2-2（a）。

解图2-2(a)

交流通路，见解图2-2(b)。

[2-3]电路如题图2-3所示，元件参数已给出，Vcc=12V、晶体管的夕=50、

UBE=0.7V,求:

1.静态工作点。

2.中频电压放大倍数4,；

3.放大电路的输入电阻尺；

4.放大电路的输出电阻R。；

题图2-3题2-3电路图

解：

1.

=4V

8一8+%

R；=&J//?b2=667k。

-UBE

，BQ=30.4^iA

4+(1+0凡

Qj=网。"52mA

UCEQ=%C—CQ（&+凡）=5・92V

2.晶体管的发射结电阻为

“c、26（mV）—―八

%=砧+（1+^）—；------=l17kQ

/EQ

则中频电压放大倍数4=-^-^=-56.4

展

3.放大电路的输入电阻舟=Rbd/凡2〃%e=0.995kC

4.放大电路的输出电阻R°xRC=2kC

[2-4]电路如题图2-4所示，设Vcc=15V,Hbi=60kQ、Hb2=20g、Rc=3kQ、

Re=2kQ、RS=600Q,电容C、C2和Ce都足够大，夕=60,UBE=0.7V,RL=3kQ»

试计算：

1.电路的静态工作点/BQ、/CQ、UCEQ;

2.电路的中频电压放大倍数Au，输入电阻Ri和输出电阻&；

3.若信号源具有Rs=600。的内阻，求源电压放大倍数A*。

题图24题2-4电路图

解:

1.

匕=A%J=3.75V

0+与2

M=Wi5kfi

，BQ=《%+方凡=22.

，CQ=，/BQ=1.32mA

UCEQ=%C_/CQ（RC+K）=8.40V

26（mV）

2.仆=痴+（1+，）（300+61x言）。=1.50kQ

，EQ（mA）

A=-^t=—60.0

R1=Rb山瓜小爪=\36kQ

Rc=3kQ

R,

3.4=-^4=-41.6

[2-5]若题图2-5中的电路出现故障，且经测量得知UE=O,UC=VCCO故障

的原因是下列四种之一，请判明是。

A.Rc开路B.&短路C.Rc短路D.Hbi开路

解：

应是D,即开路，为此需要排除A、B、C三种情况。对于A,&开路，Uc不会等

于七c，也就是说Uc=Vcc排除了凡开路；对于B,凡短路，可能有Uc=%c，但此时有集

电极和发射极电流，&不可能为0:对于C,《短路，UE=0,但此时发射极、集电极电流

小等于0,所以，Uc〈Vcc，而不可能Uc=Vtc。

[2-6]共集组态基本放大电路如题图2-6(a)所示，其输出波形产生了如题图

2-6(b)所示的失真。请问该失真属于饱和失真还是截止失真？消除该种失真最有

效的方法是什么？如晶体管改为PNP管，若出现的仍为底部失真，上面的答案

又怎样？若把电路的改为题图2-5所示的共射组态基本放大电路，重新回答上面

的问题。

(b)

题图2-6题2-6电路图和输出的失真波形

解：

1.波形图的上部电位水平高，下部电位水平低。当晶体管趋于截止时，发射极的电位

向地靠拢；当晶体管趋于饱和时，发射极的电位向电源电压靠拢。所以图2-10(b)所示的底

部失真是截止失真。

2.适当减小品。

3.如果晶体管改为PNP型，Vcc变为-Vcc，对底部失真而言，则为饱和失真。

4.若把电路的改为图2-9所示的共射组态基本放大电路，因从集电极输出，晶体管趋

于截止时，集电极电位向电源电压靠拢；晶体管趋于饱和时，集电极电位向地电位靠拢。所

以是饱和失真。

采用NPN型晶体管，还是PNP型晶体管，是从发射极输出，还是从集电极输出，同一

种外形的失真结论是不同的，请参考表2-10。

表2-10基本放大电路失真的判断

NPNPNP

CE上部截止失真上部饱和失真

下部饱和失真下部截止失真

上部饱和失真上部截止失真

CC

下部截止失真下部饱和失真

[2-7]题图2-7所示电路中，已知晶体管的£=100,UBEQ=0.6V,%b=100Q,

耦合电容的容量足够大。

1.求静态工作点；

2.画中频微变等效电路；

3.求人和4s；

4.求R和R。。

题图2-7题2-7电路图

解：

1.求静态工作点

J_—cc~~"BEQKr—UBEQ12-0.611.4.

BQ----

/?'b+(l+^)/?e/?bl+(l+^)/?e330+101x2532--

/CQ=Z?/BQ=2.14mA

UcEQ=Vcc-kQ(Rc+Re尸12-2.14x4=3.44V

2.画中频微变等效电路

3.求Au和Aus；AM、因Ri»Rs所以Aus«l«

4.求吊和兄。

26(mV)

r

R=Rbi〃R'i，be+(1+0

/E(mA)

26mV

=300+100x«1.5kQ

2.14mA

Ri=Rbi〃R；=Rbi〃[n>e+(l+0R[b33O//17O=112kQ

求输出电阻时，因输入短路，受控源开路，尺的存在不影响从输出端发射极求输出电

阻。故&=*=&//%；+0=2//»19Q

/OI+夕

[2-8]在题图2-8所示电路中，已知UGS=-2V,场效应管的/Dss=4mA,UP

=UGS（M=-4V。设电容在交流通路中可视为短路。

1.求电流/DQ和电阻Rs。

2.画出中频微变等效电路，用已求得的有关数值计算A,,R和R,（设/•DS

的影响可以忽略不计）。

解：

1.场效应管是耗尽型，漏极电流可由下式算出

/DQ=4ss（l-7^）2=4X（1-J）2mA=1mA

R=-^2.=2kQ

【DQ

;=4=IMO

=/?d«lOkQ

3.为显著提高|Au|,应在R两端并联旁路电容。

[2-9]场效应管放大电路如题图2-9所示，其中Rgi=300kQ,7?g2=120kQ,

Rg3=10MC,/?s=/?d=10kQ,Cs的容量足够大，VDD=16V,设FET的饱和电流

/DSS=lmA,夹断电压Up=UGS(°ff)=-2V,求静态工作点，然后用中频微变等效电

路法求电路的电压放大倍数。若Cs开路再求电压放大倍数。

题图2-9题2-9电路图题图2-10题2-10电路图

解:

1.求静态工作点

该放大电路采用耗尽型场效应三极管，分压偏置电路。由于栅极回路无静态电流，所

以时3中无电流，故和分压点的电位与栅极电位相等，这种分压偏置可以提高放大

电路的输入电阻。由电路得：

UGS=UG-Us-

W(R+4儿

上述三个方程联立求解，可得两组解：

第一组：/o=0.46mAUGS=_0,6V

第二组：/D2=0.78mAUGS2=-3.8V<UP

第二组数据不合理，故工作点为：/i>=0.46mA,UGS=-0.6V

2.用微变等效电路求电压放大倍数

微变等效电路如解图2-4(a)；

解图2-4(a)2-4题的中频微变等效电路解图2-4(b)无Cs的微变等效电路

UM

U。=-gm4人

A.=-snA

对转移特性曲线方程式求导数，可得

2.______

gm=-7，Dss/DQ«0.69mS

Up

A“二-6.9

3.Cs开路时的电压放大倍数

Cs开路实际上就是电路出现电流串联负反馈，电压增益下降。如果没有学习反馈,

仍然可以用微变等效电路法求解。放大电路微变等效电路如解图2-4(b)。

心=1*心匕%

(J、=u联+iK

于是

A—__gn"gsRd__gn，gsR<J_gm凡__Qgy

-人一%+gj/g人一i+gmRs~'

[2-10]有一个场效应管放大电路如题图2-10所示，已知，DSS=4mA、UGS=

—2V、Up=UGS（off）=-4V、VDD=20VO试求:

1.静态漏极电流/DQ;

2.Rsi和RS2最大值；

3.中频电压放大倍数；

4.输入电阻和输出电阻。

题图2-10题2-10电路图

解：

1.电路由是N沟道结型场效应管构成，采用自给偏压电路。由公式

可以求出/D=1mA

2.电路采用自偏压

"GS=-，Dx尺=-2V,所以，Rsi=2kQ

02越大，UDS越小，大到一定程度，就不能保证场效应管工作在恒流区。工作在恒流

区的条件是栅漏间电压比夹断电压小，即

°GD="GS—0DS—°GS(ofi)

UU

所以^DSmin=GS-GS(0(f)=-2+4=2V

又因为〃DS=%D一，D(&+K1+凡2)

k=[%D-0DSmin)/4]一旦一&=69

题2-10的中频微变等效电路

_2，DSS(]_

)=ImS

^GS(off)UGS«

iS(off)：off)

题图2-10的微变等效电路，如上图所示。此可求出

A,=-------------=-1.1

l+gm（&+^2）

4.求输入电阻和输出电阻

U、

R、=3%=3MQ

U1—gmUgs«2]gm&2

l+gm(Kl+凡)

4

上式在变换过程中，使用了口=4+8„）4（0+凡）这一关系，略去了（在网上

的压降。

R0«Rd=10kQ

[2-11]电路如题图2-11,场效应管的小>>R，要求：

1.画出该放大电路的中频微变等效电路；

2.写出人，尺和R,的表达式；

3.定性说明当Rs增大时，4，Ri，&是否变化，如何变化？

4.若Cs开路，Au,尺，R。是否变化，如何变化？写出变换后的表达式。

解：

此题的场效应管为增强型，而题［2-9］是耗尽型，二者其余部分基本相同。所以要用

增强型的转移特性曲线方程

1_J(UGSQ

,DQ-D

^GS(th)

VR

&=4-4=请*-忖«

。+Hg2

〃DSQ=%D-(尺+R11)，DQ

由以上三个式子可求出电路的静态工作点。

1.略

2.电压增益A,=-gm(Rd〃RL)

对转移特性曲线方程求导数，可得

gm“DQ/DO

^GS(th)

输入电阻凡=Rg+(Rg〃/Rg2)

输出电阻凡小凡

3.凡的增大，会使UGS有所下降，静态工作点的/D下降，gm有所减小，4有所下降,

对凡和&没有什么影响。

4.G开路，对静态工作点没有影响，但电压增益下降，此时电压增益为

^nA

G开路时，由于栅极是绝缘的，对/i没有影响，仍由舟=%+(&］〃&2)决定；对凡没有

什么影响。

第3章集成运算放大器和模拟乘法器

单元也路习题解答

习题

[3-1]填空

1.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采

用耦合方式。

2.若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30,将它们级连成两级放大

电路，则其放大倍数为（A.600,B.大于600,C.小于600）

3.在三级放大电路中，已知-1|=50,|AU2|=80,|AU3|=25,则其总电压放大倍

数近似为|Au|=，折合为dBo

解：

1.直接；

2.c小于600；

3.105,100；

[3-2]填空

1.放大电路产生零点漂移的主要原因是。

2.在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电

路o这是由于。

3.差分放大电路是为了而设置的。

4.抑制零漂的主要措施有一种,它们是o

解：

1.环境温度变化引起参数变化；

2.小；零点漂移是缓慢变化的信号，将难于通过耦合电容；

3.克服（抑制）零点漂移；

4.2,差分放大电路、射极电阻。

[3-3]某差分放大电路如题图3-3所示,设对管的£=50,w=300Q,UBE=0.7V,

Rw的影响可以忽略不计，试估算：

1.VT,,VT2的静态工作点。

2.差模电压放大倍数4d。

3.仿真验证上述结果。

题图3-3题3-3电路图

解:

I.静态工作点计算，令

%E-°BE

B，B2=10.9gA

""/?b+2(l+Z?)/?e

Ic\=Ic2=Ph\=0.54mA

UCEI=°CE2=(%+喂)-/c(6+2R”7.70V

八八、26mV谷”，八

2.

“A，悬一

[3-4]在题图3-4所示的差分放大电路中，已知两个对称晶体管的£=50,

rbe=1.2kQo

1.画出共模、差模半边电路的交流通路。

2.求差模电压放大倍数Ad。

3.求双端、单端（有负载电阻RL接地）输出时的共模抑制比KCMR。

解：

1.在共模交流通路中，电阻R开路，故其半边电路的射极仅接有电阻&；在差模交流

通路中，电阻R的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为凡和K/2的并

联。

o+o+

rVT,

2

必c

oO

图3・4(a)共模(b)差模

2九一△♦/△心一队

"△"卬&+（l+0（Re〃g）

3.双端输出条件下

00

Ad=—3.5.Auc-0,K（：MR=

单端输出条件下

=△"（兄=_042

△他%+（1+0凡

KCMR¥%=4.2

题图34题3-4电路图题图3-5题3-5电路图

[3-5]分析题图3-5中的电路，在三种可能的答案(A：增大；B：减小；C：

不变)中选择正确选项填空，设元件参数改变所引起的工作点改变不致于造成放

大管处于截止或饱和状态。

1.若电阻区增大,则差模电压放大倍数，共模电压放大倍

数o

2.若电阻R增大，则差模电压放大倍数;共模电压放大倍

数O

3.若两个凡增大同样的数量，则差模电压放大倍数;共模电

压放大倍数O

解：

捉小：尺增加，导致，E减少，%增加，故减少，切记不要简单的从

2人+噎

的表达式中没有凡，而确定凡增加Ad不变。

1.b,bo2.c,ao3.a,a。

[3-6]填空:

1.功率放大电路的主要作用是o

2.甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据晶体管的大小

来区分的，其中甲类放大;乙类放大;甲乙类放

大。

3.乙类互补功率放大电路的较高，这种电路会产生特有的失

真现象称；为消除之，常采用。

解：

1.向负载提供足够大的输出功率；

2.导通角，导通角为360°,导通角为180°,大于180°而小于360°；

3.效率，交越失真，甲乙类互补功率放大电路；

[3-7]在题图3-7功放电路中，已知Mcc=12V,RL=8C。跖为正弦电压，求在

UCES=0的情况下，负载上可能得到的最大输出功率。

题图3-7题3-7电路图题图3-9题3-9电路图

解:

POnux=%c2/2/?L=9W;

[3-8]填空:

1.集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路，因此低

频性能，最常见的问题是。

2.集成运算放大器的两个输入端分别为端和端,

前者的极性与输出端;后者的极性同输出端。

3.集成运算放大器的输入级大多采用电路，输出级大多

采用电路。

4.共模抑制比KCMR是之比，KCMR越大，表明电

路o

5.输入失调电压Uio是电压。

解：

1.直接，好，存在温漂（零漂）；

2.差分放大，互补功率放大电路；

3.同相输入，反相输入，同相，反相（或回答：反相输入，同相输入，反相，同相）；

4.差模放大倍数与共模放大倍数的绝对值，抑制温漂能力越强；

5.使输出端为零时输入端的等效补偿。

[3-9]电路如题图3-9所示，已知VT”VT2的饱和压降为2V,A为理想运算

放大器且输出电压幅度足够大，且能提供足够的驱动电流。M为正弦输入电压。

1.计算负载上所能得到的最大不失真功率；

2.说明VDi，VD2在电路中的作用。

解：

>.U°mMAx=（匕黑?248V

TJ2

一一二0mMAx>3.24W

2%

2.VDi，VD2为VTi、VT2提供一定的静态偏置电压，使之处于甲乙类工作状态，以

克服输出信号的交越失真。

第4章负反馈放大电路

习题斛答

习题

[4-1]填空题

1.电压负反馈可以稳定输出_____也就是放大电路带负载能力，相

当输出电阻______,输出电压在内阻上的电压降就,输出电压稳定性

o理论推导可以证明电压负反馈可以使输出电阻倍。

2.电流负反馈可以使输出电流稳定，使放大电路接近电流源，因此放大电路

的输出电阻_______□理论推导可以证明电流负反馈可以使输出电阻__________

倍。

3.交流放大电路放大倍数比较稳定的频段为，在低频段和高频段

放大倍数o

4.负反馈对放大电路噪声、干扰和温度漂移的抑制作用，只是对反馈环

的产生的噪声、干扰和温度漂移有效，对环的无效。

5.放大电路无反馈称为放大电路有反馈称为。

6.1+4。称为,它反映了反馈对放大电路影响的程度。可分为下列

三种情况

(1)当|1+AF|1时，|4|<|川，电压增益下降，相当负反馈

(2)当\1+AF\1时，|4|>|川，电压增益上升，相当正反馈

(3)当|I+AF|o时，|4|=8,相当于自激状态

7.反馈信号与输入信号加在放大电路输入回路的同一个电极，则为

反馈，此时反馈信号与输入信号是相加减的关系。反馈信号与输入

信号加在放大电路输入回路的两个电极，则为反馈，此时反馈信号与

输入信号是相加减的关系。

1.电压，强，减小，小，好，原来的1/(1+AF)

2.增加，增加到原来的1+AF倍

3.中频段

4.内，夕卜

5.开环，闭环

6.反馈深度，>,V,=

7.并联，电流，串联，电压

[4-2]试分析题图4-2电路的级间反馈组态。

解：交流电压串联正反馈

[4-3]分析题图4-3的电路，回答下列问题：

1.求静态时运放的共模输入电压；

2.若要实现串联电压反馈，R应接向何处？

3.要实现串联电压负反馈，运放的输入端极性如何确定？求引入串联电压

负反馈后的闭环电压放大倍数。

4.要实现并联电压负反馈，舟应接向何处，运放的输入端极性如何确定？

题图4-3题4-3电路图

解：

1.静态时运放的共模输入电压就是差分电路两集电极的静态电压，Uc尸UC2。

/cQl=/CQ2=0.5/CQ3

U-Vu-U_V

J_UE3-EE_UB3-BE3.EE

CQ3一凡一凡

|V|=30X6_15=_9V

21EE|

B3R}+R230

UB.，_UBE3一._9-0.7+15

&-5.3

Ua=Uc2=%c一/8HC=15-°.5X24=3V

图4-3题4-3电路图

2.可以将差分放大电路，看成整个运放的输入级，只不过画在运放符号A的外面。若

要实现电压串联反馈，&应接向VT2的基极B?,B?相当整个运放的反相输入端。

3.Uci接运放A的反相输入端；Uc2接运放A的同相输入端，相当同相输入比例运算电路。

引入电压串联负反馈后的闭环电压放大倍数为

&uf=1+&=1+”=13

%2

4.要实现电压并联负反馈，R应接向B”运放的输入端极性应“+互换，相当

反相比例运算电路。

[4-4]求题图4-4所示电路的反馈系数月与闭环增益Auf；

解:

此题相当同相输入比例运算电路，将运放A1和人2合为一个运算放大器看，即可直接写

出深度负反馈条件下的电压放大倍数表达式。

[4-5]判断题图4-5(a)、(b)电路的反馈组态。

题图4-5题4-5电路图