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文档简介

5.3

结型场效应管JFET的结构和工作原理结构工作原理JFET的特性曲线及参数输出特性转移特性主要参数JFET的小信号模型分析法5.3.1

JFET的结构和工作原理1.

结构漏极，用D或d表示栅极，用G源极，用S或s表示或g表示N型导电沟道符号5.3.1

JFET的结构和工作原理1.

结构P型区#符号中的箭头方向表示什么？2.

工作原理①VGS对沟道的控制作用（以N沟道JFET为例）当VGS＜0时PN结反偏fi

耗尽层加厚fi

沟道变窄。VGS继续减小，沟道继续变窄当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP

（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP

<0②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，

VDS›

fi

ID

›G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS

›

fi

夹断区延长fi

沟道电阻›fi

ID基本不变③VGS和VDS同时作用时当VP

<VGS<0

时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，ID的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS

=VP。综上分析可知沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG»0，输入电阻很高。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。#为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？5.3.2

JFET的特性曲线及参数iD

=

f

(vDS

)

v

=const.GSiD

=

f

(vGS

)

v

=const.DSGSPPDSS£

v

£

0)V(1

-

vGS

)2

(ViD

=

IVP#JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？输出特性转移特性③低频跨导gm：GSmVDSg¶v=

¶iDGSPPDSSm£

0

时）=

-

P

（当V

£

vVV2I

(1

-

vGS

)g或3.

主要参数①夹断电压VP

(或VGS(off))：漏极电流约为零时的VGS值。②饱和漏极电流IDSS：VGS=0时对应的漏极电流。低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。d④输出电阻r

：DDSdVGS¶i¶vr

=3.

主要参数⑤直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。⑥最大漏源电压

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