GD32和STM32单片机的区别

第第页GD32和STM32单片机的区别00前言

缺料危机还在持续，（MCU）从国外ST替换到了国产杰发科，国产供应仍有缺口，不得已还得替换，于是又在考虑（兆易创新），在选型的过程中，了解到一点区别，和大家分享一下，避免替换时遇到坑。

兆易创新（GD32）是国内开发的一款（单片机），据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以（STM32）作为模板做出来的。所以GD32和STM32有很多地方都是一样的。

不过GD32毕竟是不同的（产品），不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。

相同的地方我们就不说了，下面列一下不同的地方。

01内核

GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是（ARM）公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。

02主频

使用HSE(高速外部（时钟）)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M

使用HSI(高速内部时钟)：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M

主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，（电机控制）等操作，GD是一个不错的选择。

03（供电）

外部供电：GD32外部供电范围是2.6-3.6V，STM32外部供电范围是2-3.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。

内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的（芯片）在运行的时候运行功耗更低。

04FLASH

GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。

GDFlash执行速度：GD32Flash中程序执行为0等待周期。

STM32Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系，0等待周期，当0

06串口

GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。

GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。

GD和STM32USART的这两个差异对（通信）基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。

07（ADC）

GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，（AD）C的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：

08FSMC

STM32只有100（Pi）n以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。

09（RAM）/FLASH大小

GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图：

10105/107系列

GD的105/107的选择比ST的多很多，具体见下表：

11抗干扰能力

关于这一点，官方没有给出，笔者也是在做项目的时候偶然发现的。

项目原本是用STM32F103C8T6，后来换成GDF103C8T6。这两个芯片的引脚完全一致，单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚，然后发现STM32的SPI能正常通讯，GD的不行；经过检查发现（PCB）板SPI的铜线背面有两根I（IC）的铜线经过，（信号）应该是受到影响了。

用（示波器）看了一下引脚的电平，发现确实是，STM32和GD的数据引脚波形都不正常，但是STM32的波形要好很多，波形虽然差了点，但是SPI通讯依然正常。而GD则不能正常通讯了。

然后笔者又把SPI的通讯速率减慢，发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了，而GD的依然差，直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的电路，而GD则没有。