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文档简介

loolocO出方式和电容并接的输出方式,并单硅电路我国使用比较普遍,以电容输出的变形并单硅用法和串联方式单硅电LC理,参数择特点计算方,图1考图接通电源,前级DC-DC变换器经整流电路输出正常直流高电压,同时硅触发驱动电路启动开始工作,此时负载电阻R1由于硅处于关闭状态,负载上输出低电压.触发脉冲到来时,硅被触发,接通LOCORO1)过阻尼方式,临界方式.这两种情况下COE,.(2)COLOCOROE-2E;Ro2E,ELOCORO23LOCORO充电期间电流路径,临界以下过阻尼曲线b和阻尼振荡曲线:阻尼振荡输出时最高Umax阻尼振荡前提条件下,理想状态为R0数值的时候,loCo对应的周期,当电阻R0不为零时不再完全有理性参数决定由R0减弱不同,周期偏移量越大阻尼振荡电容的最高电压幅值越低,阶段性的成线性关系,图:值时loCo回路总电阻(主要是导线阻值,电感阻值,可控硅导通阻值)必须小于上面边界参数,其他:loCoRo

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