AI车载新需求有望开启存储新周期供给侧收紧需求侧放量

投资主题报告亮点本报告从产业链视角通过供需分析对存储行业的周期性和成长性进行了阐述。报告主体主要分为三个章节，第一章节介绍了存储芯片的基本原理和分域进行分析，指出AI和汽车电子驱动下存储行业长期需求有望进一步提升；第三章节从供给维度对存储行业周期性波动特征进行分析，指出此轮周23H2公司情况。投资逻辑存储市场兼具周期性和成长性。周期性方面，存储芯片具有大宗商品属性，供需错配引发价格周期性波动，原厂减产并削减资本开支、终端库存水平趋于正常、芯片价格处于历史低位、跌幅进一步收窄，各种迹象表明此轮下行周期接近尾声，产业链内公司复苏预期良好。成长性方面，ChatGPT问世引发新一轮AI浪潮，算力激增催生数据存储增量需求；同时受益于汽车智能化的蓬勃发展，车载存储市场呈现高速增长态势。目前全球存储芯片市场仍由海力士、三星、美光、西部数据&铠侠等海外大厂主导，在行业新兴需求驱动长期扩容叠加自主研发的背景下，国内存储产业链厂商迎来新的发展机遇，未来成长空间广阔。建议关注国内存储产业链优质公司兆易创新、北京君正、深科技、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、澜起科技、聚辰股份、江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技、协创数据等。目 录TOC\o"1-2"\h\z\u一、存储器介绍：代息存储媒介，半导周风向标 6（一半体大分场之，短供波中保长增趋势 6（二发趋：DRAM注重程艺代，NAND聚焦3D叠术 8二、需求端：PC&手机本盘稳健，服务器汽注入成长新活力 （一智手机&PC持续级存位需稳中增 12（二）AI动务量齐升大量端储求攀升 13（三车数处需攀升车存异突起 16三、供给端：原厂产削减资本开支，供再衡有望于23H2实现 18（一主市海寡垄断利市国奋直追 18（二海龙普开实质减，需平有望内来 19（三美在审未过，产代程望速 23四、重点标的 25（一兆创：内储设龙，作鑫储开DRAM成天花 25（二北君：载力/存持提，规储龙持发力 25（三深技国存封测头布先工决胜AI时代 26（四普股：NORFlash起秀，“存+”战打开二长线 26（五东股：土SLCNAND龙，耕存储场 27（六恒股：耕NORFLASH存器进军MCU启二长线 28（七雅科：LNG材&光胶头进驱体先商益储苏 29（八澜科：存口芯龙，局性计算业 29（九聚股：SPD+车规EPPROM双驱打开长间 30（十江龙深存芯片域积抱AI展浪潮 31（十）维储国存储组先商深布局发测体营式 31（十）明：研控芯夯模竞力内生延造富品阵 32（十）科技：“西算拉存需，战略局住展遇 33（十）创据深智能联数存领，自芯完产链局 33五、风险提示 35图表目录图表1导存芯类 6图表2DRAM芯构架 7图表3NANDFlash芯片构架 7图表4球导和芯片场模十美） 7图表5球导细类及储片场构（2021） 8图表6厂商DRAM术路图 8图表7DRAM制微缓 9图表8DRAM设创艺、料电技术 9图表9厂商NAND路线图 9图表10NAND构展 10图表NANDFlash单密度成本性的系 10图表12储片周市场要动力 图表132020-2022年球DRAM游用域比 12图表142020-2022年球NAND游用域比 12图表152011-2022年及中智手出量 12图表162014-2020年手机DRAM单机量 13图表172014-2020年手机NAND机量 13图表182008-2022年球PC出量 13图表192021-2023E球DRAM元货（亿Gb） 13图表20球据心场规及变化 14图表21国据心场规及变化 14图表22球务出量及测万） 15图表23球AI服器货量预（台） 15图表24HBM构图 15图表252030年据中SSD比望到55% 15图表26代HBM对比 16图表27球HBM市模 16图表28ADAS等智驾驶术车存的求 16图表29定车存芯片汽安保护航 16图表30能驶车用途DRAMNAND用量 17图表31类载储用数占比 17图表32车储场模（美） 17图表33本支动DRAM行竞格变化 18图表34导主细品类场模比速 18图表35DRAM争局 19图表36NAND争局 19图表37SK海士/美季度利、业润变化 20图表38大储厂产/削资支情况 20图表39储厂本支放（美） 21图表40NANDFlash和DRAM场元量速历史位 21图表4123Q2DRAM及NANDFlash产品价跌预测新 22图表42流NANDFlash现货/约格势美） 22图表43流DRAM货合约格势美） 23图表44流DRAM（mobile）现货/约格元） 23图表45流DRAM（server）现货合价（） 23一、存储器介绍：现代信息存储媒介，半导体周期风向标（一）半导体最大细分市场之一，在短期供需波动中保持长期增长趋势存储芯片是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放。存储芯片一方面存储程序代码以处理各类数据，另一方面存储数据处理过程中产生的中间数据、最终结果，是现代信息产业中广泛应用的核心零部件，深入应用到生活及生产中的方方面面，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。半导体存储器按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储和非易失性存储。图表1资料来源：恒烁股份招股书，易失性存储主要指随机存取存储器（AM。AM需要维持通电以临时保存数据供主CPURAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（AM。AM结构简单，单位面积的存储密度显著高于S，但访问速度慢于SRAM；此外，DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAMCPU非易失性存储器在断电后数据不会丢失，主要包括Flash（闪存）和ROM（只读存储器。NANDFlashNORFlashNANDFlash的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROMFlash（）NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解NORFlash特点在于允许CPUFlashRAMNORFlash在小容量场景具有成本效益。EEPROM具有数据保存时间长、擦写次数多（可频繁改写，使用寿命长）等特点，适宜低容量存储（通常在1b～1b，主要用于存储需经常修改的数据，如手机摄像头模组内存储镜头与图像的矫正参数、蓝牙模块存储控制参数、内存条温度传感器内存储温度参数等。图表2DRAM芯片构架 图表3NANDFlash芯片构架资料来源：ResearchGate 资料来源：ResearchGate半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是半导体行业最大的细分市场之一。现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势，市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势。根据WSTSSIA2021/20225559/57411538/134428%/23%图表4（）700600

574.08134.41574.08134.41500400300200100

0%-20%020062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022

-40%半导体市场规模 存储芯片市场规模 存储芯片占比 存储芯片市场增速资料来源：WSTS、转引自Statista和，DRAM和NANDFlash占全球存储芯片市场95%以上的份额。DRAMNANDFlash2021DRAMNANDFlash96%3.1%NORFlash1.3%图表5（2021）3.0%6.0%8.0% 13.0%42.0%

存储：28.0%

57.3%

NAND38.3%

3.1% 1.3%逻辑电路 模拟电路 光电子器件分立器件 传感器 存储存储-NANDFLASH 存储-NORFLASH 存储-其他资料来源：CRS，SIA，IDC、转引自彭博，（二）发展趋势：DRAM注重制程工艺迭代，NAND聚焦3D堆叠技术DRAM制程进步放缓，工艺迭代亟待新方案。DRAM的内存容量主要由芯片上集成的晶体管数额所决定，制程微缩成为现阶段提高DRAM内存容量，降低制作成本的主要方式SKD1zD1a1514(D/R)DDR4DDR5LPDDR58F26F2DRAMCellunitcell1T（）和1C（1T+1C单元设计将用于未来几代DRAM图表6各厂商DRAM技术路线图资料来源：TechInsightscellDRAM制程进步正在放缓。2022DRAM1β1γ2025年，1Z(12nm-14nm)52016-20171X(16nm-19nm)2018-20191Y(14nm-16nm)度放缓，10nmD/RDRAM业亟需新的解决方案来继续提高密度。据半导体行业观察援引TechInsights，3DDRAMHBM3GDDR6X/7DRAMDRAMDRAM（High-k）（HKMG）EUV图表7DRAM制程微缩缓 图表8DRAM设计创新艺、材料和电路技术资料来源：TechInsights 资料来源：TechInsightsNAND制程演进相对缓慢，3D堆叠层数增长迅速。随着存储芯片容量需求的增加，15nm2DNAND3DNANDSK3D600NANDSK海238236232/218图表9各厂商NAND技术路线图资料来源：TechInsights除了堆叠层数走高以外，NAND架构改良也有效地提升存储密度和I/O传输性能。根据CFM闪存世界，在NANDFlash的传统架构CnA（CMOSnestArray）中，外围电路在存储阵列旁边，随着存储堆叠层数增高，外围电路占据芯片面积比例增大，影响存储单元的密度提升。各存储原厂对高层数NANDFlash架构进行了优化，采用CuA（CMOSunderArray）/PuC（PERIunderCell）diesizedie划planeplaneXtacking®NAND图表10NAND架构发展资料来源：CFM闪存市场2DNAND和SLC/MLC深耕高可靠性和低温高温操作的特定应用，3DNAND存储单元向TLC、等高密度存储演进。NANDFlash根据存储单元密度可分为SLC、MLC、TLC、QLC、234bitNNN适合容量和成本优先的应用，而较小的N图表11NANDFlash单元密度与成本/性能的关系资料来源：铠侠官网二、需求端：PC&手机基本盘稳健，服务器&汽车注入成长新活力下游终端应用场景不断丰富，全球存储市场规模长期扩张。存储是数据的静态表现形式，有数据就需要存储。过去20年，存储市场规模波动与新电子产品快速渗透、旧电子产品代际更迭密切联系，总体呈现出螺旋式上升的趋势。下游终端电子产品革命性的创新发展使得全球数据量多次呈现跨域式增长，直接拉动了对存储的需求。自上世纪90年代以来，存储市场分别经历了由PC、功能机、智能手机驱动的三轮上涨行情，展望后市，数据中心、AI和汽车存储有望为全球存储市场注入新的动力。图表12资料来源：三星电子官网手机、PCAIDRAMPCCFM2022DRAMPC35%，33%16%。2022NAND（eSSD）（cSSDPC）22%。消费端PCNANDDRAM考虑到生成式AI极大地拉动了企业级服务器、数据中心等市场需求，服务器存储芯片市场规模有望进一步扩张，手机、PC、服务器三大需求牢牢占据八成以上存储市场。而等级，汽车搭载的摄像头、激光雷达、热成像等传感器，对车辆环境的数据收集、数据交换、实时信息分享的需求，都将推动着汽车存储市场规模日益增长。CFM闪存市场预计，到2025年单车NAND存储容量将超过2TB。汽车存储市场规模也随之增加，到2030200NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。图表132020-2022年全球DRAM下游应用领域占比 图表142020-2022年全球NAND下游应用领占比18%14%18%14%16%30%31%33%17%18%16%35%37%35%8%9%21%6%8%22%9%9%26%26%25%22%36%39%34%100%0%

2020

2021手机 PC 服务器 其他

2022

90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%

2020手机

2021cSSD eSSD 存储卡/盘 其

2022资料来源：CFM闪存市场， 资料来源：CFM闪存市场，（一）智能手机&PC配置持续升级，存储位元需求稳中有增智能手机为存储芯片下游第一大应用市场，出货量保持平稳。自2017年全球智能手机出2018-202212亿-142023年的智能手机市场较难快速恢复到疫情前水平，根据IDC2023121.1%2.831.1%。IDC预计，2024年全球智能手机市场出货量12.63亿，同比增长5.9%;中36.2%。图表152011-2022年全球及中国智能手机出货量14.414.714.414.714.713.91313.712.913.512.110.27.34.922966974538690.2.4.2.3.3.3.3.4.4.5.141210864202011

2012

2013

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2022全球（亿台） 中国（亿台）资料来源：工信部，IDC，转引自立鼎产业研究网，高端智能手机份额持续提升&存储器成本走低，手机端存储芯片位元需求稳步增长。球智能手机DRAM和NAND平均单机容量快速上升，根据华经产业研究院转引的TrendForce、Counterpoint数据，2014-2020DRAMNAND增长至4.3/108GB5GUFS、LPDDR等嵌入式存储向高速传输不断发展。不仅如此，NANDFlashDRAMPC图表162014-2020年智手机DRAM单机容量 图表172014-2020年智手机NAND单机容量54.543.532.521.510.50

4.34.33.83.23.52.41.81.42014 2015 2016 2017 2018 2019 2020单机DRAM容量（GB）

120100806040200

1081088363394321262014 2015 2016 2017 2018 2019 2020单机NAND容量（GB）资料来源：TrendForce，转引自华经产业研究院， 资料来源：Counterpoint，转引自华经产业研究院，全球PC2016-2021PC3PC2020202110%2022PC15%2.9亿台，随着人们恢复正常办公以及Chromebook的需求减弱，在2024年或以后才会看到PC市场更多的增长。从更长的时间维度来看，出于正常的设备更新需求以及对更高性能产品的PC数据，2021PCDRAM343Gb，2023371Gb，CAGR3.9%，PCDRAMDRAM10.5%21.0%。图表182008-2022年全球PC出货量 图表192021-2023E全球DRAM位元出货量（亿Gb）43.532.521.510.50

200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022全球PC出货量（亿台）

7006005004003002001000

PCDRAM MobileRAM ServerDRAM Others资料来源：Gartner、转引自Statista，IDC， 资料来源：ADATAINDUSTRIAL，（二）AI驱动服务器量价齐升，大容量高端存储需求攀升在数据中心领域，存储器的主要增长动力来自服务器的稳定增长和多核心高性能处理器的迭代升级。根据CFM闪存市场数据，NAND方面，eSSD平均容量已上升至4TB，eSSDNAND22%26%DRAM加速器和ASIC等AI芯片带来了算力的指数级增长，与此相匹配的是对高速率GDDRDRAMHBMDRAMDRAMDRAM数据中心蓬勃发展，服务器出货量稳步增长。IDC2025175ZB2022/747/1901Canalys202220211917247129%Canalys202323%IDC20221470.420251878.1万台。图表20全球数据中心场规模及其变化 图表21中国数据中心场规模及其变化8007006005004003002001000

2017 2018 2019 2020 2021

20%18%16%14%12%10%8%6%4%2%0%

2000180016001400120010008006004002000

2017 2018 2019 2020 2021

35%30%25%20%15%10%5%0%全球市场收入（亿美元） yoy(%) 市场收入（亿元） yoy(%)资料来源：中国信通院《2022年数据中心白皮书》， 资料来源：中国信通院《2022年数据中心白皮书》，AIGC应用加持，AI服务器需求持续增长。ChatGPTAI模型的推广，AI服务器出货量将实现快速增长。根据TrendForce数据，2022年搭载高端GPGPUAI14.59%2023年，Microsoft、Meta、BaiduByteDanceAI2023年15.4%，2022~2026GPGPUAI12.3%。同时TrendForce预估2023年整体AI服务器（包含搭载GPU、FPGA、ASIC等）出货量近120万台，年增38.4%，占整体服务器出货量近9%，至202615%，2022~2026年AI29%。图表22全球服务器出量及预测（万台） 图表23全球AI服务器出货量及预测（万台）2000180016001400120010008006004002000

1878.120%1470.415%1470.410%5%0%-5%

300.0200.0100.00.0

2021 2022 2023E 2024E 2025E 全球AI服务器出货量及预测（搭载GPGPU的服务器，万台）

60%236.985.5236.985.514.523.120%0%全球服务器出货量及预测（万台） yoy

全球AI服务器出货量及预测（包含搭载GPU、FPGA、ASIC等，万台）yoy-仅包含搭载GPGPU的yoy-包含搭载GPU、FPGA、ASIC等资料来源：IDC，转引自艾媒数据中心， 资料来源：观研天下、集邦咨询，服务器市场更加追求芯片的高性能和高稳定性AI算法的发展，AI服务器对计算能力和内存带宽的要求越来越高。GDDR逐渐达到极限，每秒每增加1GBNVIDIAAMD等厂商逐渐开始使用HBM（HBMDRAM3DDDRCPU/GPU合封，使得HBMAIGDDR5HBM产GDDR56%3AI服务器对DRAM和NAND的需求飙升。传统封装技术和晶圆级封装技术愈加成熟，为单一封装下的高密度NAND和DRAM应用提供了巨大的帮助。DRAM方面可以通过将多颗HBM组合封装，使得系统中总DRAM容量达到128GB甚至更高，有助于DRAMNAND方面存储厂商通过将多颗NANDFlash10TBSSD产品，加速取代服务器领域的HDDSK2030SSD55%AI服务器中DRAM8倍，NAND3倍。图表24HBM结构图 图表252030年数据中中SSD占比有望达到55%60%50%40%30%20%10%0%2020

数据中心中SSD

2030E资料来源：AMD 资料来源：SK海力士，转引自CFM闪存市场，HBM2014AMDHBMSK4HBMOmdia数据，2020HBM4.5820252540.38%。图表26各代对比 图表27全球市场规模HBM1HBM2HBM1HBM2HBM2EHBM3芯片密度2GB8GB16GB16GB带宽128GB/s307GB/s460GB/s819GB/s堆叠高度4层4层/8层4层/8层8层/1层I/速率1Gbps2.4Gbps3.6Gbps6.4bps容量1GB4GB/8GB8GB/16G16GB/2425002000150010005000G

2019 2020 2021 2022E2023E2024E市场规模（百万美元） yoy

60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%资料来源：SK海力士， 资料来源：Omdia《DRAMforGraphics＆AIReport》，（三）车辆数据处理需求攀升，车载存储异军突起ADASADAS、安全半导体存储芯片更由此异军突起，日渐成为智能汽车的核心部件，需求量大大增加。同时，车规级芯片要求较消费级更加严苛，能够持续高速处理汽车驾驶过程中产生的大量数据，具有超强稳定性的汽车存储芯片更是成为了安全无忧驾驶的关键。图表28ADAS各等级智驾驶技术对车载存的求 图表29稳定的车载存芯片为汽车安全保护航 资料来源：SemicoResearch、美光科技、中国闪存、转引自SK海力士官网，

资料来源：SK海力士官网DRAM和NAND智能驾驶ADASDRAMFlash的DRAM需求量的判断，一辆车预估DRAM/NANDFlash需求最高分别可达151GB/2TBADASCFM2030200图表30DRAM、NAND位元用量车内用途DRAMNAND信息娱乐系统和数字集群4-64GB64-512GBADAS/自动驾驶4-64GB8-32GB互联互通0.5-2GB4-32GB后座娱乐系统4-16GB64-256GB高精地图0.5-1GB8-512GB事故记录1-4GB8-512GB资料来源：SK海力士官网，车内显示类：IVI车内显示屏，直接增加DRAM、NAND的总需求量。同时仪表盘、控制台等器件DRAMDDR3、LPDDR2LPDDR4、LPDDR5DRAM在4-64GB4-16GB。NANDFlash主要用于即时产生大量数据的数字仪表盘和后座娱乐系统，前者需要64-512GB64-256GB。ADAS系统应用：高带宽DRAM来解决复杂的计算和图像处理问题。以特斯拉为例，特斯拉全车共配备了8个摄像头、一个毫米波雷达和12个超声波雷达监测外部环境，由于特斯拉采用摄像头模拟人眼视力的AI仿生技术路线，其更高的信息处理能力要求除了雷达外每个摄像头也需要DRAM处理数据并向车载计算机实时传送信息。图表31各类车载存储用数量占比 图表32汽车存储市场模（亿美元）ADAS,9%DVR,16%ADAS,9%DVR,16%IVI,36%DI,14%TBOX,20%资料来源：CFM闪存市场， 资料来源：美光，CFM闪存市场三、供给端：原厂减产并削减资本开支，供需再平衡有望于23H2实现（一）主流市场海外寡头垄断，利基市场国产奋起直追存储芯片具有大宗商品属性，供需错配引发价格周期性波动。根据Statista数据，全球集成电路细分市场整体周期性趋同，但存储芯片市场的波动性更大（2017年半导体行业景气度上行，存储市场规模同比增速超60%，大幅领先于其他主要细分品类，而在2019年半导体行业景气度下行期，存储市场规模同比降幅超30%，表现亦显著弱于其他主要细分赛道）主要系存储芯片标准化程度高，产品可替代性强，价格弹性大，受下游需求影响较为明显，具有显著的规模效应。且行业集中度高，厂商间扩产与定价策略高度相似，当景气度上行时，往往积极扩产，致使产能过剩；而当景气度下行时，行业内厂商则通过削减资本开支/减产，配合激进降价手段清理库存。产品价格基于供求关系变化，导致存储芯片价格周期性特征尤为明显。图表33资本开支驱动DRAM行业竞争格局变化资料来源：彭博，图表3480%201720182017201820192020202120222023E 2024E40%20%0%-20%-40%Analog Logic Memory Micro资料来源：Statista，三星电子、SK海力士和美光三大厂商垄断DRAM供应，NAND竞争格局有集中趋势。根据彭博援引IDC数据，2005年至今，DRAM市场CR3由60%左右逐渐增长至94%（2021年NDSK海力士96%2021SKD（原第六大ADSodg、铠NAND国产双雄持续发力。NAND643DNANDIDMNORFlashNANDFlash2018Xtacking2019964层TLC3DNANDFlash963DNAND20204月宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，目前公司发布的基于晶栈®3.0（Xtacking®3.0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070堆叠层数已经处于国际第一梯队。DRAM龙头长鑫存储是国内最大DDR4和LPDDR4内存芯片制造商,目前已成功试产DDR5内存芯片，工艺方面已经实现19nm/17nm等制程的量产工作，国产NAND和DRAM双雄持续发力，追赶国际领先厂商。图表35DRAM竞争格局 图表36NAND竞争格局三星 SK海力士 美光尔必达 英飞凌（奇梦达） 其他

100%

三星 铠侠（东芝） SK海力西部数据 美光 intel闪迪 其他

100%80% 80%60% 60%40% 40%20%

20%0%200520072009201120132015201720192021资料来源：IDC、转引自彭博，

0%200520072009201120132015201720192021资料来源：IDC、转引自彭博，4GbDDR4DRAM2DNANDNORFlash、EEPROMICInsights、GartnerTrendforce2021NORFlash/SLCNAND/DRAM29/21/90（二）海外龙头普遍开启实质性减产，供需再平衡有望年内到来存储行情持续走弱，存储原厂全面陷入亏损。由于ASP快速下跌所致，存储原厂第一季营业利润率由正转负。根据原厂最新财报数据，SK海力士Q1营收为5.09亿韩元（58%，oQ34%，净利润2.59万亿韩元（同比由盈转亏，环比亏损收窄；三Q1.92（56QQ27S事3623Q1（2212232）36.3亿美元（oQ9.6，o52.64亿美元的存货减记，营业利润率大幅下滑至-63%23NANDFlash23Q1业.03（36oQ10NGP-4.27图表37SK海力士/美光的季度毛利率、营业利润率变化80.0%80.0%60.0%40.0%20.0%0.0%-20.0%-40.0%-60.0%-80.0%毛利率-美光 毛利率-海力士 净利率-美光 净利率-海力士资料来源：彭博，wind，在市场需求不明朗、库存高涨、业绩普遍亏损等因素叠加影响下，各大原厂纷纷出台减少产出、降低投资、放缓技术升级等措施来调节供需关系缓解价格下降趋势。根据TrendForceSK海力士202310pct，已分别下滑至77%、74%、82%。资本开支方面，SK523Q1全年资本支出将同比减少超50%20237040%WFE50%图表38削减资本支出情况减产削减资本支出美光削减DRAM和NAND产能约25%202370亿美40%WFE50%，同时放缓技术升级、降低运营成本及裁员海力士自22Q4起持续减少部分低利润及高库存产品的晶圆产能，尽量减少不必要的投资，2023全年资本支出将同比减少超50%三星将把内存芯片产量削减到合理水平西部数据产能削减30%202323亿美元，较前次公布的27亿美元计划再度减少14.8%铠侠2022年10月开始将位于日本的两座位NAND闪存工厂的晶圆产量减少约30%资料来源：闪存市场，21世纪经济报道，芯智讯，图表39（亿美元）50454035302520151050海力士 美光资料来源：彭博，2022年存储市场位元增速处历史低位，2023年有望企稳反弹。2022年在宏观经济环境恶化，以及全球部分地区性因素的影响下，集成电路终端需求锐减，库存问题也从下游不断传导到上游，进一步抑制了对存储芯片产品的需求。据CFM闪存市场预计，2022年NANDFlash/DRAM市场容量规模分别同比增长6%/4%达到610BGB/194BGb，较此前市场位元增速显著放缓，预计2023年NANDFlash/DRAM市场容量规模分别同比增长15%/5%，增速有所回升。而在减产的作用下，预计NANDFlash和DRAM位元供应的增长速度都将低于其需求的增长速度。图表40NANDFlash和DRAM43%39%43%39%40%40%35%34%31%21%21%23%21%16%15%6%4%5%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023ENAND DRAM资料来源：CFM闪存市场，23Q3企稳。据CFMQ2DRAMDDR4LPDDR5NANDFlashQ3PC&Q1Q323Q223Q3图表4123Q2DRAM及NANDFlash产品价格跌幅预测更新更新预估值DRAMPCDRAMDDR4：跌15~20%DDR5：跌13~18%BlendedASP：跌15~20%ServerDRAMDDR4：跌18~23%DDR5：跌13~18%BlendedASP：跌15~20%MobileDRAM跌13~18%TotalDRAM跌13~18%NANDFlashUFS跌10~15%EnterpriseSSD跌10~15%TotalNANDFlash跌8~13%资料来源：TrendForce，NANDFlash和DRAM现货价/合约价均位于历史低位，下行空间有限。NANDFlash现货价格/合约价格Q2继续下跌，月跌幅环比收窄。529日，256GbTLC/512GbTLC现货价格分别下跌至0.99/1.41美元，环比430日跌幅为0%/-2.8%；256GbTLC/512GbTLC/128GbMLC0.95/1.48/1.764305图表42主流NANDFlash现货/合约价格走势（美元）18181614121086420NAND现货价格-闪存256Gb NAND现货价格-闪存512Gb NAND合约价格-闪存NAND合约价格-闪存256Gb NAND合约价格-MLC闪存256GB NAND合约价格-MLC闪存128Gb资料来源：InspectrumTech、转引自彭博，DRAM5月仍呈跌势，但趋势有所分化。截至5月29日，DDR44Gb(512Mx8)/DDR34Gb(512Mx8)/DDR48Gb(1Gx8)现货价格分别降至1.01/1.02/1.46美元，环比4月30日跌幅分别为9.8%/4.7%/9.3%DRAM529DDR48Gb(1Gx8)/LPDDR432Gb（mobile）/DDR432GBReg-DIMM（server）1.44/6.10/524300%/16.7%/16.1%LPDDR4和服务器用DDR4DRAM颗粒价格较此轮周期高点普遍跌幅在60%~70%图表43主流DRAM现货/合约价格走势（美元）12121086420DRAM现货价-*DDR4-4Gb-512Mx8 DRAM现货价-*DDR4-8Gb-1Gx8DRAM现货价-DDR3-4Gb-512Mx8 DRAM合约价-*DDR48Gb1G*8资料来源：InspectrumTech、转引自彭博，图表44主流DRAM（mobile）现货合约价格（元） 图表45主流DRAM（server）现货合约价格（元）30 35025 30020 2502001515010 1005 502/20175/20178/201711/20172/20175/20178/201711/20172/20185/20188/201811/20182/20195/20198/201911/20192/20205/20208/202011/20202/20215/20218/202111/20212/20225/20228/202211/20222/20235/20237/201611/20163/20177/201711/20173/20187/201811/20183/20197/201911/20193/20207/202011/20203/20217/202111/20213/20227/202211/20223/2023LPDDR316Gb LPDDR324Gb *LPDDR3LPDDR48Gb LPDDR424Gb *LPDDR4

DDR3-8GBReg-DIMM DDR3-16GBReg-DIMMDDR4-16GBReg-DIMM *DDR4-32GBReg-DIMM资料来源：InspectrumTech、转引自彭博， 资料来源：InspectrumTech、转引自彭博，（三）美光在华审查未通过，自主研发进程有望加速521业务收入，包括直销以及通过分销商的间接销售，约占美光全球收入的四分之一，美光与中国总部客户相关的销售额中约有一半可能受到此次网络安全调查的影响，占其全球AI、大数据等技术的发展，国内对信息安全可靠和自主可控的需求不断增加，存储产品作为数据中心的四、重点标的（一）兆易创新：国内存储设计龙头，合作长鑫存储打开DRAM成长天花AI2012DDR2021DRAMDRAM2022DDR3LJEDEC2133/1866Mbps2Gb/4Gb的DRAM产品包括DDR4、LPDDR3、LPDDR4，制程在1Xnm级（19nm、17nG~G。Rah512Kb2GbSPINORFlash20234月，GD25/55SPINORFlashGD5FSPINANDFlash达1重视研发投入，保持技术创新和技术领先。iPolicyNetworksInc.202210.2912.7%9.5%2022929202298项授权专利。与长鑫存储紧密合作，DRAM业务天花板快速打开。股权层面，公司参股长鑫存储母公司睿力集成；管理层面，公司实控人朱一明先生为长鑫存储董事长，牵头DRAM研发工作；经营层面，公司自研的利基型DRAM由长鑫代工，同时代销长鑫部分标准型DRAM产品，在利基市场公司DRAM产品在工艺制程上保持代差优势，有利于降低产品成本。公司与长鑫存储的紧密合作关系，为公司DRAM产品提供稳定产能保障。随着长鑫存储持续扩产和其在资本市场上的进一步发力，公司有望充分享受产能红利，DRAM业务天花板快速打开。（二）北京君正：车载算力/存力持续提升，车规存储龙头持续发力国内车规存储龙头，产品矩阵丰富&客户资源优质。北京君正成立于2005年，起家于MPU和智能视频芯片，2020年公司通过收购ISSI成功进入车载存储行业，打开公司第二成长曲线。公司旗下存储主体北京矽成（ISSI）深耕车载存储二十余载，产品矩阵丰ADASSRAMDRAMNORFlash芯片领域第一、第二、第五大供应商（021年度DelphiADAS驱动车内算力/存力持续提升，老牌龙头持续发力再攀高峰。地平线测算自动驾驶等级每增加一级，所需要的芯片算力就会呈现十数倍的上升，L2级自动驾驶的算力需求2.0-2.5TOPS，L3级自动驾驶算力就需要20-30TOPS，实现L4-L5级自动驾驶的算力需求就超过2000TOPS，高级别自动驾驶车型渗透率不断提升势必推动车载芯片市场增长，预计至2025年该市场有望以24%的复合增速提升至约82亿美元。AI驱动智能视频芯片持续增长，IOT助力微处理器业务稳步向好。AI5GIPC/后端NVR/泛视频类市场的多系列芯片，随着各产品陆续放量，智能视频芯片业务有望持求的快速增长促进嵌入式MPU芯片产业市场规模不断增大。根据ICInsights数据，2020MPU1752024237亿（三）深科技：国产存储封测龙头，布局先进工艺决胜AI时代美光审查事件推动自主研发加速，存储封测龙头深度受益。公司是全球领先的专业电子制造企业，连续多年在全球电子制造服务行业（EMS）排名前列，并构建了以存储半导体、高端制造、计量智能终端为三大主营业务的发展战略。公司存储运营主体沛顿科技前身为金士顿中国封装厂，技术水准领先，公司配备sDBG生产线，可将晶圆减薄至30um，同时掌握8D/16D芯片堆叠技术能力；产能充沛，以深圳、合肥半导体封测双基地的模式运营，产能产量达到历史最高水平，未来随着下游客户产能开出/先进封装渗透率提升，公司存储业务天花板打开。周期&成长&自主研发共振，存储器市场迎来新一轮增长。存储原厂积极减产带动行情预期升温，存储行情正在加速筑底。由于三星、SK海力士和美光三大DRAM原厂的减产步调更为统一，近期渠道部分DDR价格和内存条开始尝试涨价，存储市场目前处于Q1市场或处于供需博弈阶段的小幅调整磨底行情，跌价AI时代HBM长期来看，以AIGCHBM（（SK海力士第四代HBM6.Gbp1BsRAMAI全面升级。HBM技术壁垒高，涉及硅通孔（V、系统级封装（SP）等多项核心先bumping技术，FCBGA32D（四普冉股份：NRFlahNORFlashEEPROM两大类非易失性存储器芯片、MCU以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片；MCUARMCortex-M32MCU个产品系列为音圈马达驱动芯片（CMDer，目前提供独立和存储二合一两类开环类音圈马达驱动芯片产品，主要应用于摄像头模组（含手机和非手机。公司团队在非NORFlashEEPROM“+”MCUNORFlash制程优化/容量升级持续推进，发力工业/车规高价值量领域。公司NORFlash产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了512Kbit到128Mbit快速擦除和快速读取的优异性能。目前NORFlash行业主流工艺制程为55nm，公司40nm4Mbit128Mbit40nmSONOSNORFlash品，已达到50nm的先进制程，目前已经实现了六颗产品的大批量量产出货，256Mbit1GbitNORFlashNORFlashAEC-Q100NORFlashMCU受益自主研发趋势实现大规模出货，VCMDriver与EEPROM产品形成良好的协同效应。公司持续重视并始终保持高水平的研发投入，推进核心技术自主研发，提升符合市场需求的创新型产品。2022年公司实现“存储+”系列芯片营业收入5299万元，同比增长9倍。其中，MCU产品和VCMDriver芯片产品实现了业务从零到一的突破，以及业务量上质的飞跃。公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局ARMCortex-M内核系列32位通用型MCU产品。2022年MCUM0+系列产品已大规模量产出货，共计60余颗料号。产品主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器等下游领域，自主研发趋势下持续导入空间较大。2022年公司内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片（二合一)多颗产品进入大批量供货,支持下一代主控平台的1.2VPD系列音圈马达驱动芯片产品也已进入量产。同时，依托EEPROM产品的客户资源优势，实现下游的顺利交付。此外，公司结合行业发展趋势，与终端密切配合，启动开发新一代VOIS芯片。公司VCMDriver产品能与EEPROM产品形成良好的协同效应，提升公司在摄像头模组领域的竞争优势和市场占有率。（五）东芯股份：本土SLCNAND龙头，深耕利基存储市场国内SLCNAND龙头，聚焦利基存储市场。2014容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案以及芯片定制开发服务的公司。凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权，公司搭建了稳定可靠的供应链体系，设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内闪存芯片的技术突破。公司核心骨干均具有国内外存储行业工作经历及存储芯片相关研发经验，具备较好的技术水平。作为国内中小容量通用型存储芯片设计领域领先企业，在海外龙头逐渐退出国内利基市场的背景下，公司营收有望持续增长。产品布局逐步完善，积极开拓新兴应用场景。公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的知识产权进行保护，截至202215069NANDFlash、NORFlash、DRAMNANDFlash、NORFlash、DRAMMCPSLCNANDFlash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，可以满足客户在不同应用领SLCNANDFlash-40℃-105AEC-Q100SPINORFlash盖64Mb至1Gb，符合-40℃-85℃/105℃的工业标准，并支持多种数据传输模式，已经完65nm48nm5G、物联网、人工智能、SLCNANDFlash38nm、24nm28nm28nm24nmSLCNANDFlash1xnmNANDFlashNORFlash48nm512Mb、1GbNORFlashNORFlash产品制程从65nm推进至55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。公司设计研发的LPDDR4xPSRAMDRAM领域进行38nmSLCNANDFlash48nmNORFlash均有产品通过AEC-Q100（六）恒烁股份：深耕NORFLASH存储器，进军MCU开启第二成长曲线“存储+控制”双轮驱动，市占率有望稳步提升。公司成立于2015年,是国内领先的NORFlashArm®Cortex®内核架构的32MCUNORAITWSNORFlashMCU360OPPO、星网锐捷、新大陆、中兴、联想、奇瑞汽车、江铃汽车及欧菲光等终端用户供应链体系。借助NORFlashMCUAI产品/客户结构持续优化，打造核心竞争力。2022年公司NORFlash产品实现营收3.5亿元（o29.580.8EX1Mb256MbFlash现规模化销售。2022年公司CU产品实现营收082亿元（o+6.6%，占营收比重19.0%24.19%2022CX32L003增加外设功能，同时成本及功耗进一步降低，丰富了现有产品线，将有利于进一步提升公司MCU产品的核心竞争力。深入布局存算一体芯片，拥抱AI大时代。AI计算对算力和低功耗的需求，存算一体是将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算过程中数据搬运环节，消除了由于数据搬运带来的功耗和延迟，有望彻底解决传统冯·诺伊曼架CiNORAI推理芯片可利用NORFlashNORFlashFlashFlash提高，功耗大幅降低。公司借助长期以来在NORFlash领域的技术积累，为实施CiNORAICiNORAIMCU进行控制和调度，公司CiNORMCU进行验证和纠错，持续推进基于MCU的AI应用部署和模型量化研究，大大减少CiNORAI芯片的开发周期，可为客户提供“MCU+存储器+AI”的产品解决方案。（七）雅克科技：LNG板材&光刻胶齐头并进，前驱体领先厂商受益存储复苏公司是全球前驱体领先厂商，国内独家LNGLNG热板材、阻燃剂三大板块。其中电子材料业务包括半导体前驱体材料/SOD、光刻胶及LDSLNG-162℃超320232023LNGTFTRGBCNT三星电子、LGDisplay、京东方、华星光电、惠科等知名面板供应商建立合作关系；同时公司新增布局半导体光刻胶领域，半导体制程光刻胶及SOC材料研发和测试工作正在按计划推进。技术优势构筑前驱体产品领先地位，AI驱动前驱体需求增长。公司是全球领先的前驱High-KDRAM1b、200XNAND3Intel、台积电、中芯国际、华虹宏力、长江存储与合肥长鑫等国内AIHBMHBM宜兴生产基地部分产品已开始客户端测试，预计于2023年四季度实现量产供应，本地（八）澜起科技：内存接口芯片龙头，布局高性能计算产业内存接口芯片龙头企业，充分受益内存更新换代。澜起科技成立于2004年，是国际领先202236.713.0524%30%202227.459.3%58.7%DDR5DDR4干配套芯片，进一步增加行业市场规模。作为行业领跑者，公司凭借自身的技术领先地位及竞争优势，受益于内存模组市场由DDR4向DDR5迭代升级带来的成长红利。布局高性能计算芯片，追赶算力时代的浪潮。公司于2016年与英特尔和清华大学合作开CPU20229.3710.80%，公司一方面不断提升津逮®CPU的兼容性水平，第三代津逮®CPU系列产品通过VMware兼容性认证，达到VMwareESXi7.0U3虚拟化平台的通用兼容性及性能、可靠性要求，满足用户的关键应用需要；另一方面，公司重点关注可信计算领域，公司和合作伙伴的“多云下基于硬件信任根的可信解决方案”方案获评“2022年度首届安全可信优秀解决方案”，未来公司也将在可信计算领域持续耕耘。公司凭借自身的技术优势，正在研发基于“近内存架构”的AI芯片，逐个突破地布局高性能计算领域，紧追算力时代的步伐。引领CXL技术发展浪潮，全球首发MXC芯片。CXLCXLCXL的应用的扩大，CXL内存有望成为未来计算结构的关键节点，进而大幅推进人工智能（AI）2022年5XLMC公司的MXC布MXCMXCCXLCXL内存扩展和内存池化在实际业务场（九）聚辰股份：SPD+车规EPPROM双轮驱动，打开成长空间国内EEPROM领军企业，自主创新驱动业绩高速增长。公司目前拥有EEPROM、音圈马达驱动芯片及智能卡芯片三条主要产品线，产品广泛应用于智能手机、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色家电、汽车电子、工业控制等众多领司持续加强对新产品和新技术的研究和开发，2022年研发费用1.34亿元，同比增长80.39%13.67%DDRSPD产品以及应用于汽车电子、工业控制等高附加值市场的EEPROM产品销量和收入于报告期内实现高速增长，带动公司收9.8亿元，同比增长80.2%；归母3.5226.8%。DDR5内存模组渗透率持续提升，公司SPD产品受益快速放量。12代AlderLakeDDR52021DDR5内存具有速度更快、功耗更低、带宽更高等优势，有望在未来实现对DDR4内存的更新和替代。在DDR5内存技术商用的驱动下，应用于DDR5SPDDeveloppement，DDR52023DDR4SPD产品组合和技术储备的企业，公司及时把握DDRSPD布局车规级EEPROM，把握汽车市场发展新机遇。作为国内领先的汽车级EEPROM产品供应商，公司基于对行业发展的判断，在业务发展过程中侧重了对汽车电子应用领A1EEPROM随着汽车电动化、智能化、网联化趋势的不断发展，汽车电子产品的渗透率快速提升，在全球汽车缺芯EEPROM芯片供应短缺带来的市场发展机遇，汽车级EEPROM产品的销量及收入于近年来实现高速增长，产品广泛应用于汽（十）江波龙：深耕存储芯片领域，积极拥抱AI发展浪潮国内存储芯片领域先行者，布局完善。江波龙自1999年成立以来一直专注存储产品业务，已形成嵌入式存储、固态硬盘（SD、移动存储及内存条四大产品线，能够提供消费级、工规级、车规级存储器以及业存储软硬件应用解决方案。目前公司拥有行业类FORESEELexar()在持续推出行业领先的产品体系，公司UFS存储器为高端智能手机提供更高的传输速eMMC已符合汽车电子行业核心标准体系AEC-Q100，可实现-40℃-105℃数据中心蓬勃发展，驱动存储细分市场欣欣向荣。TrendForce数据，20231443万台，AI2022~202610.8%AIAISSD快速扩张，公司目前已发布了企业级规格的SSD，分别为支持PCIe4.0的LongsysORCA4836系列NVMeSSDLongsysUNCIA38363.2SSD。自主研发能力不断提升，持续迭代夯实技术储备。SiPLexarSSD球第七名。根据Omdia(IHSMarkit)数据，2020年Lexar存储卡全球市场份额位列第三名、Lexar闪存盘全球市场份额位列第四名。展望未来，随着