模拟电子技术基础-西安交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术基础_西安交通大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年甲类放大电路放大管的导通角等于，乙类放大电路放大管的导通角等于。

参考答案:

360°，180°

通常场效应管被称为控制型器件，表征管子放大能力的量是。

参考答案:

电压，跨导

某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化，应选用反馈；如希望提高输入电阻，应选用反馈。

参考答案:

电流负，串联负

在一个由NPN晶体管组成的固定偏置共射放大电路中，若当输入电压为正弦波时，输出电压波形下半部出现了失真。这种失真称为失真。这种失真的原因是。

参考答案:

饱和，Q高

在图所示电路中，已知集成运放A的输出电压最大幅度为±12V，当RW滑动端在最下端时uO=V；当RW滑动端在最上端时uO=V。【图片】

参考答案:

12，1

电路如图所示，图中，晶体管T的β=50，rbb'C=300Ω，UBE=0.7V，结电容可以忽略。RB=300kΩ，RC=4kΩ，RL=4kΩ，C1=C2=10μF，VCC=12V，CL=1600pF。（该图用于题31-题39）电路的ICQ等于mA。【图片】

参考答案:

1.88

UCEQ约等于V。

参考答案:

4.48

电路的输入电阻约为Ω。

参考答案:

990

电路的输出电阻约为Ω。

参考答案:

2k

电路的电压放大倍数Au约为。

参考答案:

-101

电路的下限截止频率约为Hz。

参考答案:

16

电路的上限截止频率约为Hz。

参考答案:

50k

电路最大的不失真输出电压幅值Uom约为V。

参考答案:

3.76

当输入电压增加时，输出首先出现何种非线性失真？。

参考答案:

截止

电路如图4所示，R1=5kW，R2=50kW，RL=20W，电源电压VCC=VEE=18V，ui=sinwtV。（该图用于题40-题43）电路的反馈类型为负反馈；【图片】

参考答案:

电压_并联

电路的电压放大倍数为。

参考答案:

10

电路的电源效率约为%。

参考答案:

65

串联反馈型稳压电路如图所示，各元件为理想状况。图中，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，电阻R1=R2=200Ω。（该图用于题44-题45）当RW的滑动端在最下端时，UO=15V。电阻RW的值为Ω。【图片】

参考答案:

100

若RW的滑动端移至最上端，UO=V。

参考答案:

10

复合管如图所示，T1、T2的电流放大系数分别为b1、b2，输入电阻分别为rbe1、rbe2。（该图用于题46-题47）复合管的电流放大系数b为。【图片】

参考答案:

b1b2

复合管的输入电阻为。

参考答案:

rbe1+(1+b1)rbe2

电路的输出功率约为W。

参考答案:

3

硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，通常工作于。

参考答案:

反向电击穿状态

设图所示电路中的二极管性能理想。则二极管的工作状态为。【图片】

参考答案:

导通

所示电路中的A、B两点之间的电压UAB=V。【图片】

参考答案:

15

图示电路中，设Dz1的稳定电压为7V,Dz2的稳定电压为13V，则电压UAB等于V。【图片】

参考答案:

7

晶体管工作在放大状态的外部条件是。

参考答案:

发射结正偏，集电结反偏

测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6mA。则该管的直流电流放大系数约为。

参考答案:

60

共集电极放大电路的主要特点是。

参考答案:

输入电阻高，输出电阻低

晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的【图片】，ICBO，UBE的变化情况为。

参考答案:

，ICBO

增加，UBE

减小

场效应管的工作原理是。

参考答案:

输入电压控制输出电流

整流电路的主要目的是将。

参考答案:

交流信号变成直流信号

集成运放输入级采用差分放大电路的主要目的是为了。

参考答案:

克服温漂

为了稳定放大电路的输出电流，并提高输入电阻，应采用的负反馈类型为。

参考答案:

电流串联负反馈

在图所示电路中uI2>0、模拟乘法器（K>0）及运算放大器均为理想器件。该电路实现运算功能。【图片】

参考答案:

除法

某文氏电桥式正弦波发生器电路如图1.5所示，电路的振荡频率f0≈Hz。【图片】

参考答案:

1590

负反馈所能抑制的干扰和噪声是。

参考答案:

反馈环内的干扰和噪声

在图示桥式整流电容滤波电路中，二极管具有理想的特性，当u2=14.14sin314t，RL=10kΩ，C=50μF时，U0约等于V。【图片】

参考答案:

12

由三端固定输出集成稳压器W7815组成的电路如图示，其中IQ=1mA。则输出电压U0=______V。【图片】

参考答案:

33

某双端输入、单端输出的差分放大电路的差模电压放大倍数为200，当uIC=1V时，uOC=100mV。该电路的共模抑制比为。

参考答案:

2000

某有源滤波电路的传递函数为【图片】，那么该滤波器具有的功能。

参考答案:

带通

在图所示电路中，已知UI=1V，硅稳压管DZ的稳定电压为6V，正向导通压降为0.6V，运放的特性理想，则输出电压Uo为______V。【图片】

参考答案:

-0.6

二极管根据使用的材料可分为管和管。

参考答案:

硅，锗

放大电路的非线性失真包括失真和失真。

参考答案:

饱和，截止

已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样的输出电压时，需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。

参考答案:

10，0.009

维持正弦波振荡的幅度条件是，相位条件是。

参考答案:

AF=1，jA+jF=2np

晶体管电路如图所示，已知各晶体管的【图片】=50。试分析电路中晶体管的工作状态。【图片】

参考答案:

放大

若希望在uI<2V时，uO为高电平，而在uI>2V时，uO为低电平，可采用比较器。

参考答案:

反相输入单门限

对于电流放大器来说，则希望输入电阻越好，输出电阻越好。

参考答案:

越小，越大

有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，【图片】W，【图片】W。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为______。

参考答案:

（b）32dB

若三级放大电路的【图片】，【图片】，则电路的放大倍数为。

参考答案:

(d)

10000

已知图示放大电路中的【图片】W，【图片】W，【图片】,晶体管的【图片】，【图片】。那么，该晶体管处于何种状态？。【图片】【图片】

参考答案:

（b）饱和状态

在放大电路中，直流负反馈可以________。

参考答案:

（d）稳定电路的静态工作点

电路如图所示，若IQ可以忽略，则电路具有的特性。【图片】

参考答案:

电流源

一放大电路如图所示，当逐渐增大输入电压【图片】的幅度时，输出电压【图片】的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应。【图片】

参考答案:

减小

对于电压放大器来说，越小，电路带负载的能力越强。

参考答案:

输出电阻

温度升高，晶体管输入特性曲线。

参考答案:

左移

温度升高，晶体管的电流放大系数b。

参考答案:

增大

测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为。

参考答案:

60

晶体管能够放大的外部条件是。

参考答案:

发射结正偏，集电结反偏

当场效应管的漏极电流IDQ从1mA变为2mA时，它的低频跨导。

参考答案:

增大

当ugs=0时，不能够工作在恒流区的是。

参考答案:

增强型MOS管

与双极型晶体管比较，场效应管。

参考答案:

放大能力弱

N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ>______,UDSQ>______。

参考答案:

UGS(th)

,

UGSQ-UGS(th)

反映场效应管放大能力的一个重要参数是。

参考答案:

跨导

图示电路中，已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-8V,uDS=4V,管子工作在哪个区？【图片】

参考答案:

截止区

由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V，gm=1.2ma/V，C1、C2的电容量足够大。试求电路的静态工作点UDSQ【图片】

参考答案:

15.8V

图示电路中，已知场效应管的UGS(off)=-5V,uGS=-3V,uDS=1V,管子工作在哪个区？【图片】

参考答案:

可变电阻区

根据反馈信号的取样对象，反馈可分为_______反馈。

参考答案:

电压和电流

根据反馈信号的比较方式，反馈可分为_______反馈。

参考答案:

串联和并联

直流负反馈在电路中的主要作用是_______。

参考答案:

稳定静态工作点

若反馈信号正比于输出电流，该反馈为_______反馈。

参考答案:

电流

串联负反馈能够_________。

参考答案:

提高电路的输入电阻

负反馈放大器产生自激振荡的原因是。

参考答案:

环路增益太大

由理想运放组成电路的电压传输特性如图所示，该电路为。【图片】

参考答案:

窗口比较器

与迟滞比较器相比，单门限比较器抗干扰力。

参考答案:

弱

在理想情况下，直流电压增益就是它的通带电压增益，该电路为滤波电路。

参考答案:

低通

希望抑制50Hz的交流电源干扰，可选用滤波电路。

参考答案:

带阻

集成运放采用直接耦合的原因是

参考答案:

不易制作大容量的电容

电容三点式振荡器与电感三点式振荡器相比，输出的波形。

参考答案:

较好

电路如图所示，设运放是理想器件，R1=10kΩ，为使该电路能产生正弦波，则要求。【图片】

参考答案:

RF=18kΩ+4.7kΩ（可调）

在正弦波振荡电路中，能产生振荡的相位条件是______。

参考答案:

φA+φF=2nπ

非正弦波发生器，一般由、反馈网络和等几部分组成。

参考答案:

开关器件、延迟环节

在RC型、LC型和晶体振荡器中，频率稳定度最高的是何种振荡电路？。

参考答案:

石英晶体

若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用何种振荡电路？

参考答案:

RC型

根据的元器件类型不同，将正弦波振荡器分为RC型、LC型和石英晶体振荡器。

参考答案:

选频网络

振荡电路的振荡频率，通常是由决定的。

参考答案:

选频网络的参数

直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是。

参考答案:

晶体管参数受温度影响变化较大

集成运放的输出级采用互补推挽电路是为了。

参考答案:

提高带负载能力

共摸抑制比KCMR越大，表明电路的。

参考答案:

抑制零漂的能力越强

差分放大电路由双端输出变为单端输出，则差模电压增益。

参考答案:

减小

差分放大电路由双端输出变为单端输出，则共模电压增益。

参考答案:

增大

差分放大电路由双端输入变为单端输入，则差模电压增益。

参考答案:

不变

差分放大电路的共模抑制比KCMR为之比。

参考答案:

差模放大倍数与共模放大倍数的绝对值

为使运放的工作于线性区，通常。

参考答案:

引入深度负反馈

反相比例运算电路中，电路引入了负反馈。

参考答案:

电压并联

电压跟随器的，所以常用作缓冲器。

参考答案:

输入电阻很大、输出电阻很小

电路如图所示，设运放是理想的。当输入电压uI=2V时，则输出电压uO=。【图片】

参考答案:

–5V

电路如图所示，已知T1、T2均为硅管，UBE1=UBE2=0.7V，β1=β2=50，rbb’=300Ω，求静态工作点UCEQ【图片】

参考答案:

8.6V

为了消除交越失真，应当使功率放大电路的功放管工作在_________状态。

参考答案:

甲乙类

乙类互补功放电路存在的主要问题是。

参考答案:

有交越失真

乙类互补推挽功率放大电路中，若电源电压为VCC，放大管的饱和压降为UCES，那么放大管的最大管压降为。

参考答案:

2VCC-Uces

在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为_______。

参考答案:

0.2W

乙类互补推挽功率放大电路在输出电压幅值约等于时，管子的功耗最大。

参考答案:

0.64倍电源电压

乙类互补推挽功率放大电路的能量转换效率最高是。

参考答案:

78.5%

所谓能量转换效率是指。

参考答案:

输出功率与电源提供的功率之比

电路如图所示，已知T1、T2均为硅管，UBE1=UBE2=0.7V，β1=β2=50，rbb’=300Ω，求差模电压放大倍数Aud【图片】

参考答案:

-72.35

某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω，UBE=0.7V，β=50，VCC=VEE=12V，RB=1kΩ，RC=RL=RE=5kΩ，试估算晶体管静态工作点UCEQ【图片】

参考答案:

7.5

某差分放大电路如图所示。设晶体管T1和T2的rbb’=300Ω，UBE=0.7V，β=50，VCC=VEE=12V，RB=1kΩ，RC=RL=RE=5kΩ，试估算差模电压放大倍数Aud【图片】

参考答案:

-33.3

设图所示各电路中的二极管性能均为理想。试判断各电路中的二极管D或D1是导通还是截止。【图片】

参考答案:

截止，导通，导通，截止

电路如图所示。其中限流电阻R=2kΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。试求a,b,c,d各电路输出端A、B两端之间电压UAB的值。【图片】

参考答案:

14V，6V，6.7V，0.7V

当PN结正向偏置时，耗尽层。当PN结反向偏置时，耗尽层。

参考答案:

变窄，变宽

当环境温度升高时，二极管的正向电压将，反向饱和电流将。

参考答案:

减小，增大

【图片】【图片】（2）电路输出电流的平均值为。

参考答案:

0.09A

【图片】【图片】（4）若D1开路，则输出的平均值为。

参考答案:

4.5V

【图片】【图片】（2）流过每个二极管的平均电流约为。

参考答案:

0.6mA

串联型线性稳压电路中引入的反馈是负反馈。

参考答案:

电压串联

串联型线性稳压电路中的放大环节放大的对象是。

参考答案:

基准电压与取样电压之差

已知某放大电路由放大倍数完全相同的两个单级放大电路组成，那么，在组成它的单级放大电路的截止频率处，电路的放大倍数下降了_______。

参考答案:

6dB

已知某晶体管的【图片】，【图片】。当其工作频率为【图片】时，【图片】。

参考答案:

3MHz

两级放大电路中，已知【图片】，【图片】；【图片】，【图片】。则:放大电路的下限截止频率【图片】,放大电路的上限截止频率【图片】。

参考答案:

55Hz,24kHz

一放大电路如图所示，其中【图片】和【图片】为负载电阻和负载电容。当增大【图片】的容量时，该放大电路的【图片】；【图片】

参考答案:

减小

【图片】当【图片】的容量减小时，该电路的【图片】。

参考答案:

提高

某共射极放大电路如图所示，已知晶体管的rbb=100Ω,rb’e=900Ω,gm=0.04S,三极管的结电容等效输入电容Ci=500pF，等效输出电容C0忽略不计。计算中频电压放大倍数Ausm【图片】

参考答案:

-36

有一共基极放大电路如图所示。其中VCC=24V、RB1=90kΩ、RB2=48kΩ、RC=RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ，电容器C1、C2、C3的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管，其rbb'=80Ω、β=20。试估算静态工作点UCEQ值【图片】

参考答案:

15

有一共基极放大电路如图所示。其中VCC=24V、RB1=90kΩ、RB2=48kΩ、RC=RE=2.4kΩ、负载电阻RL=2.2kΩ，电容器C1、C2、C3的电容量均足够大。晶体管T为3DG4A型硅管，其rbb'=80Ω、β=20。计算放大倍数Au【图片】

参考答案:

61.7

在串联型线性稳压电路中，若要求输出电压为18V，调整管压降为6V，整流电路采用电容滤波，则电源变压器次级电压有效值约为。

参考答案:

20V

电路如图所示，则输出电压Uo=。【图片】

参考答案:

22.5V

某硅二极管在正向电压【图片】时，正向电流【图片】。若【图片】增大到0.66V，则电流【图片】约为。

参考答案:

100mA

二极管的反偏电压升高，其结电容。

参考答案:

减小

确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和。

参考答案:

IF，UR

普通二极管的正向电压降温度系数。

参考答案:

为负

温度升高，N型半导体的电阻率。

参考答案:

将增大

判断电路反馈组态【图片】

参考答案:

电压串联负反馈

如果基本对数运算电路的输入电压在正常工作范围内增加到原来的10倍，那么它的输出电压将_________。

参考答案:

减小约60mV

电路如图所示，已知UI1=1V、UI2=2V、UI3=3V、UI4=4V(均为对地电压)，R1=R2=2kΩ，R3=R4=RF=1kΩ求UO。【图片】

参考答案:

5.5

在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度。

参考答案:

越低

在掺杂半导体中，少子的浓度受的影响很大。

参考答案:

温度

在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于。

参考答案:

掺杂浓度

测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、-2.2V，则该管。

参考答案:

已损坏

本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是

参考答案:

等于

当晶体管的集电极电流【图片】时，下列说法正确的是。

参考答案:

晶体管的b一定减小

在图所示电路中，IQ=0。则该电路具有的特性。【图片】

参考答案:

电压源

由N沟道耗尽型场效应管组成的共漏极电路如图所示。设UGSQ=-0.2V，gm=1.2ma/V，C1、C2的电容量足够大。试求电路的电压放大倍数Au【图片】

参考答案:

0.86

17.NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为。

参考答案:

（d）

引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是_______。

参考答案:

（d）晶体管参数随环境温度的变化而变化

图示电路