ICPMS课程3ICPMS中的干扰课件

第三章ICP-MS中的干扰第三章ICP-MS中的干扰ICP-MS中的干扰质谱干扰

不能分辨的相同质量的干扰非质谱干扰源于样品基体ICP-MS中的干扰质谱干扰2质谱干扰同量异位素

多原子

氩聚合物Argides

氧化物

其它(如氯化物、

氢化物等.)双电荷离子质谱干扰同量异位素3同量异位素干扰同量异位素干扰4多原子离子干扰多原子离子干扰5质谱干扰选择无干扰同位素如137Ba代替138Ba最佳化仪器以减少干扰氧化物、双电荷离子ShieldTorch减少具有高电离能的多原子离子消除ArO消除ArH质谱干扰选择无干扰同位素6条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[1]减少‘基体’量低样品提升量减少含水量冷却雾化室去溶剂方式增加等离子体中的停留时间增大采样深度大直径炬内管以降低气溶胶速度条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[1]减少‘基体’7条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[2]为电离提供尽可能高的能量高入射功率降低样品和载气流速限制/减少易电离元素基体，必要时采取稀释条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[2]为电离提供尽可能8条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[3]+粒子解离通过采样锥后，分析元素以M+离子存在气溶胶干燥形成原子并电离停留时间为毫秒级.关键是优化等离子体能量输入以保证样品基体彻底解离条件最佳化以减少在等离子体中形成的干扰[3]+粒子解离通过采9等离子体温度对电离程度的影响等离子体温度对电离程度的影响10有效的气溶胶解离过程大孔径炬内管使气溶胶扩散，在气溶胶干燥时减少聚集冷却而且减少了样品沉积在内管表面的可能e有效的气溶胶解离过程大孔径炬内管使气溶胶扩散，在气溶胶干燥时11氧化物和双电荷离子氧化物和双电荷离子12质谱干扰的解决办法排除基体螯合法色谱法Chromatography电热蒸发法（ETV）去溶剂法Desolvation膜去溶热去溶干扰校正方程质谱干扰的解决办法排除基体13干扰校正方程ICP-MS分析中用于校正元素、双电荷和多原子同量异位素干扰的数学方程.

同量异位素

204Hgon204Pb多原子离子

75ArClon75As

双电荷离子

88Sr++on44Ca干扰校正方程ICP-MS分析中用于校正元素、双电荷和多原子14As干扰校正75As=75M-{77ArCl(35Clabundance/37Clabundance)}75As=75M-{77ArCl(3.127)} (1)ButthereisSeatm/z77...77ArCl=77M-{82Se(77Seabundance/82Seabundance)}77ArCl=77M-{82Se(0.874)} (2)Soequation1and2becomes:75As=75M-{[77M-{82Se(0.874)}](3.127)}75As=75M-77M(3.127)+82Se(2.733) (3)But,thereisKryptonat82…82Se=82M-{83Kr(82Krabundance/abundance83Kr)}82Se=82M-{83Kr(1.009)} (4)Soequation3and4becomes:75As=75M-77M(3.127)+{[82M-{83Kr(1.009)}](2.733)}75As=75M-77M(3.127)+82M(2.733)-83M(2.757)75767778798081828300.20.40.60.811.2Relativesignal757677787980818283m/zKrSeArClAsAs干扰校正75As=75M-{77ArCl15干扰校正方程-Agilent7500干扰校正方程-Agilent750016非质谱干扰总固体溶解量高质量元素

高质量元素影响低质量元素的信号.(空间电荷效应)

易电离元素有限的电离能被易电离元素如Na和K所消耗.非质谱干扰总固体溶解量17高溶解固体量的影响信号抑制沉积到采样锥和截取锥上沉积到离子透镜系统高溶解固体量的影响信号抑制18第一电离能第一电离能01020304050607080900510152025原子序数电离能(eV)Ar15.75eVHe24.58eVLiBeBCBaMgAlSiPSClKCaScVTiCrMnZnGaGeCuFeNiCoAsSeBrRbSrYZrNbMoTcRuRhPdAgCdInSnSbTeIXeCsNaLanthanidesHfTaWReOsIrPtAuHgTlPbBiPoRnRaAcNFKrHeONeAr第一电离能第一电离能0102030405060708090019电离效率0102030405060708090020406080100Ionizationefficiency(%)LiBeBCBaMgAlSiPSClKCaScVTiCrMnZnGaGeCuFeNiCoAsSeBrRbSrYZrNbMoTcRuRhPdAgCdInSnSbTeIXeCsNaLanthanidesHfTaWReOsIrPtAuHgTlPbBiPoRnRaAcNFKrHeONeAr电离效率0102030405060708090020406020信号抑制信号抑制21基体效应–对低质量分析元素的影响Lithium700.51050100150200250基体元素的SignalLoweVHigheVCsAuCdZnRbNaBUTl基体元素与分析元素的摩尔比=1000:1基体效应–对低质量分析元素的影响Lithium700.22基体效应–对中质量分析元素的影响Rhodium10300.51050100150200250基体元素的质量SignalLoweVHigheVCsAuCdZnRbNaBUTl基体元素与分析元素的摩尔比

=1000:1基体效应–对中质量分析元素的影响Rhodium103023MatrixEffects-onHighMassAnalyteThorium23200.51050100150200250基体元素的质量SignalLoweVHigheVCsAuCdZnRbNaBUTl基体元素与分析元素的摩尔比=1000:1MatrixEffects-onHighMass24空间电荷

接口和透镜区域++++++++++++++++++++++++++空间电荷

接口和透镜区域++++++++++++++++++25电离抑制

等离子体区域--------------ZnZnNa+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+