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文档简介

对应应变片=8.2晶向的表示方法结晶体是具有多面体形态的固体，由分子、原子或离子有规则排列而成。这种多面体的表面由称为晶面的多个平面围合而成，晶面与镜面相交的直线称为晶棱，晶棱的交点称为晶体的顶点。硅为立方晶体结构。为了说明晶格点阵的配置和确定晶面的位置，通常引进一组对称轴，称为晶轴，用X、Y、Z表示。zxy对于同一单晶，不同晶面上原子的分布不同。各镜面上的原子密度不同，所表现出的性质也不相同。单晶硅是各向异性材料，取向不同，则压阻效应不同。硅压阻传感器的芯片，就是选择压阻效应最大的晶向来布置电阻条。同时利用硅晶体各向异性、腐蚀速率不同的特性，采用腐蚀工艺来制造硅杯形的压阻芯片。xyz扩散深度为数微米根据晶体力学分析，在晶轴坐标内，单晶硅的压阻系数有36个独立分量，但结合使用条件，有效的独立分量只有3个：、和。纵向、横向、剪切压阻系数是相对立方晶体3个坐标而得。8.4影响压阻系数的因素

影响压阻系数大小的主要因素是扩散杂质的表面浓度和环境温度。压阻系数与扩散杂质表面浓度Ns的关系如图所示。压阻系数随扩散杂质浓度的增加而减小；表面杂质浓度相同时，P型硅的压阻系数值比N型硅的（绝对）值高，因此选P型硅有利于提高敏感元件的灵敏度。P型硅N型硅001110001110r此图为灵敏度曲线本章要求掌握的内容扩散硅压阻式传感器的基本原理扩散硅压阻式传感器的灵敏度系数是金属丝应变片传

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