晶体技术关键点

晶体技术关键点2007/031*第1页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

讲座内容一、晶体谐振器基本原理二、涉及的公式三、关键参数四、工艺对参数影响五、能陷理论的重要性2007/032*第2页，课件共22页，创作于2023年2月一、基本工作原理1、压电效应当在绝缘固体上施加压力时，绝缘固体的表面间能够产生电压，同时也能产生一个很小的电流，这就叫压电效应。相反，当电压施加在一个具有压电特性的固体表面时，该固体也可以产生机械变形，这就叫逆压电效应。晶体谐振器就是利用晶体的逆压电效应特性。2007/033*第3页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

一、基本工作原理1、

振动模式关系

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一、基本工作原理2、晶体谐振器等效电路和阻抗特性2007/035*第5页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

二、重要公式2007/036*第6页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

二、重要公式串并联间隔

Δf/fs=C1/2C0静电容：

C0=εSe/t质量因数：Q=1/2πfSC1R1负载谐振电阻RL=R1(1+C0/CL)2

2007/037*第7页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

二、重要公式本征（固有）频率fS=(c66/ρ)1/2n/2t动态电容：C1=fsSe/3.6πn3=kSe/tn2动态电感：L=1.8n3/fS3Se能陷公式Δ1/2nΦe/t<2.4

其中：Δ=（fs-fe）/fe2007/038*第8页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

三、重要参数主要参数

fsfafL

R1C1L1C0Q

寄生老化2007/039*第9页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

三、重要参数关键参数

R1C1寄生老化原因—使用者关心程度1、可调性—C12、起振性和功耗--R13、精确性—Q值（R1

和C1）4、长期准确性--老化5、稳定性—寄生6、选择性--寄生2007/0310*第10页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

四、影响重要参数因数1、

晶体谐振电阻—电导率泛音次数电极面积晶片边比（频率高低）材料Q值工艺研磨质量边缘质量膜层厚度微调孔大小微调对称否洁净度（污染)点胶

2007/0311*第11页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

四、影响重要参数因数2、动态电容泛音次数电极面积晶片边比（频率高低）材料Q值工艺研磨平整度应力微调量（膜层厚度）大小微调对称否2007/0312*第12页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

四、影响重要参数因数3、寄生

2007/0313*第13页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

四、影响重要参数因数4、老化2007/0314*第14页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

三、重要参数解释5、

负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，称负载电容当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：

DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：

DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。

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三、重要参数解释频率牵引量与负载电容的关系(基频）2007/0316*第16页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

三、重要参数解释3、

温度频差切角材料应力

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三、重要参数解释2007/0318*第18页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

一、基本工作原理能陷理论

输入谐振器随所加信号电压而产生厚度切变振动，晶片因受电极质量负荷的影响，电极区的谐振频率比非电极区的低，使弹性波在两区边界发生反射,从而使绝大部分能量陷落在电极区内，2007/0319*第19页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

四、晶体谐振器使用典型并联谐振电路2007/0320*第20页，课件共22页，创作于2023年2月晶体谐振器技术讲座

四、晶体谐振器使用抑制基频下的并联谐振电路2007/0321*第21页，课件共22页，创作于2023年2月