晶体三极管-输出特性曲线课件

电子线路晶体三极管的输出特性曲线电子线路晶体三极管的输出特性曲线1教学设计2.新知引入1.复习回顾3.讲授新知

4.拓展新知教学设计2.新知引入1.复习回顾3.讲授新知4.拓展新2复习回顾

当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7V，锗管约为0.3V。PNNNPPVBE与IB成非线性关系A输入特性曲线复习回顾当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约3新知引入在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点。B新知引入在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三4讲授新知三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系，可用三极管的输出特性曲线表示。GCGBRPRVCERCICIBVVuAmA以共射电路为例：C讲授新知三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相5vCE/v00.30.513510IB=0uA000.10.10.150.20.3IB=40uA00.430.520.530.530.530.53IB=80uA02.12.32.42.42.42.4IB=120uA04.14.34.44.44.44.4

IC/mA

输出特性曲线族图IB一定，VCE和IC对应的数据：vCE/v00.30.513510IB=0uA061．截止区IB=0，三极管处于截止状态。电流特点：IB=0，IC=ICEO≠0，ICEO为穿透电流。偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。

截止状态以NPN管为例：PNNVBE≤0,VBC

＜0,VCE＞VBEICEOVBEVBCVCE1．截止区 截止状态以NPN管为例：PNNVBE≤0,VBC72．饱和区VCE=VCES，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V，锗管约为0.1V

，三极管处于饱和状态。电流特点：

IC不随IB的增大而线性增大。偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。饱和状态VBE＞

0,VBC

＞0,VCE

＜

VBE以NPN管为例：PNNVBEVBCVCE2．饱和区饱和状态VBE＞0,VBC＞0,VCE＜83．放大区放大状态电流特点：IC受IB控制而变化，ΔIC=βΔIB，具有电流放大作用。恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC恒定。偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。以NPN管为例：VBE＞

0,VBC

＜0,VCE＞VBEPNNVBEVBCVCE3．放大区放大状态电流特点：IC受IB控制而变化，ΔIC=β9

总结：三极管工作状态由偏置情况决定截止状态放大状态饱和状态

偏置条件发射结反偏或零偏

集电结反偏发射结正偏集电结反偏发射结正偏集电结正偏电位电压（NPN）

VB≤VE

即：VBE≤0VBC＜0，VBE＜VCE

VC＞VB＞VE即：VBE＞0，VBC＜0，VBE＜VCEVB＞VE，VB＞Vc即：VBE＞0，

VBC＞0，VBE＞VCE电位电压（PNP）

VB≥VE

即：VBE≥0VBC＞0,VBE＞VCE

VC＜VB＜VE

即：VBE＜0，VBC＞0，VBE＞VCEVB＜VE，VB＜VC即：VBE＜0，

VBC＜0,

VBE＜VCEPNNVBVEVCVBEVCE﹢﹢﹣﹣VBVEVCVBEVCE﹢﹢﹣﹣NPP

总结：三极管工作状态由偏置情况决定截止状态放大状态饱和状10C拓展新知：1．判别三极管的工作状态，NPN为硅管，PNP为锗管。NPP-0.3V-0.1V0VPP0.3VN-12V0VNPP-2V-7V-1.6V6V2V1.3VPNN4.5V4V4.8VPNN5V0V0.7VNNP截止放大饱和截止放大饱和C拓展新知：1．判别三极管的工作状态，NPN为硅管，PNP112.

工作人员在检修某放大电路时，在无图纸又无管子型号标志的情况下，他利用测电位的办法，在图中测出“1”端对地为-6.2V，“2”端对地为-6V，“3”端对地为-9V,从而定出了管脚所属的电极和管子的类型（PNP或NPN）,你能说出其中的道理吗？PNP锗管，“1”为B，“2”为E，“3”为C2.工作人员在检修某放大电路时，在无图纸又无管子型号标志的12想一想：1.在截止状态下，IB能控制IC吗？三极管CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E断开吗?2.在饱和状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E怎么样?