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文档简介

有机化合物的结构表征

【本章重点】

红外光谱、核磁共振谱。

【必须掌握的内容】

1.红外光谱、核磁共振谱的基本原理。

2.红外光谱、核磁共振谱谱图的解析方法。

前言:

有机化合物的结构表征(即测定)——从分子水平认识物质的基本手段,是有机化学的重要组成部分。过有机化合物的结构表征【本章重点】红1去,主要依靠化学方法进行有机化合物的结构测定,其缺点是:费时、费力、费钱,试剂的消耗量大。例如:鸦片中吗啡碱结构的测定,从1805年开始研究,直至1952年才完全阐明,历时147年。

而现在的结构测定,则采用现代仪器分析法,其优点是:省时、省力、省钱、快速、准确,试剂耗量是微去,主要依靠化学方法进行有机化合物的结构测定,其2克级的,甚至更少。它不仅可以研究分子的结构,而且还能探索到分子间各种集聚态的结构构型和构象的状况,对人类所面临的生命科学、材料科学的发展,是极其重要的。

对有机化合物的研究,应用最为广泛的是:紫外光谱(ultraviolerspectroscopy缩写为UV)、红外光谱(infraredspectroscopy缩写为IR)、核磁共振谱(nuclearmagneticresonance缩写为NMR)和质谱(massspectroscopy缩写为MS).§3-1有机化合物的结构与吸收光谱克级的,甚至更少。它不仅可以研究分子的结构,而且3

光是一种电磁波,具有波粒二相性。

波动性:可用波长(λ)、频率(ν)和波数(σ)来描述。

按量子力学,其关系为:微粒性:可用光量子的能量来描述:

光是一种电磁波,具有波粒二相性。4该式表明:分子吸收电磁波,从低能级跃迁到高能级,其吸收光的频率与吸收能量的关系。

由此可见,λ与E,ν成反比,即λ↓,ν↑(每秒的振动次数↑),E↑。

在分子光谱中,根据电磁波的波长(λ)划分为几个不同的区域,如下图所示:该式表明:分子吸收电磁波,从低能级跃迁到高能5分子的总能量由以下几种能量组成:分子的总能量由以下几种能量组成:6§3-2红外光谱一、红外光谱的表示方法

一般指中红外(振动能级跃迁)。

§3-2红外光谱一、红外光谱的表示方法一般指中红7

横坐标:波数(σ)400~4000cm-1;表示吸收峰的位置。

纵坐标:透过率(T%),表示吸收强度。T↓,表明吸收的越好,故曲线低谷表示是一个好的吸收带。

I:表示透过光的强度;

I0:表示入射光的强度。

横坐标:波数(σ)400~4000cm-18一1

二、分子振动与红外光谱

1.分子的振动方式

(1)伸缩振动:

一1二、分子振动与红外光谱1.分子的振动9(2)弯曲振动:

值得注意的是:不是所有的振动都能引起红外吸收,只有偶极矩(μ)发生变化的,才能有红外吸收。

H2、O2、N2

电荷分布均匀,振动不能引起红外吸收。

H―C≡C―H、R―C≡C―R,其C≡C(三键)振动也不能引起红外吸收。

(2)弯曲振动:值得注意的是:不是所有的振102.振动方程式(Hooke定律)

式中:k—化学键的力常数,单位为N.cm-1μ—折合质量,单位为g力常数k:与键长、键能有关:键能↑(大),键长↓(短),k↑。

化学键键长(nm)键能(Kj.mol-1)力常数k(N.cm-1)波数范围(cm-1)C―C0.154347.34.5700~1200C=C0.134610.99.61620~1680C≡C0.116836.815.62100~2600一些常见化学键的力常数如下表所示:2.振动方程式(Hooke定律)11

折合质量μ:两振动原子只要有一个的质量↓,μ↓,σ(ν)↑,红外吸收信号将出现在高波数区。

3.分子的振动能级跃迁和红外吸收峰位分子的振动是量子化的,其能级为:

式中:v—

为振动量子数(0,1,2,…);ν振为化学键的振动频率。

折合质量μ:两振动原子只要有一个的质量↓,μ↓,12分子由基态v=0跃迁到激发态v=1时,吸收光的能量为:

分子振动频率习惯以σ(波数)表示:由此可见:σ(ν)∝k,σ(ν)与μ成反比。

吸收峰的峰位:化学键的力常数k越大,原子的折合质量越小,振动频率越大,吸收峰将出现在高波数区(短分子由基态v=0跃迁到激发态v=1时,吸13波长区);反之,出现在低波数区(高波长区)。

结论:

产生红外光谱的必要条件是:

1.红外辐射光的频率与分子振动的频率相当,才能满足分子振动能级跃迁所需的能量,而产生吸收光谱。

2.振动过程中必须是能引起分子偶极矩的分子才能产生红外吸收光谱。

三、有机化合物基团的特征频率

总结大量红外光谱资料后,发现具有同一类型化学键或官能团的不同化合物,其红外吸收频率总是出现在波长区);反之,出现在低波数区(高波长区)。结论:14一定的波数范围内,我们把这种能代表某基团,并有较高强度的吸收峰,称为该基团的特征吸收峰(又称官能团吸收峰)。

1.特征频率区:

在1600~3700cm-1区域(称为:高频区)出现的吸收峰,较为稀疏,容易辨认,主要有:

(1)Y-H伸缩振动区:

2500~3700cm-1,Y

=O、N、C。

(2)Y≡Z三键和累积双键伸缩振动区:

2100~2400cm-1,主要是:C≡C、C≡N三键和C=C=C、C=N=O等累积双键的伸缩振动吸收峰。

一定的波数范围内,我们把这种能代表某基团,并有较15(3)Y=Z双键伸缩振动区:1600~1800cm-1,主要是:C=O、C=N、C=C等双键。

2.指纹区:

<1600cm-1的低频区,主要是:C-C、C-N、C-O等单键和各种弯曲振动的吸收峰,其特点是谱带密集、难以辨认。

3.倍频区:

>3700cm-1的区域,出现的吸收峰表示基团的基本频率,而是一些基团的倍频率,其数值略低于基本频率的倍数。

(3)Y=Z双键伸缩振动区:16016四、红外谱图解析

红外谱图解析的基本步骤是:

鉴定已知化合物:

1.观察特征频率区:判断官能团,以确定所属化合物的类型。

2.观察指纹区:进一步确定基团的结合方式。

3.对照标准谱图验证。

测定未知化合物:

1.准备性工作:

了解试样的来源、纯度、熔点、沸点等;

四、红外谱图解析红外谱图解析的基本步骤是:17经元素分析确定实验式;

有条件时可有MS谱测定相对分子量,确定分子式;

根据分子式计算不饱和度,其经验公式为:

Ω=1+n4+1/2(n3–n1)

式中:Ω—代表不饱和度;n1、n3、n4分别代表分子中一价、三价和四价原子的数目。

双键和饱和环状结构的Ω为1、三键为2、苯环为4。

2.按鉴定已知化合物的程序解析谱图。

谱图解析示例:

经元素分析确定实验式;有条件时可有MS谱测18

1.烷烃:

1.2853~2962cm-1

C—H

伸缩振动;

2.1460cm-1、1380cm-1

C—H(—CH3、—CH2)面内弯曲振动;

3.723cm-1

C—H[—(CH2)n—,n≥4]平面摇摆振动;若n<4吸收峰将出现在734~743cm-1处。

1.烷烃:1.2853~2962cm-119

2.烯烃

1.3030cm-1

=C—H伸缩振动;2.C—H

伸缩振动;

3.1625cm-1

C=C伸缩振动;4.C—H(—CH3、—CH2)面内弯曲振动;

2.烯烃1.3030cm-1=20有机化合物的波谱分析课件21二者的明显差异:

1.C=C双键的伸缩振动吸收峰:顺式—1650cm-1。

反式—与CH3、CH2的弯曲振动接近。

2.=C-H的平面弯曲振动吸收峰位置:

顺式—700cm-1;

反式—965cm-1。3.醇

二者的明显差异:1.C=C双键的伸缩振动吸22三者的异同点:

1.缔合O—H的伸缩振动吸收峰:均出现在3350cm-1处左右,差距不大。

2.C—O键的伸缩振动吸收峰有明显的差异:

伯醇:1050~1085cm-1;

仲醇:1100~1125cm-1;

叔醇:1150~1120cm-1。

三者的异同点:1.缔合O—H的伸缩振动吸收234.醛与酮

4.醛与酮24二者的异同点:

1.在1700cm-1处均有一个强而尖的吸收峰,为C=O(羰基)的特征吸收峰。

C=O(羰基)吸收峰的位置与其邻近基团有关,若羰基与双键共轭,吸收峰将向低波数区位移。

2.醛基在2715cm-1处有一个强度中等的尖峰,这是鉴别分子中是否存在—

CHO的特征基团。

5.羧酸及其衍生物

二者的异同点:1.在1700cm-1处均有25

1.O—H伸缩振动吸收峰:二聚体3000~2500cm-1;

2.C—H伸缩振动吸收峰:

3.C=O伸缩振动吸收峰:1725~1700cm-1(脂肪族羧酸),1700~1680cm-1

(芳香族羧酸)。

1.O—H伸缩振动吸收峰:二聚体3000~261.C=O伸缩振动:在1850~1780cm-1、1790~1740cm-1两处同时出现。

2.

C—O—C伸缩振动:1300~1050cm-1(强吸收)。

1.C=O伸缩振动:在1850~178027§3-3核磁共振谱一、基本原理

1.原子核的自旋核象电子一样,也有自旋现象,从而有自旋角动量。

核的自旋角动量(ρ)是量子化的,不能任意取值,可用自旋量子数(I)来描述。

§3-3核磁共振谱一、基本原理1.原子核的自28I=0、1/2、1……

I=0,

ρ=0,无自旋,不能产生自旋角动量,不会产生共振信号。

∴只有当I

>O时,才能发生共振吸收,产生共振信号。

I的取值可用下面关系判断:

质量数(A)

原子序数(Z)

自旋量子数(I)

奇数奇数或偶数

半整数n+1/2。n=0,1,2,…

奇数

整数

偶数

偶数0I=0、1/2、1……I=0,ρ=29例如:

2.自旋核在外加磁场中的取向

取向数=2I+1

(在没有外电场时,自旋核的取向是任意的)。

例如:2.自旋核在外加磁场中的取向303.磁共振的产生

磁性核的自旋取向表明

在外场中的取向。

它的某个特定能级状态(用磁量子数ms表示)。取值为–I

…0…+I。

即:每一个取向都代表一个能级状态,有一个ms

。如:1H核:∵I=1/2∴ms为

-1/2和+1/23.磁共振的产生磁性核的自旋取向表明31

结论:

(1)ΔE∝H0;

(2)

1H受到一定频率(ν)的电磁辐射,且提供的能量=ΔE,则发生共振吸收,产生共振信号。

二、化学位移结论:(1)ΔE∝H0;321.化学位移的由来——屏蔽效应

化学位移是由核外电子的屏蔽效应引起的。

若质子的共振磁场强度只与γ(磁旋比)、电磁波照射频率H0有关,那么,试样中符合共振条件的1H都发生共振,就只产生一个单峰,这对测定化合物的结构是毫无意义的。

实验证明:在相同的频率照射下,化学环境不同的质子将在不同的磁场强度处出现吸收峰。

H核在分子中不是完全裸1.化学位移的由来——屏蔽效应33露的,而是被价电子所包围的。因此,在外加磁场作用下,由于核外电子在垂直于外加磁场的平面绕核旋转,从而产生与外加磁场方向相反的感生磁场H'。这样,H核的实际感受到的磁场强度为:

式中:σ为屏蔽常数

核外电子对H核产生的这种作用,称为屏蔽效应(又称抗磁屏蔽效应)。

显然,核外电子云密度越大,屏蔽效应越强,要发生共振吸收就势必增加外加磁场强度,共振信号将移向露的,而是被价电子所包围的。因此,在外加磁场作用34高场区;反之,共振信号将移向低场区。因此,H核磁共振的条件是:2.化学位移的表示方法不同化学环境的H核,受到不同程度的屏蔽效应的影响,因而吸收峰出现在核磁共振谱的不同位置上,吸收峰这种位置上的差异称为化学位移。

高场区;反之,共振信号将移向低场区。因此,H核磁共振的条件是35为什么选用TMS(四甲基硅烷)作为标准物质?(1)屏蔽效应↑,共振信号在高场区(δ值规定为0),绝大多数吸收峰均出现在它的左边。

(2)结构对称,是一个单峰。

(3)容易回收(b.p低),与样品不缔合。

三、影响化学位移的因素凡影响电子云密度的因素都将影响化学位移。其中为什么选用TMS(四甲基硅烷)作为标准物质?36影响最大的是:诱导效应和各向异性效应。

(1)电负性的影响:

元素的电负性↑,通过诱导效应,使H核的核外电子云密度↓,屏蔽效应↓,共振信号→低场。例如:

影响最大的是:诱导效应和各向异性效应。(1)电负性37(2)磁各向异性效应:

A.双键碳上的质子

烯烃双键碳上的H质子位于π键环流电子产生的感生磁场与外加磁场方向一致的区域(称为去屏蔽区),去屏蔽效应的结果,使烯烃双键碳上的H质子的共振信号移(2)磁各向异性效应:A.双键碳上38向稍低的磁场区,其δ=4.5~5.7。

同理,羰基碳上的H质子与烯烃双键碳上的H质子相似,也是处于去屏蔽区,存在去屏蔽效应,但因氧原子电负性的影响较大,所以,羰基碳上的H质子的共振信号出现在更低的磁场区,其δ=9.4~10。

向稍低的磁场区,其δ=4.5~5.7。同理,羰基39B.三键碳上的质子:

碳碳三键是直线构型,π电子云围绕碳碳σ键呈筒型分布,形成环电流,它所产生的感生磁场与外加磁场方向相反,故三键上的H质子处于屏蔽区,屏蔽效应较强,使三键上H质子的共振信号移向较高的磁场区,其δ=2~3。

B.三键碳上的质子:碳碳三键是直线40

练习:

苯环上H质子的共振信号应出现在高场区还是低场区?为什么?

小结:

练习:苯环上H质子的共振信号应出现在高场区41四、决定质子数目的方法吸收峰的峰面积,可用自动积分仪对峰面积进行自动积分,画出一个阶梯式的积分曲线。

峰面积的大小与质子数目成正比。

峰面积高度之比=质子个数之比。

五、共振吸收峰(信号)的数目四、决定质子数目的方法吸收峰的峰面积,可用自动积分仪42

一个化合物究竟有几组吸收峰,取决于分子中H核的化学环境。

有几种不同类型的H核,就有几组吸收峰。

例如:

低分辨率谱图

六、自旋偶合与自旋裂分在高分辨率核磁共振谱仪测定CH3CH2―I或CH3CH2OH时CH3―和―CH2―的共振吸收峰都不是单峰,一个化合物究竟有几组吸收峰,取决于分子中H核43而是多重峰。

产生的原因:

相邻的磁不等性H核自旋相互作用(即干扰)的结果。这种原子核之间的相互作用,叫做自旋偶合。由自旋偶合引起的谱线增多的现象,叫做自旋裂分。

偶合表示核的相互作用,裂分表示谱线增多的现象。现以CH3CH2―I为例,讨论自旋偶合与自旋裂分作用:

而是多重峰。产生的原因:相邻的磁不等间44首先,分析―CH3上的氢(以Ha表示):

它的邻近―CH2―上有两个H核(以Hb表示),Hb对Ha的影响可表示如下:

H核的自旋量子数I=1/2,在磁场中可以有两种取向,即:

+1/2(以↑表示)和-1/2(以↓表示)

这样,Hb的自旋取向的排布方式就有以下几种情况:首先,分析―CH3上的氢(以Ha表示):它45

同理,也可画出Ha对Hb的影响。同理,也可画出Ha对Hb的影响。46由此可见,裂分峰的数目有如下规律:

峰的数目=n+1n:为相邻H核的数目由此可见,裂分峰的数目有如下规律:47七、偶合常数每组吸收峰内各峰之间的距离,称为偶合常数,以Jab表示。下标ab表示相互偶合的磁不等性H核的种类。

偶合常数的单位

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