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芯片互连及引线键合技术集成电路封装与测试目录/Contents010203芯片互连技术概述芯片互连常见的方法引线键合技术芯片互连技术芯片互连技术概述

芯片互连（连线技术）是指将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属布线焊区相连接，实现芯片功能的制造技术。芯片互连芯片焊区I/O引线半导体失效约有1/4-1/3是由芯片互连所引起，因此芯片互连对器件可靠性意义重大！！！热固性环氧树脂(EMC)金线(WIRE)

L/F外引脚(OUTERLEAD)L/F内引脚(INNERLEAD)芯片(CHIP)芯片托盘(DIEPAD)IC封装成品构造图芯片互连技术概述芯片互连常见方法引线键合（又称打线键合）技术（WB）载带自动键合技术（TAB）倒装芯片键合技术（FCB）常见方法

这三种连接技术对于不同的封装形式和集成电路芯片集成度的限制各有不同的应用范围。其中，FCB又称为C4—可控塌陷芯片互连技术。打线键合适用引脚数为3-257；载带自动键合的适用引脚数为12-600；倒装芯片键合适用的引脚数为6-16000。可见C4适合于高密度组装。引线键合技术引线键合技术引线键合工程是引线架上的芯片与引线架之间用金线连接的工程。为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在芯片的接触电极与引线架的引脚之间，一个一个对应地用键合线连接起来，这个过程称为引线键合。也称为打线键合。引线键合是封装工艺最为关键的一部分，它利用高纯度的金线、铜线或铝线把框架引线与芯片电极通过焊接方法连接起来。引线键合示意图9将晶粒上的接点以极细的金线(18~50μm)连接到引线架上的内引脚，从而将集成电路晶粒的电路信号传输到外界。引线键合的目的特点：适用于几乎所有的半导体集成电路元件，操作方便，封装密度高，但引线长，测试性差。热压键合(ThermocompressionBonding,T/CBonding)热超声波键合（ThermosonicBonding,T/SBonding）超声波键合(UltrasonicBonding,U/SBonding)引线键合技术引线芯片布线板布线端子引线键合技术引线键合键合接点形状主要有楔形和球形，键合接点有两个，两键合接点形状可以相同或不同。引线键合技术球形键合楔形键合引线键合工艺参数键合温度WB工艺对温度有较高的控制要求。过高的温度不仅会产生过多的氧化物影响键合质量，并且由于热应力应变的影响，图像监测精度和器件的可靠性也随之下降。在实际工艺中，温控系统都会添加预热区、冷却区，提高控制的稳定性，需要安装传感器监控瞬态温度键合时间通常都在几毫秒，键合点不同，键合时间也不一样；一般来说，键合时间越长，引线球吸收的能量越多，键合点的直径就越大，界面强度增加而颈部强度降低。但是长的时间，会使键合点尺寸过大，超出焊盘边界并且导致空洞生成概率增大超声功率与键合压力超声功率对键合质量和外观影响最大，因为它对键合球的变形起主导作用。过小的功率会导致过窄、未成形的键合

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