Flyback拓扑电源辐射干扰的预测方法_第1页
Flyback拓扑电源辐射干扰的预测方法_第2页
Flyback拓扑电源辐射干扰的预测方法_第3页
Flyback拓扑电源辐射干扰的预测方法_第4页
Flyback拓扑电源辐射干扰的预测方法_第5页
已阅读5页，还剩1页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

第第页Flyback拓扑电源辐射干扰的预测方法

1.Flyb（ac）k辐射干扰背景

（开关电源）中功率开关管工作时产生的瞬变电压和瞬变（电流）是形成电磁干扰的根本源头。

对于有较长输入/输出线缆的隔离型开关电源来讲，这些电压、电流跳变会通过多种寄生和（耦合）效应流到输入/输出线缆上，使得长线缆成为开关电源30MHz-200MHz低频段远场辐射发射的主要形成因素。

Flyback开关电源主电路

2.Flyback辐射干扰预测

2.1辐射干扰预测方法

Flyback（电源）主电路还包括（电容）、（电阻）无源器件、（PCB）连线、开关有源器件等，进行高频建模。

对无源器件采用先进行100kHz到200MHz阻抗测试，然后用传统高频电路模型的进行拟合；

开关电源PCB连线的高频模型通过CSTPCBStudio软件提取其PEEC模型；

对开关电源中的（MOSFET）和（二极管）器件，采用CSTDesignStudio中相应型号的宏模型。

2.2CST中Flyback高频模型

FlybackEMI高频模型

2.3干扰源波形验证

通过对比辐射干扰源头MOSFET、二极管的电压/电流（仿真）波形与实测波形的契合度,来验证模型的准确度。

2.3.1MOSFET的Vds电压波形验证

MOSFET的Vds的仿真与实测波形

MOSFET的Vds的关断尖峰局部放大的仿真与实测波形

2.3.2二极管Vd电压波形验证

二极管Vd的仿真与实测波形

二极管Vd的开通尖峰局部方法的仿真与实测波形

2.4辐射干扰预测和验证

2.4.13m法下的辐射电场强度仿真

3m法下的仿真辐射场强

2.4.23m法下的辐射场强实测

3m法下的实测辐射场强

2.4.3分析与总结

（1）将电路模型仿真得到MOSFET、（DIODE）电压时域波形作为激励，由CST软件MS模块进行全波仿真，可对Flyback辐射干扰进行预测。

（2）在仿真中将地平面设为理想地平面，即得出3m远处30MHz-200MHz频段的辐射电场强度。

（3）仿真结果和实测结果存在一定的偏差，但在峰值、幅度趋势和频点上均基本一致，从而表明所建电磁辐射发射模型能在辐射峰值、峰值频点及变化趋势上实现较准的预测。

3.思考与启示

（1）MOS管和DIODE的电压为辐射的主要干扰源；

（2）在辐射干扰分析中，在高频建模基础上，以干扰波形为激励，可以获得不错的结果；

（3）仿真预测与实际测量还是存在一定的偏差，系统越复杂，偏差越大。在实际工程应用中不要盲目追求大系统与高准确定，目前是很难实现的。要重点的定性与定量分析；

（4）理解干扰源机理，才能在分析中进行简化和重点突出，降低仿真时间与仿

人人文库> 全部分类> 图纸下载 > 毕业设计

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论