精神分裂症患者记忆障碍的现状及其病因

精神分裂症患者记忆障碍的现状及其病因

大多数综合性障碍（sch）患者有一定的记忆力损害。最近的大量研究表明，这种损害比选择性的更广泛。它与回忆系统的主要组成部分有关，越来越受研究人员和临床工作者的关注。记忆主要分瞬时记忆(immediatememory,IM),短时记忆(short-termmemory,STM)和长时记忆(long-termmemory,LTM),其中短时记忆又包括工作记忆(workingmemory,WM)及直接记忆;长时记忆包括外显记忆,即有意识的回忆或表达,有语义记忆及情节记忆两种,还包括内隐记忆,即意识不到,但通过行为表现,有程序记忆及启动效应(primingeffect)两种。对精神分裂症患者记忆障碍的研究,不仅有利于对症状的了解,也有益于对精神症状产生的原因进行探究,有益于指导临床用药。现就近年来有关研究内容作一综述。1典型精神病患者的工作记忆研究精神分裂症的记忆损害非常广泛,研究较多的是工作记忆,M.M.AL-UZRI等应用Rivermead行为记忆测验(RivermeadBehaviouralMemoryTest)研究精神分裂症患者的记忆,该测验是日常记忆测验,要求被试记住12个日常东西,满分12分,少于10分即表明有记忆损伤。结果显示患者81%有记忆损伤,而正常对照者只有28%有记忆损伤,并且提示病程持续较长患者的记忆损害会更严重。VivianMitropoulou等对44例分裂型人格障碍患者的研究表明,患者有中等认知损害,工作记忆,情节记忆及延迟回忆与正常人相比都有显著性差异,并指出工作记忆是分裂型人格障碍的核心损害。Daniel等对48例精神分裂症患者及27例健康对照者进行连续作业测验(continuousperformancetest,CPT),CPT是工作记忆机能障碍最好的评测工具之一,能观察到患者真实的行为损伤,即使在记忆存储正常情况下也可观察到这种损伤,研究得出患者的工作记忆障碍在感觉编码阶段可能是原发的。HenrySilver等研究表明精神分裂症的言语工作记忆与视觉保留(visualretention),目视定位(visualorientation),单一运动功能(simplemotorfunction),执行功能(executivefunction)都显著相关。言语工作记忆与执行功能及视觉运动控制显著相关;空间工作记忆与执行功能不相关,说明言语工作记忆与空间工作记忆有两个不同的存储器,并有不同的存储系统。Heather等对精神分裂症患者及其一级亲属进行数字广度测验,该测验正序测评的是一般注意力,倒序测评的是言语工作记忆。结果显示,精神分裂症正序,倒序测验均较差,其亲属正序测验正常,但倒序测验低于正常,表明精神分裂症患者的亲属同样存在工作记忆障碍。Bruce等研究也得出精神分裂症有言语工作记忆障碍。精神分裂症还存在言语记忆的损害,Gildas等的研究指出抑郁及大脑处理速度慢是精神分裂症患者的言语记忆性能的主要影响因素,他们作用记忆编码相位,但与记忆功能无关。Brewer等研究表明记忆缺陷是精神病患者首次发作的高危险因素,尤其在言语记忆方面,其损害尤为显著。情节记忆的损害也较常见,LuciaM等为探讨精神分裂症患者情节记忆是否由海马回连接减少引起,制造了一个硅制海马回连接模型。结果显示连接点的减少导致轻度认知障碍及严重的自由回忆障碍,并证实海马回连接点的减少可能是情节记忆障碍的基础。Aaron等的研究表明精神分裂症存在情节记忆障碍,并与编码和检索紊乱相关,但情节记忆障碍机制不明确。另外视觉记忆及听觉记忆也存在一定程度的损害,Monica等对102例精神分裂症患者,60位亲属及135位健康对照者进行Penn人脸记忆测验(PennFaceMemoryText),得出精神分裂症患者及其亲属有明显的瞬时及延迟人脸识别缺陷,患者在视觉记忆方面的损害更严重。Huguelet等对19～56岁的31例精神分裂症患者和23～56岁的健康对照者进行Rey听觉词汇学习,来检查他们的听觉词汇学习能力,该测验要求受试者5次成功地表达口头表达15个双音节单词。然后在最后5次间接回忆后的大约45分钟时段,评定延迟回忆并计算延迟百分数,发现患者听觉记忆功能不良,视觉结构执行功能降低。前瞻性记忆的损害在精神分裂症中也较常见,StevenPaul等研究前瞻性记忆(ProspectiveMemory,ProM)得出,精神分裂症患者在以事件为基础及以时间为基础的ProM测验中均表现出缺陷,另外ProM的损伤可能隐藏在日常生活活动中。DavidShum等同样对精神分裂症患者进行习惯前瞻性记忆研究,得出精神分裂症有ProM障碍。2精神分裂症储藏室的研究记忆障碍属于认知功能障碍,随着人们对认知功能的深入研究,探讨记忆障碍的病因变得越来越紧迫。2.1p00治疗冠心病合并心脏病预后事件相关电位(event-relatedpotentials,ERPs)具有高时间分辨率的优势,可以观察记忆激活脑区的动态变化过程,并在时间进程上说明参与记忆各脑区之间的相互关系,为不同执行功能成分的脑机制分析提供另一角度的有力证据。事件相关电位P300中波幅的变化被认为是大脑兴奋性的一个指标,潜伏期的变化被认为是信息加工速度的一个指标。在1997年Shajahan等对19例精神分裂症患者及28位健康对照进行P300研究得出,患者P300振幅的降低与低智商及记忆性能差相关,P300潜伏期的增加与发病前的低智商,记忆力差以及一系列事件相关,从而证明异常P300在记忆缺陷患者中更易发生。Blackwood等研究发现,左下前额皮质的脑灌注与患者言语记忆及P300振幅显著相关,前扣带回皮质与P300潜伏期显著相关。Nieman等研究同样得出精神分裂症患者的P300振幅减小,潜伏期延长;并且顶骨的P300振幅减少与更差的记忆性能相关,前额的P300振幅减少与受损的选择性注意相关。Iwanami等应用ERPs研究精神分裂症患者的颞叶皮质区,得出精神分裂症可能不存在左颞P300振幅减小,有待进一步研究。Mathalon等研究精神分裂症发病年龄及病程与ERPs的关系得出,P300振幅与发病年龄正相关,与病程负相关;P300潜伏期与精神分裂症患者年龄正相关,与病程正相关,但与发病年龄不相关。得出结论,精神分裂症病程长的患者的P300振幅减小,潜伏期延长,这与病理生理学发展进程相关,减小的P300振幅可能是精神分裂症早期开始变化的标志。2.2精神病患者脑区激活功能性磁共振成像(functionalmagneticresonanceimaging,fMRI)是90年代以来影像学的一项新发展,它是在进行神经心理测试的同时,对脑组织进行功能显像,fMRI标志着临床磁共振诊断从单一形态学研究,发展到形态与功能相结合的系统研究。应用倒数N项(N-back)测验的研究发现精神分裂症患者存在不同于正常人的额叶激活模式。Jansma等的研究显示,尽管精神分裂症患者伴随着测验负荷增加,操作成绩越来越差,但双侧前额叶背外侧皮质(dorsolateralprefrontalcortex,DLPFC)和顶叶下部皮质、前扣带皮质的激活正常增加。精神分裂症患者在3-back测验刺激下DLPFC激活减低,但其他脑区激活正常。Tan等采用N-back工作记忆任务进行研究,以2-back的准确为中等成绩分组,结果显示高分组对照在执行增加等级负荷的工作任务时,DLPFC激活不成比例地增加,但腹侧皮质激活增加,而低分组未发现此变化;病例组在执行任务时前额腹侧皮质激活不成比例增加,而DLPFC激活与其各自相同分值的对照相比无明显变化。作者由此得出精神分裂症患者可能存在前额等级组织受损,故而导致DLPFC特化与整合功能受损,前额腹侧皮质代偿活动,进而最终影响工作记忆与执行认知功能。Perlstein的一系列研究也支持精神分裂症患者存在脑区激活模式异常。其发现精神分裂症患者右侧DLPFC激活减低,其他脑区激活正常,这种情况仅在以成绩将他们与正常对照区别开时出现;DLPFC功能越差,成绩越差;DLPFC功能障碍选择性地与解体症状相关联。认为精神分裂症患者工作记忆功能障碍由DLPFC损害引起,这一损害与认知解体相关联。Perlstein等继续研究发现,双侧前额叶背外侧区、Broca区、顶叶皮质参与N-back测验和AX-CPT;工作记忆负荷增加,这些脑区激活增加;准备抑制优势反应时产生更大的、持续时间更长的激活。在工作记忆负荷大和优势反应要求高时,患者脑区激活增加幅度少,同时伴有操作成绩差。作者认为:精神分裂症患者存在前额皮质介导的工作记忆和抑制优势反应准备的缺陷。应用威斯康星卡片分类测验(WCST)的fMRI研究发现,精神分裂症患者的右侧额叶激活减低,患者表现出与正常人不同的激活模式。Volz等发现正常人主要激活右侧额叶皮层,而13例处于稳定期的慢性精神分裂症患者的右前额叶皮质未见激活,但左颞叶激活有增加趋势。Stevenens等用词汇工作记忆及语调工作记忆测试,发现两种测试均激活正常人和患者的额叶、颞叶及顶叶,并且在词汇系列测试中,正常人的左额下回表现明显的激活。患者却有不同的激活表现,即在词汇系列测试中,左额下回的激活较低;在语调系列测试中,不仅左侧下回的激活较低,并延伸到其内侧区域;运动前区及颞叶前部在两种测试中激活均较低。Barch等发现精神分裂症患者在执行语词性和词语性工作记忆任务时与对照相比,表现出双侧前额背侧核与顶叶的激活低下,但与非语词性任务相比,在执行词语性任务时,前额腹侧核与顶叶激活相对增加。3wms-rc,明确了记忆的内涵、功能和意义当今国内外应用的记忆测验有韦氏记忆量表(WMS)及中国修订版,临床记忆量表(CMS)等。韦氏记忆量表(WechslerMemoryScale,WMS)是由D.Wechsler(1945)编写的甲式,C.P.Stone(1946)编写的乙式。各含7个分测验:个人经历、数字顺序关系、逻辑(理解)记忆、顺背和倒背数字、视觉再生和联想学习等。将分测验原始分数相加,按年龄计算“加权分”,然后计算出记忆商数(MemoryQuotient,MQ)。此量表在临床上应用甚广,随后又修改进化出第二版(WMS-II)、第三版(WMS-III,1997)及修订版(WMS-R)。龚耀先等(1980)修订了美国版韦氏记忆量表,增改了测验内容,改变了计分系统,也分为甲乙平行本。内容包括:①长时记忆,即个人经历、时间空间(定向)、数字顺序关系;②短时记忆,即视觉再认、图片回忆、视觉再生、联想学习、触摸测验、理解记忆;③瞬时记忆,即顺背和倒背数字。中国韦氏记忆测验修订版(WMS-RC,1987):由台湾在1945年开发的7个分测验的基础上修订而成,增加了6个分测验,包括经历、定向、心智、图形记忆、理解记忆I和II、对称绘图I和II、听觉词对联想学习I和II、视觉再生I和II、数字广度和视觉记忆广度(I为即刻记忆,II为延迟记忆)。理解记忆的故事也作了更新。取消了单一的记忆商指标,通过因素分析,获得了5个合成标准指数:一般性记忆指数、注意集中指数、言语记忆指数、视觉记忆指数和延迟记忆指数。尽管它比原版本更能反映各种不同的记忆成分,但依然是不全面的,自传体记忆、线索记忆、再认记忆以及内隐记忆(启动效应、动作技能学习等)没有得到应有的评价。临床记忆量表(ClinicalMemoryScale,CMS)是我国自行设计、编制的第一个记忆量表,适合国情,具有自己的特色。1984年由中国科学院心理研究所许淑莲、吴振云等设计编制,建立了常模,经过标准化。包括联想学习、指向记忆、无意义图形再认、图像自由回忆、人像特点联系回忆等分测验,分甲乙平行两套,计分方法同修订的WMS。众所周知精神分裂症患者存在记忆损伤,WMS能很好的反映出这个损伤。Warrick等对98例可能发展为精神分裂症的患者(其中有34例最终发展为精神分裂症)及37位健康对照进行WMS-R(WechslerMemoryScale-Revised)测验,发现最终发展为精神分裂症的患者的视觉再现及言语记忆与健康对照相比,有显著性差异,表明精神分裂症患者有记忆障碍。其他研究WMS和WMS-R的结果也指出,精神分裂症患者在逻辑记忆、言语配对联想和视觉再现等分测验上的表现,均存在缺陷和降低情况。Keith等对精神分裂症、阿尔茨海默氏病、柯萨柯夫综合症及外伤性脑损伤(TBI)患者进行WAIS-III及WMS-III测验,得出精神分裂症患者在新事物学习中表现出缺陷,但他们的记忆能力并不显著低于他们的总智商,即注意力、执行功能等能力,且并不近似于阿尔茨海默氏病患者和柯萨科夫综合症患者表现出的记忆损害。Qnitsuka等对21例精神分裂症患者及28位健康对照者进行WMS-III及fMRI,结果得出患者WMS-III瞬时及延迟面孔记忆子测验原始分明显低于对照组,fMRI显示患者的梭状回灰质容积