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WordN沟道MOS管和P沟道MOS管的区别金属氧化物（半导体）场效应(MOS)（晶体管）可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

由p型衬底和两个高浓度N扩散区构成的MOS管叫作N沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度N扩散区间形成N型导电沟道。N沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于（阈值电压）时才有导电沟道产生的N沟道MOS管。N沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的N沟道MOS管。

改变栅压可以改变沟道中的（电子）密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

N沟道MOS管

N沟道MOS管称为NMOS，用以下符号表示。

N沟道MOS管符号图

根据MOS管的内部结构，在耗尽型MOS管中，栅极(G)、漏极(D)和源极(S)引脚是物理连接的，而在增强模式下它们是物理分离的，这就是为什么增强模式MOS管的符号出现损坏。

P沟道MOS管

P沟道MOS管称为PMOS，用以下符号表示。

P沟道MOS管电路符号图

在可用类型中，N沟道增强型MOS管是最常用的MOS管。

N沟道MOS管和P沟道MOS管之间的主要区别

N沟道MOS管和P沟道MOS管之间的主要区别在于，在N沟道中，MOS管开关将保持打开状态，直到提供栅极电压。当栅极引脚接收到电压时，开关(漏极和源极之间)将关闭，在P沟道MOS管中，开关将保持关闭，直到提供栅极电压。

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