版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领
文档简介
AP30H150KAN-ChannelEnhancementMosfetFeature• 30V,150As。)mGs=os)mGsAdvancedTrenchTechnologyLeadfreeproductisacqui「edLowGateChargeExcellentCdv/dte忏ectdeclineApplicati。nPWMappli臼tionsLoadSwitchPowermanagementPackageMarkingdOrderinglnformatin
剑”。1WERDATASHEETSchematicDiagramDI\30H150KAG sMarkingandpinassignmentMarkingDevice IDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)30H150KAAP30H150KAI13inch2500ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(Ta=25℃unlessotherwisenoted}ParameterSymb。lValueUnitDrain-SourceVoltagevGate-SourceVoltageVGsvContinuousDrainCurrent(Ta=25loAContinuousDrainCurrent(Ta=100℃）loAPulsedDrainCurrenr<1>loMASingelPulsedAvalancheEnergy<2lDissipationEAsPo109mJwThermalResistance.JunctiontoCaseJunctionTemperatureReJcTJ℃NJ。CStorageTemperatureTsrn-55～＋150深圳市骊微电子科技有限公司 铨力半导体代理商AP30H1SOKA 剑”。1WERhannelEnhancementMosfet DATASHEETMOSFETELECTRICALCHARACTERISTICS(T.=25℃unlessotherwisea’”r l tstaticCharactarlsUca
n e 缸 UnitDrai咽U『回breakdownV(BR)DSS""OV,leee250µA30．．vgatevol回gecur『酬tlossVosVGs"'ov．．1.0µAlea阳gecurrentIGssVGS＝士20V,Vos=OV．．nAGateth陪sholdvoltage3>VG剖th)s，o250µA1.01.62.5vDrai毛oeonistanc<>�叫田｝Vos=10V,lo=30A=4.5V,lo．．2.44.236mQDynamiccharac饱risticsnte OutputCapaci国nee 马蛐 VosfReveeTransferCapaci恒n四 Cr.Tu圈Tu圈nde阳y句n)．26．Tum-onrisetimeI,o15V,c=．24．
． 3500 ．． 500 ． pF． ．Tum-odelaytime icic，而 VG10V,R3.30
ns． 91 ．Tum-o仔falltime 岛To饱lGateCharge QgGate-SourceCha咱e Gate-DrainCharge 句d。necharactariati臼
VDS=15V,10=30人
． ．． ．． 9 ． ． ．DiodeForward陶醉。｝ 因 GS=OV,ls=1ADiodeForwardIsrtes:RepetitiveRating:limit创bymaximumjunctiontemperatu陪EASCondition:TJ=25℃，Vco叫5V,RG=250,L=0.5mH,IAS=30Ae:，ycycle!i:2%4.Su「faceMountedn4Boa时，恒10s民
． ． v． ． 1出 A深圳市骊微电子科技有限公司 铨力半导体代理商AP30H1SOKA 剑”。1WERN-ChannelEnhancementMosfetTestCircuit
DATASHEET_J_一
Vos
Q伊ChargeFlgure1:G副eCha咱e&WavefonnVos0%--I 1%－干’；＋一－1,,,.一一一＋l'Figure2:ResistivegtCircuit& ') )l《SV囚1vjl_TT斗t＂←3:UnclampedInductiveSwl时，IngTestCircuit&W町，fonns深圳市骊微电子科技有限公司 铨力半导体代理商AP30H1SOKAN-ChannelEnhancementMosfetFigure1:OutputCharacteristicsID(A)08060咽
剑”。1WERSHEET－·，Figure2:Typi四lTransferCharacte「isti－·，jj℃／s℃／在今｝80VGs=2.5V。 1.0 3.0 4.0Figure3:0n－陪sis幅neevs.DrainCurrent
5.0
。 1 2 3 4 5 6Figure4:BodyCharac恒risti臼SRDS(ON)(mC) VGS=4.5V43100
ls(A) ----- LJ---,------"／ ／／／ ／ ;2s℃2 VGs=10VID(A)0 20 40 田 回Figura5:GateCha『ac幅risticsV臼(V)VDS-15VVDS-15VID=30A／／／／Qg(nC)8
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 e6:n四Cha『cteristicsC(pF)」10000主二二6 ’1比4100
C画·一一”
「－－－－－－ 「「－－－－－ =r= 2 「一一一一一一一 「00 8 才6 24
32
10 l l0 5
VDS(V) 」却 深圳市骊微电子科技有限公司 铨力半导体代理商AP30H1SOKAN-ChannelEnhancementMosfet
剑”。1WERSHEETFigura7:dBeakdownVol国gevs.JunctionTemperatu陪VBR(DSS】’2
2.52.0
Figura:Normalizednn四vs.JunctionTemperature1.10.9
.,/"'
」／／／
1.5’.o
」／／
，，，
，／／／／。TH℃｝。
200
0.5
可（℃｝-50 。出 1出 -50 。’00
Figura9:MaximumO阴阳tingAreaIDC，。’，一－一-[,,.< 、＼、 卡、 飞、’，t飞 飞咱口-墅、、
Figure协：MaximumContinuousDrainCurrentvs.Case＼＼＼＼＼＼!"'-.Tc℃｝＼150
IImIre：卫
" 、＼｜｜｜｜ V因·＂
四100、 60nu捕nu捕。Sinale阳｜Figure.Tre『1tllmpedan臼’Junction-to-Case
25 50 75 100 ’因 才7511100tσt1咛庐深圳市骊微电子科技有限公司 铨力半导体代理商AP30H1SOKAN-ChannelEnhancementMosfet
剑”。1WERSHEETT0-252PackageInformationRef.MillimetersRef.MillimetersInchesMin.Typ.A2.102.500.0830.098A20.10B0.660.860.0260.0345.48c0.60C20.440.580.017D5.906.300.232D1E6.406.800.252.268G4.474.670.1780.184H9.50’L1.091.2’0.归30.0481.351.650.0530.065V17••V2·5•o·s·82。 。0.2020.016＼0.2020.016＼0.0240.0245.30REF0.209REF＼5.30REF0.209REF＼jJJ／’c口町，ULAReelSpectification·T0-252BT�T
DimensionsRef. Mii町、，幅幅 Inches� w 15皿 16.0016.10 。
.6300.634B-B节「｜｜｜
Min. . Max. Mn. Typ. M皿．.626。 。2锦E1.筒1.751.850.0650.时l9。 。2锦F7.40剧剧，10.295.059队063回1.40才团.059队063。D11.401剧1.600.由S0.0590.α53PO a田4.000.1!剖口.157口.161。同1剧2.00
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
评论
0/150
提交评论