LM35中文资料之欧阳治创编

欧阳治创编2021.03.10欧阳治创编2021.03.10创编2021.03.10欧阳治欧阳治创编2021.03.10欧阳治创编2021.03.10创编2021.03.10欧阳治欧阳治创编2021.03.10欧阳治创编2021.03.10创编2021.03.10欧阳治欧阳治创编欧阳治创编2021.03.10 欧阳治创编2021.03.10LM35D引脚及功能介绍时间2021.03.10 创作：欧阳治来源:网络作者:未知LM35D引脚及功能介绍LM35D是把测温传感器与放大电路做在一个硅片上，形成一个集成温度传感器（见图1）OLM35D是一种输出电压与摄氏温度成正比例的温度传感器，其灵敏度为10mV/°C；工作温度范围为0°C-100°C；工作电压为4-30V；精度为±i°Co最大线性误差为土o.5°c；静态电流为80uAe该器件如塑封三极管（TO-92）o该温度传感器最大的特点是是使用时无需外围元件，也无需调试和较正（标定），只要外接一个IV的表头（如指针式或数字式的万用表），就成为一个测温仪（见图2）o温度传感器LM35LM35是由N吐iomlSemiconductor所生产的温度传感器，其输出电压

与摄氏温标呈线性关系，转换公式如式，0时输出为0V,每升高1°C,输出电压增加10mVoLM35有多种不同封装型式，外观如图所示。在常温下，LM35不需要额外的校准处理即可达到±1/4°C的准确率。其电源供应模式有单电源与正负双电源两种，其接脚如图所示，正负双电源的供电模式可提供负温度的量测；两种接法的静止电流-温度关系如图所示，在静止温度中自热效应低(0.08°C),单电源模式在25°C下静止电流约50山\,工作电压较宽，可在4—20V的供电电压范围内正常工作非常省电。PlasticPackageBOTTOMVIEWTO・92封装引脚图SmallOutlineMoldedPackage

PlasticPackageBOTTOMVIEWTO・92封装引脚图MetalCanPackage*BOTTOMVIEWPlasticPackage*MetalCanPackage*BOTTOMVIEWPlasticPackage*T()-46金属罐形封装引脚图 TO-220塑料封装引脚图单电源模式 正负双电源模式供电电压35V到-0.2V输出电压6V至-1.0V输出电流10mA指定工作温度范围LM35A-55°Cto+150°CLM35C,LM35CA-40°Cto+110cCLM35D()oCto+10()°C封装形式与型号关系TO-46金属罐形封装引脚图LM35H丄M35AH丄M35CH丄M35CAH丄M35DHTO-220塑料封装引脚图LM35DTTO-92封装引脚图LM35CZ丄M35CAZLM35DZSO-8IC式封装引脚图LM35DMElectricalCharacteristics电气特性（注1,6）

•Parameter参数Conditions条件LM35ALM35CAUn（Ma单4Typical典型TestedLimit测试极限（注4）DesignLimit设计极限（注5）Typical典型TestedLimit测试极限（注4）DesignLimit设计极限（注5）•Accuracy精度（注7）•TA=+25°C±0.2±0.5-±0.2±0.5-CTA=-10°C±0.3--±0.3-±1.0eCta=tmax±0.4±1.0-±0.4±1.0-Cta=tmin±0.4±1.0-±0.4-±1.5CNonlinearity非线性（注8）TMIN<TA<TMAX±0.18-±0.35±0.15-±0.3eCSensorGain传感器增益（AverageSlope）平均斜率TMIN<TA<TMAX+10.0+9.9,-+10.0-+9.9mV/--+10.1---+10.1LoadRegulation负载调节（注3）0<IL<lmATA=+25°C±0.4±1.0-±0.4±1.0-mV/TMIN<TA<TMAX±0.5-±3.0±0.5-±3.0mV/LineRegulation 线路调整（注3）TA=+25°C±0.01±0.05±0.01±0.05-mV/4V<VS<30V±0.02-±0.1±0.02±0.1mV/1•QuiescentCurrent静态电流（注9）•VS=+5VZ+25C56n67-5667-maVS=+5V105-13191-114maVS=+30V,+25°C56.26856.268-maVS=+30V105.513391.5-116maChangeofQuiescentCurrent变化静态电流（注3）4V<VS<30Vz+25°C0.21.0-0.21.0-ma4V<VS<30V0.5-2.00.52.0maTemperatureCoefficientofQuiescentCurrent静态电流/温度系数-+0.39-+0.5+0.39-+0.5时MinimumTemperatureforRatedAccuracy最低温度额定精度IncircuitofFigurelzIL=0+1.5-+2.0+1.5-+2.0ecLongTermStability长期稳定性TJ=TMAX,for1000hours±0.08--±0.08--ecElectricalCharacteristics电气特性（注1,6）Parameter参数LM35LM35C,LM35DTypicalParameter参数LM35LM35C,LM35DTypical典型TestedLimit测试极限（注4）DesignLimit设计极限（注5）Typical典型TestedLimit测试极限（注4）DesignLimit设计极限（注5）Uni（Me单iConditions条件Accuracy畀青度•LM35ZLM35C（注7）TA=+25°C±0.4±1.0-±0.4±1.0-TA=-10°C±0.5--±0.5-±1.5PCta=tmax±0.8±1.5-±0.8-±1.5pcta=tmin±0.8-±1.5±0.8-±2.0pcAccuracy,精度丄M35D（注7）TA=+25°C-±0.6±1.5-pcta=tmax±0.9-±2.0pcta=tmin±0.9-±2.0°CNonlinearity非线性（注8）TMIN<TA<TMAX±0.3-±0.5±0.2-±0.5°CSensorGain传'感器增益（AverageSlope）平均斜率TMIN<TA<TMAX+10.0+9.8,-+10.0-+9.8,mV/-+10.2---+10.2LoadRegulation负载调节（注3）0<IL<lmATA=+25°C±0.4±2.0-±0.4±2.0-mV/TMIN<TA<TMAX±0.5-±5.0±0.5-±5.0mV/LineRegulation'线路调整（注3）TA=+25°C±0.01±0.1-±0.01±0.1-mV/4V<VS<30V±0.02-±0.2±0.02-±0.2mV/1QuiescentCurrent静态电流（注9）•VS=+5V,+25C56801-5680-maVS=+5V105-15891-138maVS=+30Vz+25°C56.282-56.282-maVS=+30V105.5-16191.5-141maChangeofQuiescentCurrent变化静态电流（注3）4V<VS<30V,+2510.22.0-0.22.0-ma4V<VS<30V0.5-3.00.5-3.0maTemperatureCoefficientofQuiescentCurrent静态电流温度系数-+0.39-+0.7+0.39-+0.7pA/°MinimumTemperatureforRatedAccuracy最低温度额定精1度IncircuitofFigurel,IL=0+1.5-+2.0+1.5-+2.0°CLongTermStability长期稳定性TJ=TMAXZfor1000hours±0.08--±0.08--°C注1:Unlessotherwise:注d,thesespecificationsapply:—55°C +150°CfortheLM35andLM35A;-40°<TQ<+11°CCfortheLM35CandLM35CA;and()°<TJ<+100°CfortheLM35D.VS=-*-5VdcandIL()AD二5()yA,inthecircuitofFigure2.Thesespecificationsalsoapplyfrom+2°CtoTMAXinthecircuitofFigure1.Specificationsinboldfaceapplyoverthefullratedtemperaturerange・注2:ThermalresistanceoftheTO-46packageis400°C/W,junctiontoambient,and24°C/Wjunctiontocase.ThermalresistanceoftheTO-92packageisl80°C/Wjunctiontoambient.Thermalresistanceofthesmalloutlinemoldedpackageis220°C/Wjunctiontoambient.ThermalresistanceoftheTO-220packagcis90°C/Wjunctiontoambient.ForadditionalthermalresistanceinformationseetableintheApplicationssection.^3：Regulationismeasuredatconstantjunctiontemperature,usingpulsetestingwithalowdutycycle.Changesinoutputduetoheatingeffectscanbecomputedbymultiplyingtheinternaldissipationbythethermalresistance.^4:TestedLimitsareguaranteedand100%testedinproduction.注5:DesignLimitsareguaranteed(butnot100%productiontested)overtheindicatedtemperatureandsupplyvoltageranges.Theselimitsarenotusedtocalculateoutgoingqualitylevels.^6:Specificationsinboldfaceapplyoverthefullratedtemperaturerange.注7:Accuracyisdefinedastheerrorbctwuuntheoutputvoltageand1Omv/°Ctimesthedevicescasetemperature,atspecifiedconditionsofvoltage,currcnt.andtemperature(expressedin°C)•注8：Nonlinearityisdefinedasthedeviationoftheoutput-voltage-versus-temperaturecurvefromthebest-fitstraightline,overthedevicesratedtempcraturerange•注9:QuiescentcurrentisdefinedinthecircuitofFigure1•注10:AbsoluteMaximumRatingsindicatelimitsbeyondwhichdamagetothedevicemayoccur.DCandACelectricalspecificationsdonotapplywhenoperatingthcdevicebeyonditsratedoperatingconditions.Seej主1•注11:Humanbodymodel,100pFdischargedthrougha1・5kWresistor.^12:SecAN-450^SurfaceMounting欧阳治创编欧阳治创编2021.03.10 欧阳治创编2021.03.10欧阳治创编2021.03.10欧阳治创编2021.0