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文档简介

-.z.用数字万用表,表笔一端接基极,表笔另一端接集电极或发射极。

1。假设阻值无穷大,红表笔接基极为PNP管,黑表笔接基极为NPN管。

2。假设阻值小,红表笔接基极为NPN管,黑表笔接基极为PNP管。

如用万用表测试三极管

1、判别基极和管子的类型

选用欧姆档的R*100〔或R*1K〕档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极b,且管子是PNP型的;反之,假设用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,假设测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极b,且管子是NPN型的。

2、判别集电极h:MO(h$J(Z

因为三极管发射极e和集电极c正确连接时电流放大系数β大〔表针摆动幅度大〕,反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极c,用欧姆档连接,〔对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极c接红表笔〕。测量时,用手捏住基极b和假设的集电极c,两极不能接触,假设指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的,从而确定集电极c和发射极e。

3、电流放大系数β的估算lL.IW8JWr5w/j,r

用MF47等具有“β或hFE"档的万用表测量:万用表置于“hFE〞档,将三极管插入测量插座〔基极插入b孔,另两管脚随意插入〕,记下β读数。再将另两管脚对调后插入,也记下β读数。两次测量中,β读数大的那一次管脚插入是正确的。测量时需注意NPN管和PNP管应插入各自相应的插座。:h:mAa;GMs

假设万用表上没有hFE插孔,选用欧姆档的R*100〔或R*1K〕档。对NPN型管,红表笔接发射极,黑表笔接集电极,测量时,只要比拟用手捏住基极和集电极〔两极不能接触〕,和把手放开两种情况小指针摆动的大小,摆动越大,β值越高。

4、硅管、锗管的判别&N/`}5dpes%zV

硅管和锗管在特性上有很大不同,使用时应加以区别。我们知道,硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的,即硅管的正向电阻大,锗管的小。利用这一特性就可以用万用表来判别一只晶体管是硅管还是锗管。%Qg

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将万用表拨到R*100挡或R*1K挡。测量NPN型的三极管时,万用表的负端接基极,正端接集电极或发射极;测量PNP型的三极管时,万用表的正端接基极,负端接集电极或发射极。按上述方法接好后,如果万用表的表针指示在表盘的右端或靠近满刻度的位置上〔即阻值较小〕,则所测的管子是锗管;如果万用表的表针在表盘的中间或偏右一点的位置上〔即阻值较大〕,则所测的管子是硅管。6W-WI**Z!|R2P

5、高频管和低频管的判别/*l*l|8UL9}`_0e

高频管和低频管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。这里介绍如何用万用表来快速判别高频管与低频管。判别方法为:y

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首先用万用表测量三极管发射极的反向电阻,如果是测量PNP型管,万用表的负端接基极,正端接发射极;如果是测量NPN型管,万用表的正端接基极,负端接发射极。然后用万用表的R*1KΩ挡测量,此时万用表的表针指示的阻值应当很大,一般不超过满刻度值的1/10。再将万用表转换到R*10KΩ挡,如果表针指示的阻值变化很大,超过满刻度值的1/3,则此管为高频管;反之,如果万用表转换到R*10KΩ挡后,表针指示的阻值变化不大,不超过满刻度值的1/3,则所测的管子为低频管。用机械万用表,则结果与用数字万用表相反怎么用万用表测二极管、发光二极管和三极管的好坏啊问题补充:能在详细点吗????普通二极管的检测〔包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管〕是由一个PN构造成的半导体器件,具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值,可以判别出二极管的电极,还可估测出二极管是否损坏。

1.极性的判别将置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大〔为反向电阻〕,一次测量出的阻值较小〔为正向电阻〕。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。

2.单负导电性能的检测及好坏的判断通常,锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5kΩ左右,反向电阻值为∞〔无穷大〕。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊,说明二极管的单向导电特性越好。

假设测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小,则说明该二极管部已击穿短路或漏电损坏。假设测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大,则说明该二极管已开路损坏。

3.反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压〔耐压值〕可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是:测量二极管时,应将测试表的“NPN/PNP〞选择键设置为NPN状态,再将被测二极管的正极接测试表的“C〞插孔,负极插入测试表的“e〞插孔,然后按下“V〞键,测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。

也可用兆欧表和来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接,将二极管的正极与兆欧表的负极相连,同时用〔置于适宜的直流电压档〕监测二极管两端的电压。如图4-71所示,摇动兆欧表手柄〔应由慢逐渐加快〕,待二极管两端电压稳定而不再上升时,此电压值即是二极管的反向击穿电压。

1中、小功率三极管的检测

A型号和管脚排列的三极管,可按下述方法来判断其性能好坏

(a)测量极间电阻。将置于R×100或R×1K挡,按照红、黑表笔的六种不同接法进展测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比拟低,其他四种接法测得的电阻值都很高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b)三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快,ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性,所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法,可间接估计ICEO的大小,具体方法如下:

电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡,对于PNP管,黑表管接e极,红表笔接c极,对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。一般说来,中、小功率硅管、锗材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上,如果阻值很小或测试时指针来回晃动,则说明ICEO很大,管子的性能不稳定。

(c)测量放大能力(β)。目前有些型号的具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座,可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将功能开关拨至挡,量程开关拨到ADJ位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

另外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来说明管子的放大倍数β值,其颜色和β值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所用色标并不一定完全一样。

B检测判别电极

(a)判定基极。用R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接*一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管。

(b)判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接收脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接收脚为发射极。

C判别高频管与低频管

高频管的截止频率大于3MHz,而低频管的截止频率则小于3MHz,一般情况下,二者是不能互换的。

D在路电压检测判断法

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比拟麻烦,所以在检测时常常通过用直流电压挡,去测量被测三极管各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断其好坏。

.普通发光二极管的检测

〔1〕用检测。利用具有×10kΩ挡的指针式可以大致判断发光二极管的好坏。正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞,反向电阻值很小或为0,则易损坏。种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。

如果有两块指针〔最好同型号〕可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块的“+〞接线柱与另一块表的“-〞接线柱连接。余下的“-〞笔接被测发光管的正极〔P区〕,余下的“+〞笔接被测发光管的负极〔N区〕。两块均置×10Ω挡。正常情况下,接通后就能正常发光。假设亮度很低,甚至不发光,可将两块均拨至×1Ω假设,假设仍很暗,甚至不发光,则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意,不能一开场测量就将两块置于×1Ω,以免电流过大,损坏发光二极管。

〔2〕外接电源测量。用3V稳压源或两节串联的干电池及〔指针式或数字式皆可〕可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF在1.4~3V之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V,且不发光,说明发光管已坏。

1.普通发光二极管的检测

〔1〕用检测。利用具有×10kΩ挡的指针式可以大致判断发光二极管的好坏。正常时,二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞,反向电阻值很小或为0,则易损坏。种检测方法,不能实地看到发光管的发光情况,因为×10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。

如果有两块指针〔最好同型号〕可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块的“+〞接线柱与另一块表的“-〞接线柱连接。余下的“-〞笔接被测发光管的正极〔P区〕,余下的“+〞笔接被测发光管的负极〔N区〕。两块均置×10Ω挡。正常情况下,接通后就能正常发光。假设亮度很低,甚至不发光,可将两块均拨至×1Ω假设,假设仍很暗,甚至不发光,则说明该发光二极管性能不良或损坏。应注意,不能一开场测量就将两块置于×1Ω,以免电流过大,损坏发光二极管。

〔2〕外接电源测量。用3V稳压源或两节串联的干电池及〔指针式或数字式皆可〕可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得VF在1.4~3V之间,且发光亮度正常,可以说明发光正常。如果测得VF=0或VF≈3V,且不发光,说明发光管已坏

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