电子元器件检测及测试方法

电子元器件的筛选与检测动手准备元器件之前，最佳对照电路原理图列出所需元器件的清单。为了确保在试制的过程中不浪费时间，减少差错，同时也确保制成后的装置能长久稳定地工作，待全部元器件都备齐后，还必须对其筛选检测。在正规的工业化生产中，都设有专门的元器件筛选检测车间，备有许多通用和专用的筛选检测装备和仪器，但对于业余电子爱好者来说，不可能含有这些条件，即使如此，也绝不能够放弃对元器件的筛选和检测工作，由于许多电子爱好者所用的电子元器件是邮购来的，其中有正品，也有次品，更多的是业余品或运用品，如在安装之前不对它们进行筛选检测，一旦焊入印刷电路板上，发现电路不能正常工作，再去检查，不仅浪费诸多时间和精力，并且拆来拆去很容易损坏元件及印刷电路板。⑴外观质量检查拿到一种电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。如变压器，看其全部引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。如三极管，看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号与否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范畴内，其活动与否平滑、灵活，松紧与否适宜，应无机械噪声，手感好，并确保各触点接触良好。多个不同的电子元器件都有本身的特点和规定，各位爱好者平时应多理解某些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。⑵电气性能的筛选要确保试制的电子装置能够长久稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其它可能因素的考验，对电子元器件的筛选是必不可少的一道工序。所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多个应力实验，暴露元器件的固有缺点而不破坏它的完整性。筛选的理论是：如果实验及应力等级选择适宜，劣质品会失效，而优良品则会通过。人们在长久的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，普通失效率较高，叫做早期失效，通过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，普通来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大减少。过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线，如图1所示。电子元器件失效的因素，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺方法不当而引发的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人们只能人为地发明早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目普通有：高温存贮老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给实验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃－＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多个潜在故障都有检查作用的有效方法，也是现在采用得最多的一种办法。对于业余爱好者来说，在单件电子制作过程中，是不太可能采用这些办法进行老化检测的，在大多数状况下，采用了自然老化的方式。例如使用前将元器件寄存一段时间，让电子元器件自然地经历夏季高温和冬季低温的考验，然后再来检测它们的电性能，看与否符合使用规定，优存劣汰。对于某些急用的电子元器件，也可采用简易电老化方式，可采用一台输出电压可调的脉动直流电源，使加在电子元器件两端的电压略高于元件额定值的工作电压，调节流过元器件的电流强度，使其功率为1.5－2倍额定功率，通电几分钟甚至更长时间，运用元器件本身的特性而发热升温，完毕简易老化过程。⑶元器件的检测通过外观检查以及老化解决后的电子元器件，还必须通过对其电气性能与技术参数地测量，以拟定其优劣，剔除那些已经失效的元器件。固然，对于不同的电子元器件应有不同的测量仪器，但对于业余电子爱好者来说，普通不含有专用电子测量仪器的条件，但起码应有一块万用电表，运用万用电表能够对某些惯用的电子元器件进行粗略检测。多个电子元器件涉及到的电性能参数诸多，我们要根据业余制作牵涉到的必须要搞清晰的有关参数进行检测，而不必对该元器件的全部参数都一一检测。下面例举几个基本元器件的检测。①电阻器。它是全部电子装置中应用最为广泛的一种元件，也是最便宜的电子元件之一。它是一种线性元件，在电路中的重要用途有：限流、降压、分压、分流、匹配、负载、阻尼、取样等。检测该元件时，重要看它的标称阻值与实际测量阻值的偏差程度。在大量的生产中，由于加工过程中各道工序对电阻器的作用，电阻器的实际值不可能做到与它的标称值完全一致，因此其阻值含有离散性，为了便于管理和组织生产，工程上按照使用的需要，给出了允许偏差值，如±5%、±10%、±20%。再加上万用电表检测电阻器时的误差，普通规定其误差不超出允许偏差的10%即认为合格。同时亦可通过外观检查综合判断其优劣。②电容器。电容器也是电子装置中用得最多的电子元器件之一。它的质量好坏直接影响到整机的性能，同时也是容易失效的元件。在检查电容器时，如果电解电容器的贮存期超出了三年，能够认为该元件已经失效。有些电容器上没有出厂年限标志，外观则完好无损，肉眼很难判断出它的质量问题，因此就必须要对它进行检测。电容器在电路中担任隔直、滤波、旁路、耦合、中和、退耦、调谐、振荡等。它的常见故障有击穿、漏电、失效（干涸）。用万用电表的欧姆档检查电容器是运用了电容器能够充放电原理进行的，这时应选用欧姆档的最高量程（R×1kΩ或R×10kΩ）来测量。如图2所示。当万用电表的两根表棒与电容器的两引脚相接时，表针先向顺时间方向偏转一种角度，此时称为电容器的充电，当充电到一定程度时，电容器又开始放电，此时万用电表的指针便返回到∞位置。在测量过程中，表针摆动的角度越大，阐明所检测的电容器容量越大。表针返回后越靠近∞处，阐明所检测的电容器漏电越小，即所检测的电容器的质量越高。测量电解电容器时，由于其引脚有正、负极之分，应将红表棒接电容器的负极，黑表棒接电容器的正极，这样测量出来的漏电电阻才是对的的。反接时普通漏电电阻要比正接时小，运用这一点，还可判断出无极性标志的电解电容器的极性。如果电容器的容量太小，如在4700P下列，就只能检查它与否漏电或击穿，如果在测量中，表针摆动一下回不到∞处，而是停留在0－∞处的中间某一位置上，阐明该电容器漏电严重；也可采用图3所示的方法。在万用电表与被测小电容器之间加装一只NPN型硅三极管，规定其β值不不大于100，集电极-发射极之间的耐压应不不大于25V，ICEO越小越好。被测电容器接到A、B两端。由于三极管VT的电流放大作用，较小容量的电容器也能引发表针较大幅度的摆动，然后返回到∞位置，如不能返回到∞处的，则可估测出漏电电阻。对于可变电容器、拉线电容器，亦可用万用电表检测出它们有否碰片或漏电、短路等。③电感器。电感器是一种非线性元件，能够储存磁能。由于通过电感的电流值不能突变，因此，电感对直流电流短路，对突变的电流呈高阻态。电感器在电路中的基本用途有：扼流、交流负载、振荡、陷波、调谐、赔偿、偏转等。运用万用电表对其进行检测时，即只能判断出它的直流电阻值，如果已经标明了数值的电感器，只要其直流电阻值大致符合，即可视为合格。④晶体二极管。晶体二极管是一种非线性器件，它的正、反两个方向的电阻值相差悬殊，这就是二极管的单向导电性。在电路中，运用这一特性，能够作整流、检波、箝位、限幅、阻尼、隔离等。用万用电表测量二极管时，可选用欧姆档R×1kΩ。由于二极管含有单向导电性，它的正、反向电阻是不相等的，两者阻值相差越大越好。对于惯用的小功率二极管，反向电阻应比正向电阻大数百倍以上。用红表棒接二极管的正极，黑表棒接它的负极，测得的是反向电阻。反之，红表棒接二极管的负极，黑表棒接它的正极，测得的是正向电阻。诸二极管的正向电阻普通在100Ω－1kΩ左右；硅二极管的正向电阻普通在几百欧至几千欧。如果测得它的正、反向电阻都是无穷大，阐明该二极管内部已开路；如果它的正、反向电阻均为0，阐明二极管内部已短路；如果它的正、反向电阻相差无几，阐明二极管的性能变差失效。出现以上三种状况的二极管均不能使用。⑤晶体三极管。三极管是电子装置中的重要元件，它的质量优劣直接关系到系统工作的可靠性和稳定性，因此，它是最需要进行老化筛选的元件之一。已知一种三极管的型号和管脚排列，可采用以下简易测试法来判断它的性能。应当注意的是：对普通小功率低压三极管，不适宜采用R×10kΩ档进行测试，以免表内的高电压损坏三极管。在检查三极管的穿透电流大小时，可采用图4所示的测量法，图中被测的是NPN型三极管，如果是NPN型三极管，其测试棒应与管脚对调。万用电表的量程普通选用R×100或R×1kΩ档，规定测得的电阻值越大越好，对于中功率的锗管，此值应不不大于数千欧；对于硅管，此值应不不大于数百千欧。如果所测得的数值过小，阐明管子的穿透电流大，管子的性能不好。如果测量时万用电表的表针摇晃不定，阐明管子的稳定性很差。如果测得的阻值靠近于零，阐明管子内部已击穿短路，不能使用。在检查三极管的放大性能β值时，能够采用图5所示的估测法。如果被测管是NPN型，可按此办法测试，如果被测管是PNP则按虚线方式连接。测量时表针应向右偏转，其偏转角度越大，阐明管子的放大倍数β越大。如果加上电阻R之后表针变化的角度不大或根本不变，则阐明管子的放大作用很差或已经损坏。其R的阻值可在51kΩ－100kΩ范畴内选用。也可能运用人手的电阻，用手捏位管子的c-b两极，但不要使它们短路，以手的皮肤电阻替代R。对于结型场效应管，已知型号与管脚，如果用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间，G与D（漏极）之间没有PN结电阻，阐明该管子已坏。用万用电表的R×1kΩ档，其表棒分别接在场效应管的S极和D极上，然后用手碰触管子和G极，若表针不动，阐明管子不好；若表针有较大幅度的摆动，阐明管子可用。结型场效应管电路符号与引脚如图6所示。以上所述的管子测量办法虽是粗略的，但普通都切实可行，如欲进行更严格的测量筛选，则宜使用专门的测试仪器。⑥集成电路。集成电路的门类、品种诸多，在业余条件下，电子爱好者似乎没有特别的测试办法，采用万用电表进行测量时，只能对照已知的集成块引脚数据，用测得的数据与已知的数据进行对比，从而判断出被测集成块的好坏。也能够搭一种简朴的实验电路，将集成块插入电路中进行实验，如能完毕某些功效或符合某种逻辑关系便可用。如对音乐集成电路进行测试，可先制作一种简易电路，留出音乐集成电路的插脚（或用夹子），将音乐集成电路置于电路中，如果发声正常则可使用，否则不可使用。如果你有时间也乐于动手的话不妨自制某些惯用的集成电路的简易实验仪器（参见本站工具仪表一栏），可方便后来的电子电路制作。⑦其它电子元器件。如惯用的多个开关、接插件、发光二极管、扬声器、耳机等，重要用万用电表检测它们的通断状况。对于发光二极管和扬声器、耳机，也可用电池组来实验其发光或发声程序，以此来判断其优劣。如何测量光电二极管的好坏光电二极管的种类诸多，多应用在红外遥控电路中。为减少可见光的干扰，常采用黑色树脂封装，可滤掉700nm波长下列的光线。光电二极管对长方形的管子，往往做出标记角，批示受光面的方向。普通状况下管脚长的为正极。光电二极管的管芯重要用硅材料制作。光电二极管惯用英文缩写PD表达。测量光电二极管有下列三种办法。（1）电阻测量法：用万用表R×100或R×1K挡。像测普通二极管同样，正向电阻应为10K左右，无光照射时，反向电阻应为∞，然后让光电二极管见光，光线越强反向电阻应越小。光线特强时反向电阻可降到1K下列。这样的管子就是好的。若正反向电阻都是∞或零，阐明管子是坏的。（2）电压测量法：把万用表（指针式）接在直流1V左右的挡位。红表笔接光电二极管正极，黑表笔接负极，在阳光或白炽灯照射下，其电压与光照强度成正比，普通可达0.2~0.4V。（3）电流测量法：把指针式万用表拨在直流50μA或500μA挡，红表笔接光电二极管正极，黑表笔接负极，在阳光或白炽灯照射下，起短路电流可达数十到数百微安。什么是发光二极管1．发光二极管的作用发光二极管（LED）是一种由磷化镓（GaP）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示屏件。当其内部有一定电流通过时，它就会发光。图4-21是共电路图形符号。发光二极管也与普通二极管同样由PN构造成，也含有单向导电性。它广泛应用于多个电子电路、家电、仪表等设备中、作电源批示或电平批示。2．发光二极管的分类发光二极管有多个分类办法。按其使用材料可分为磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaAsP)发光二极管、砷化镓(GaAs)发光二极管、磷铟砷化镓(GaAsInP)发光二极管和砷铝化镓(GaAlAs)发光二极管等多个。按其封装构造及封装形式除可分为金属封装、陶瓷封装、塑料封装、树脂封装和无引线表面封装外，还可分为加色散射封装（D）、无色散射封装（W）、有色透明封装（C）和无色透明封装（T）。按其封装外形可分为圆形、方形、矩形、三角形和组合形等多个，图4-22为几个发光二极管的外形。塑封发光二极管按管体颜色又分为红色、琥珀色、黄色、橙色、浅蓝色、绿色、黑色、白色、透明无色等多个。而圆形发光二极管的外径从¢2~¢20mm，分为多个规格。按发光二极管的发光颜色又可人发为有色光和红外光。有色光又分为红色光、黄色光、橙色光、绿色光等。另外，发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等。3．普通单色发光二极管普通单色发光二极管含有体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定、响应速度快、寿命长等优点，可用多个直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件，使用时需串接适宜的限流电阻。图4-23是普通发光二极管的应用电路。普通单色发光二极管的发光颜色与发光的波长有关，而发光的波长又取决于制造发光二极管所用的半导体材料。红色发光二极管的波长普通为650~700nm，琥珀色发光二极管的波长普通为630~650nm，橙色发光二极管的波长普通为610~630nm左右，黄色发光二极管的波长普通为585nm左右，绿色发光二极管的波长普通为555~570nm。惯用的国产普通单色发光二极管有BT（厂标型号）系列、FG（部标型号）系列和2EF系列，见表4-26、表4-27和表4-28。

惯用的进口普通单色发光二极管有SLR系列和SLC系列等。4．高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管使用的半导体材料与普通单色发光二极管不同，因此发光的强度也不同。普通，高亮度单色发光二极管使用砷铝化镓（GaAlAs）等材料，超高亮度单色发光二极管使用磷铟砷化镓（GaAsInP）等材料，而普通单色发光二极管使用磷化镓（GaP）或磷砷化镓（GaAsP）等材料。惯用的高亮度红色发光二极管的重要参数见表4-29，惯用的超高亮度单色发光二极管的重要参数见表4-30。5．变色发光二极管变色发光二极管是能变换发光颜色的发光二极管。变色发光二极管发光颜色种类可分为双色发光二极管、三色发光二极管和多色（有红、蓝、绿、白四种颜色）发光二极管。变色发光二极管按引脚数量可分为二端变色发光二极管、三端变色发光二极管、四端变色发光二极管和六端变色发光二极管。图4-24是三端变色发光二极管的外形和电路图形符号图4-25是六端变色发光二极管的外形和内部电路惯用的双色发光二极管有2EF系列和TB系列，惯用的三色发光二极管有2EF302、2EF312、2EF322等型号，见表4-31。6．闪烁发光二极管闪烁发光二极管（BTS）是一种由CMOS集成电路和发光二极管构成的特殊发光器件，可用于报警批示及欠压、超压批示。其外形、内部构造图及内电路框图见图4-26和图4-27。闪烁发光二极管在使用时，不必外接其它元件，只要在其引脚两端加上适宜的直流工作电压（5V）即可闪烁发光。表4-32是几个惯用闪烁发光二极管的重要参数。

7．电压控制型发光二极管普通发光二极管属于电流控制型器件，在使用时需串接适宜阻值的限流电阻。电压控制型发光二极管（BTV）是将发光二极管和限流电阻集成制作为一体，使用时可直接并接在电源两端。图4-28是电压控制型发光二极管的外形胩内部构造图。

电压控制型发光二极管的发光颜色有红、黄、绿等，工作电压有5V、9V、12V、18V、19V、24V共6种规格。表4-33为BTV系列电压控制型发光二极管的重要参数。

8．红外发光二极管红外发光二极管也称红外线发射二极管，它是能够将电能直接转换成红外光（不可见光）并能辐射出去的发光器件，重要应用于多个光控及遥控发射电路中。其外形图见图4-29。红外发光二极管的构造、原理与普通发光二极管相近，只是使用的半导体材料不同。红外发光二极管普通使用砷化镓（GaAs）、砷铝化镓（GaAlAs）等材料，采用全透明或浅蓝色、黑色的树脂封装。惯用的红外发光二极管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等，见表4-34和表4-35。图4-30是红外发光二极管的应用电路。电子元器件检测与测试办法

电子元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何精确有效地检测元器件的有关参数，判断元器件的与否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的办法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，纯熟掌握惯用元器件的检测办法和经验很有必要，下列对惯用电子元器件的检测经验和办法进行介绍供对考。一、电阻器的检测办法与经验：1固定电阻器的检测。A将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针批示值尽量落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范畴内，以使测量更精确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范畴，则阐明该电阻值变值了。B注意：测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，最少要焊开一种头，以免电路中的其它元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值即使能以色环标志来拟定，但在使用时最佳还是用万用表测试一下其实际阻值。2水泥电阻的检测。检测水泥电阻的办法及注意事项与检测普通固定电阻完全相似。3熔断电阻器的检测。在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超出额定值诸多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍不不大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为确保测量精确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则阐明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不适宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。4电位器的检测。检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动与否平滑，开关与否灵活，开关通、断时“喀哒”声与否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，阐明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的适宜电阻挡位，然后可按下述办法进行检测。A用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差诸多，则表明该电位器已损坏。B检测电位器的活动臂与电阻片的接触与否良好。用万用表的欧姆档测“1”、“2”(或“2”、“3”)两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至靠近“关”的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐步增大，表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置“3”时，阻值应靠近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，阐明活动触点有接触不良的故障。5正温度系数热敏电阻(PTC)的检测。检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作：A常温检测(室内温度靠近25℃)；将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，两者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则阐明其性能不良或已损坏。B加温检测；在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试—加温检测，将一热源(例如电烙铁)靠近PTC热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值与否随温度的升高而增大，如是，阐明热敏电阻正常，若阻值无变化，阐明其性能变劣，不能继续使用。注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以避免将其烫坏。6负温度系数热敏电阻(NTC)的检测。(1)、测量标称电阻值Rt用万用表测量NTC热敏电阻的办法与测量普通固定电阻的办法相似，即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择适宜的电阻挡可直接测出Rt的实际值。但因NTC热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意下列几点：ARt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，因此用万用表测量Rt时，亦应在环境温度靠近25℃时进行，以确保测试的可信度。B测量功率不得超出规定值，以免电流热效应引发测量误差。C注意对的操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以避免人体温度对测试产生影响。(2)、估测温度系数αt先在室温t1下测得电阻值Rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻Rt，测出电阻值RT2，同时用温度计测出此时热敏电阻RT表面的平均温度t2再进行计算。7压敏电阻的检测。用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，阐明漏电流大。若所测电阻很小，阐明压敏电阻已损坏，不能使用。8光敏电阻的检测。A用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值靠近无穷大。此值越大阐明光敏电阻性能越好。若此值很小或靠近为零，阐明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。B将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减些，此值越小阐明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。C将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，阐明光敏电阻的光敏材料已经损坏。二、电容器的检测办法与经验1固定电容器的检测A检测10pF下列的小电容因10pF下列的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其与否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则阐明电容漏电损坏或内部击穿。B检测10PF～001μF固定电容器与否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管构成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要重复调换被测电容引脚接触A、B两点，才干明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小预计出电容器的容量。2电解电容器的检测A由于电解电容的容量较普通固定电容大得多，因此，测量时，应针对不同容量选用适宜的量程。根据经验，普通状况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，不不大于47μF的电容可用R×100挡测量。B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐步向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略不不大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻普通应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则阐明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，阐明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C对于正、负极标志不明的电解电容器，可运用上述测量漏电阻的办法加以鉴别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一种阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。D使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的办法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。3可变电容器的检测A用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。B用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。C将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，阐明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，阐明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。三、电感器、变压器检测办法与经验1色码电感器的的检测将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种状况进行鉴别：A被测色码电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。B被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。2中周变压器的检测A将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐个检查各绕组的通断状况，进而判断其与否正常。B检测绝缘性能将万用表置于R×10k挡，做以下几个状态测试：(1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值；(2)初级绕组与外壳之间的电阻值；(3)次级绕组与外壳之间的电阻值。上述测试成果分出现三种状况：(1)阻值为无穷大：正常；(2)阻值为零：有短路性故障；(3)阻值不大于无穷大，但不不大于零：有漏电性故障。3电源变压器的检测A通过观察变压器的外貌来检查其与否有明显异常现象。如线圈引线与否断裂，脱焊，绝缘材料与否有烧焦痕迹，铁心紧固螺杆与否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈与否有外露等。B绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，阐明变压器绝缘性能不良。C线圈通断的检测。将万用表置于R×1挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则阐明此绕组有断路性故障。D鉴别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚普通都是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V字样，次级绕组则标出额定电压值，如15V、24V、35V等。再根据这些标记进行识别。E空载电流的检测。(a)直接测量法。将次级全部绕组全部开路，把万用表置于交流电流挡(500mA，串入初级绕组。当时级绕组的插头插入220V交流市电时，万用表所批示的便是空载电流值。此值不应不不大于变压器满载电流的10％～20％。普通常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多，则阐明变压器有短路性故障。(b)间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一种10/5W的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻R两端的电压降U，然后用欧姆定律算出空载电流I空，即I空=U/R。F空载电压的检测。将电源变压器的初级接220V市电，用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合规定值，允许误差范畴普通为：高压绕组≤±10％，低压绕组≤±5％，带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2％。G普通小功率电源变压器允许温升为40℃～50℃，如果所用绝缘材料质量较好，允许温升还可提高。H检测鉴别各绕组的同名端。在使用电源变压器时，有时为了得到所需的次级电压，可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时，参加串联的各绕组的同名端必须对的连接，不能搞错。否则，变压器不能正常工作。I.电源变压器短路性故障的综合检测鉴别。电源变压器发生短路性故障后的重要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常。普通，线圈内部匝间短路点越多，短路电流就越大，而变压器发热就越严重。检测判断电源变压器与否有短路性故障的简朴办法是测量空载电流(测试办法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器，其空载电流值将远不不大于满载电流的10％。当短路严重时，变压器在空载加电后几十秒钟之内便会快速发热，用手触摸铁心会有烫手的感觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。晶体管的检测办法一、二极管的检测办法1、检测小功率晶体二极管A、鉴别正、负电极

(a)、观察外壳上的的符号标记。普通在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。

(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，普通标有极性色点(白色或红色)。普通标有色点的一端即为正极。尚有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。

(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。

B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常惯用眼睛观察二极管内部的触丝来加以辨别，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也能够用万用表R×1k挡进行测试，普通正向电阻不大于1k的多为高频管。C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，由于不停变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。普通状况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。2、检测玻封硅高速开关二极管

检测硅高速开关二极管的办法与检测普通二极管的办法相似。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，普通正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。3、检测快恢复、超快恢复二极管

用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的办法基本与检测塑封硅整流二极管的办法相似。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，普通正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，普通正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。4、检测双向触发二极管A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，阐明被测管有漏电性故障。

将万用表置于对应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所批示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的办法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，阐明被测双向触发二极管的对称性越好。5、瞬态电压克制二极管(TVS)的检测

用万用表R×1k挡测量管子的好坏，对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的办法，可测出其正、反向电阻，普通正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，阐明管子性能不良或已经损坏。6、高频变阻二极管的检测

A、识别正、负极

高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色普通为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。

B、测量正、反向电阻来判断其好坏

具体办法与测量普通二极管正、反向电阻的办法相似，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～5.5k，反向电阻为无穷大。7、变容二极管的检测

将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔如何对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，阐明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测鉴别的。必要时，可用替代法进行检查判断。正、负极的鉴别

有的变容二极管的一端涂有黑色标记，这一端即是负极，而另一端为正极。尚有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环，红色环的一端为正极，黄色环的一端为负极。8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相称于给万用表串接上了1.5V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的启动电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必然有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。9、红外发光二极管的检测A、鉴别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，普通长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，因此管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一种为负极，而较窄且小的一种为正极。

B、将万用表置于R×1k挡，测量红外发光二极管的正、反向电阻，普通，正向电阻应在30k左右，反向电阻要在500k以上，这样的管子才可正常使用。规定反向电阻越大越好。10、红外接受二极管的检测

A、识别管脚极性

(a)、从外观上识别。常见的红外接受二极管外观颜色呈黑色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。另外，在红外接受二极管的管体顶端有一种小斜切平面，普通带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。

(b)、将万用表置于R×1k挡，用来鉴别普通二极管正、负电极的办法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小。以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚为负极，黑表笔所接的管脚为正极。B、检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接受二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步鉴定红外接受二极管的好坏。11、激光二极管的检测A、将万用表置于R×1k挡，按照检测普通二极管正、反向电阻的办法，即可将激光二极管的管脚排列次序拟定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，因此检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。12、双基极二极管的检测A．电极的鉴别将万用表置于R×1k档，用两表笔测量双基极二极管三个电极中任意两个电极间的正反向电阻值，会测出有两个电极之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ，这两个电极即是基极B1和基极B2，另一种电极即是发射极E。再将黑表笔接发射极E，用红表笔依次去接触另外两个电极，普通会测出两个不同的电阻值。有阻值较小的一次测量中，红表笔接的是基极B2，另一种电极即是基极B1。B．性能好坏的判断

双基极二极管性能的好坏能够通过测量其各极间的电阻值与否正常来判断。用万用表R×1k档，将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极（B1和B2），正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。双基极二极管两个基极（B1和B2）之间的正、反向电阻值均为2~10kΩ范畴内，若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时，则阐明该二极管已损坏。13、桥堆的检测A．全桥的检测

大多数的整流全桥上，均标注有“+”、“-”、“~”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“-”为输出电压的负极，“~”为交流电压输入端），很容易拟定出各电极。检测时，可通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量办法相似）与否正常，即可判断该全桥与否已损坏。若测得全桥内鞭只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。B．半桥的检测

半桥是由两只整流二极管构成，通过用万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值与否正常，即可判断出该半桥与否正常。14、高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联构成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值不不大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向都有一定电阻值，则阐明该高压硅堆已软击穿损坏。15、变阻二极管的检测用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为4.5~6kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则阐明被测变阻二极管已损坏。16、肖特基二极管的检测二端型肖特基二极管能够用万用表R×1档测量。正常时，其正向电阻值（黑表笔接正极）为2.5~3.5Ω，投向电阻值为无穷大。若测得正、反电阻值均为无穷大或均靠近0，则阐明该二极管已开路或击穿损坏。三端型肖特基二极管应先测出其公共端，鉴别出共阴对管，还是共阳对管，然后再分别测量两个二极管的正、反向电阻值。二、三极管的检测办法1、中、小功率三极管的检测

A、已知型号和管脚排列的三极管，可按下述办法来判断其性能好坏

(a)、测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其它四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增加很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，因此在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻办法，可间接预计ICEO的大小，具体办法以下：

万用表电阻的量程普通选用R×100或R×1k挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。规定测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，阐明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，阐明被测管的ICEO越大。普通说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

(c)、测量放大能力(β)。现在有些型号的万用表含有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，能够很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功效开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调节调零旋钮，使万用表指针批示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。

另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相似。

B、检测鉴别电极

(a)、鉴定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其它两极时，测得的阻值都较小，则可鉴定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其它两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管。

(b)、鉴定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一种大某些，一种小某些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

C、鉴别高频管与低频管

高频管的截止频率不不大于3MHz，而低频管的截止频率则不大于3MHz，普通状况下，两者是不能交换的。

D、在路电压检测判断法

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，因此在检测时经常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作与否正常，进而判断其好坏。

2、大功率晶体三极管的检测

运用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的多个办法，对检测大功率三极管来说基本上合用。但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。因此，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小，仿佛极间短路同样，因此普通使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。3、普通达林顿管的检测

用万用表对普通达林顿管的检测涉及识别电极、辨别PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。由于达林顿管的E－B极之间包含多个发射结，因此应当使用万用表能提供较高电压的R×10k挡进行测量。4、大功率达林顿管的检测

检测大功率达林顿管的办法与检测普通达林顿管基本相似。但由于大功率达林顿管内部设立了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件，因此在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以辨别，以免造成误判。具体可按下述几个环节进行：

A、用万用表R×10k挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出含有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差别。

B、在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的成果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大概为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而变化。但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。5、带阻尼行输出三极管的检测

将万用表置于R×1挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其与否正常。具体测试原理，办法及环节以下：

A、将红表笔接E，黑表笔接B，此时相称于测量大功率管B－E结的等效二极管与保护电阻R并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值普通也仅有20Ω～50Ω，因此，两者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接B，黑表笔接E，则测得的是大功率管B－E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，因此，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值仍然较小。

B、将红表笔接C，黑表笔接B，此时相称于测量管内大功率管B－C结等效二极管的正向电阻，普通测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，即将红表笔接B，黑表笔接C，则相称于测量管内大功率管B－C结等效二极管的反向电阻，测得的阻值普通为无穷大。

C、将红表笔接E，黑表笔接C，相称于测量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值普通都较大，约300Ω～∞；将红、黑表笔对调，即红表笔接C，黑表笔接E，则相称于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值普通都较小，约几Ω至几十Ω。如何用测试光电开关的管脚和性能的好坏普通的光电开关无论是对射还是反射式都有四个管脚。其中两个管脚是红外发射二极管的管脚，另外两个是光电三极管的管脚。我们一对射式光电开关为例，阐明鉴别四个管脚的办法：把万用表拨在R×1K挡，用一只手堵住光电开关的发射管和接受管，用黑、红表笔分别测每只管子的两根引脚电阻，然后把红、黑表笔对调一下后再测量每只管子的两根引脚。当找到正向电阻在20K左右的那两根引脚时，黑表笔接的就是红外发射二极管的正极，红表笔接的就是红外发射二极管的负极。辨别光敏三极管的“E”和“C”：把接受管对着自然光或灯光，用红、黑表笔分别接光敏三极管的两根引出线，然后把红、黑表笔对调，再去接触接受管的两个电极，两次测量中阻值小的那次，黑表笔接的就是光敏三极管的“C”极。红表笔接的就是光敏三极管的“E”极。检查光电开关的好坏能够采用双表法，如图1-1所示，在光线较暗的地方，用一块万用表拨在R×1K挡，黑表笔接光敏三极管“C”极，红表笔接光敏三极管“E”极。能够看到万用表批示的阻值很大；然后用另一快万用表拨在R×10K挡，黑表笔接红外发射管的正极，红表笔接红外发射管的负极，此时如看到接光敏三极管的万用表阻值大大减小，则阐明这个光电开关是好的。如何测试双向晶闸管的好坏用万用表测试双向晶闸管的好坏，首先要分清双向晶闸管的控制极G和主电极T1和T2。把万用表拨在R×1或R×10挡，黑表笔接T2，红表笔接T1，然后将T2与G瞬间短路一下，立刻离开，此时若表针有较大幅度的偏转，并停留在某一位置上，阐明T1与T2已触发导通；把红、黑表笔调换后再重复上述操作，如果T1、T2仍维持导通，阐明这只双向晶闸管是好的，反之则是坏的。如何用万用表测出双向晶闸管的三个极双向晶闸管除了一种电极G仍然叫控制极外，另外两个电极普通不再叫阳极和阴极，而统称为主电极T1和T2。双向晶闸管是一种N-P-N-P-N型5层构造的半导体，其符号和内部构造图见图1-1。用万用表辨别双向晶闸管电极的办法是：首先找出主电极T2。将万用表置于R×100挡，用黑表笔接双向晶闸管的任一种电极，红表笔分别接双向晶闸管的另外两个电极，如果表针不动，阐明黑表笔接的就是主电极T2。否则就要把黑表笔再调换到另一种电极上，按上述办法进行测量，直到找出主电极T2。T2拟定后再按下述办法找出T1和G极。由图1-1可见T1与G是由两个PN结反向并联的，因设计需要和构造的因素，T1与G之间的电阻值，仍然存在正反向的差别。用万用表R×10或R×1挡测T1和G之间的正、反向电阻，如一次是22Ω左右，一次是24Ω左右，则在电阻较小的一次（正向电阻）黑表笔接的是主电极T1，红表笔接的是控制极G。可控硅检测办法与经验可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，含有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。1.可控硅的特性。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处在低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生变化（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相称于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，不大于维持电流或A1、A2间当电压极性变化且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。2.单向可控硅的检测。万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，阐明该单向可控硅已击穿损坏。3.双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，成果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。拟定A1、G极后，再认真测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已拟定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随即断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。交换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随即断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，阐明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断对的。检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。晶闸管(可控硅)的管脚鉴别晶闸管管脚的鉴别可用下述办法：先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩余的一脚，如表针向右摆动，阐明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。场效应管检测一、用指针式万用表对场效应管进行鉴别（1）用测电阻法鉴别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不同的现象，能够鉴别出结型场效应管的三个电极。具体办法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。由于对结型场效应管而言，漏极和源极可交换，剩余的电极必定是栅极Ｇ。也能够将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一种电极，另一只表笔依次去接触其它的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其它两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，阐明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，能够鉴定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，阐明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，鉴定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述状况，能够调换黑、红表笔按上述办法进行测试，直到鉴别出栅极为止。（2）用测电阻法鉴别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值与否相符去鉴别管的好坏。具体办法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，普通在几十欧到几千欧范畴（在手册中可知，多个不同型号的管，其电阻值是各不相似的），如果测得阻值不不大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则阐明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则阐明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体办法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针批示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此能够观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，阐明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，阐明管是坏的。根据上述办法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，批示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，阐明该管是好的，并有较大的放大能力。运用这种办法时要阐明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，实验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就阐明管有较大的放大能力。第二，此办法对MOS场效应管也合用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，因此不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以避免人体感应电荷直接加到栅极，引发栅极击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是由于G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。（4）用测电阻法鉴别无标志的场效应管首先用测量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种办法鉴别出来的Ｓ、Ｄ极，还能够用估测其管的放大能力的办法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种办法检测成果均应同样。当拟定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，普通G1、G2也会依次对准位置，这就拟定了两个栅极G1、G2的位置，从而就拟定了Ｄ、S、G1、G2管脚的次序。（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用