半导体制造技术智慧树知到课后章节答案2023年下上海工程技术大学

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第一章测试

“摩尔定律”是（）提出的？

A:1958年B:1965年C:1960D:1970年

答案:1965年

第一个晶体管是（）材料晶体管？

A:硅B:锗C:碳

答案:锗

戈登摩尔是（）科学家。

A:德国B:英国C:美国D:法国

答案:美国

第一个集成电路在（）被研制。

A:1965B:1955C:1960D:1958

答案:1958

（）被称为中国“芯片之父”。1、

A:沈绪榜B:邓中翰C:吴德馨D:许居衍

答案:邓中翰

第二章测试

硅在地壳中的储量为（）。

A:第四B:第一C:第三D:第二

答案:第二

脱氧后的沙子主要以（）的形式。

A:硅B:二氧化硅C:碳化硅

答案:二氧化硅

半导体级硅的纯度（）。

A:99.9999999％B:99.999999％C:99.999％D:99.99999％

答案:99.9999999％

西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。（）

A:对B:错

答案:错

一片硅片只有一个定位边。（）

A:对B:错

答案:错

晶面指数（m1m2m3）：m1、m2、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距的倒数。（）

A:错B:对

答案:对

第三章测试

通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。（）

A:对B:错

答案:对

热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。（）

A:对B:错

答案:对

二氧化硅可以与氢氟酸发生反应。（）

A:错B:对

答案:对

薄膜的密度越大，表明致密性越低。（）

A:错B:对

答案:错

电阻率，表征导电能力的参数，同一种物质的电阻率在任何情况下都是不变的。（）

A:对B:错

答案:错

第四章测试

光刻本质上是光刻胶的光化学反应。（）

A:对B:错

答案:对

一个透镜的数值孔径越大就能把更少的衍射光会聚到一点。（）

A:错B:对

答案:错

使用正胶进行光刻时，晶片上所得到的图形与掩膜版图形相同。（）

A:对B:错

答案:对

使用负胶进行光刻时，晶片上得到的图形与掩膜版上的图形相反。（）

A:对B:错

答案:对

正性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

A:对B:错

答案:对

负性光刻胶经过曝光后，可以溶解于显影液。（）

A:对B:错

答案:错

第五章测试

刻蚀是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。（）

A:错B:对

答案:错

湿法刻蚀是各向同性腐蚀。（）

A:对B:错

答案:对

干法刻蚀有各向同性腐蚀，也有各向异性腐蚀。（）

A:对B:错

答案:对

选择比指在不同刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。（）

A:对B:错

答案:错

同一晶体不同晶面的原子键密度不一样，导致刻蚀速率不一样。（）

A:错B:对

答案:对

第六章测试

杂质掺杂只能改变半导体的类型，不能改变其电阻率。（）

A:错B:对

答案:错

扩散是一种人为现象，是微观粒子热运动的形式，结果使其浓度趋于均匀。（）

A:对B:错

答案:错

菲克第一扩散定律中的负号代表从高浓度向低浓度运动。（）

A:对B:错

答案:对

半导体常用的掺杂方式有扩散和离子注入。（）

A:对B:错

答案:对

离子注入掺杂是物理过程。（）

A:对B:错

答案:对

第七章测试

选择比指在同样的条件下对两种无图形覆盖材料抛光速率的比值。（）

A:对B:错

答案:对

尖楔现象是铝硅接触时，较多的铝溶解到硅中形成尖刺的现象。（）

A:对B:错

答案:错

双大马士革中采用CMP，铜需要被刻蚀。（）

A:对B:错

答案:错

高温回流：一般是在高温下进行，可适用于所有金属层间介质。（）

A:对B:错

答案:错

肖特基接触在某种条件下可以转变为欧姆接触（高掺杂）。（）

A:对B:错

答案:对

第八章测试

物质有三种形态。（）

A:对B:错

答案:错

霜是有水汽直接在地面或近地面的物体上凝华形成的。（）

A:对B:错

答案:对

半导体制造工艺中用的气体可以随便运输。（）

A:对B:错

答案:错

工艺腔是指一个受控的常压环境。（）

A:对B:错

答案:错

等离子体是不导电的。（）

A:错B:对

答案:错

第九章测试

芯片测试完成时，合格的芯片用墨水标出。（）

A:对B:错

答案:错

芯片成品率等于合格芯片数占总芯片数的百分比。（）

A:错B:对

答案:对

半导体制造工艺中不同硅片之间测试数据差别过大是可以接受的。（）

A:对B:错

答案:错

泊松模