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文档简介
大学物理II智慧树知到课后章节答案2023年下武汉纺织大学武汉纺织大学
第一章测试
如图所示,两个同心均匀带电球面,内球面半径为R1、带电量Q1,外球面半径为R2,带电量Q2,则在外球面外面、距离球心为r处的P点的场强大小E为:(
)
A:
B:
C:D:
答案:
如图所示,两个同心的均匀带电球面,内球面半径为R1,带电量Q1,外球面半径为R2,带电量Q2。
设无穷远处为电势零点,则在两个球面之间,距离球心为r处的P的点电势为:(
)
A:
B:C:
D:
答案:
空间某区域静电场的电场线分布如图、所示,现将电量为-q的点电荷由a点经任意路径移到b点,则在下列说法中,正确的是(
)
A:电场强度Ea>Eb,电场力作正功
B:电势能Wa<Wb,电场力作正功
C:电势Va<Vb,电场力作负功D:电势能Wa<Wb,电场力作负功
答案:电势能Wa<Wb,电场力作负功
如图所示,A、B两点与O点分别相距5
cm和20
cm,场源电荷位于O点且Q=10-9C。若选无限远处为电势零点,则B点的电势VB为(
)
A:135
V
B:90
VC:45
V
D:180
V
答案:45
V
在点电荷+q的电场中,若取图中P点处电势为零点,则M点的电势为(
)
A:
B:
C:D:
答案:
边长为a的正六边形每个顶点处有一个点电荷,取无限远处作为参考点,则O点电势和场强为(
)
A:电势为零,场强不为零
B:电势为零,场强为零C:电势不为零,场强为零D:电势不为零,场强不为零
答案:电势为零,场强为零
两个均匀带电的同心球面,半径分别为R1、R2(R1<R2),小球带电Q,大球带电-Q,下列各图中哪一个正确表示了电场的分布:
(
)
A:
B:
C:
D:
答案:
真空中静电场的高斯定理告诉我们
A:穿过高斯面的电场强度通量为零,则面上各点的电场强度必为零B:穿过高斯面的电场强度通量,仅与面内自然电荷有关C:高斯面内不包围自由电荷,则面上各点的电场强度的量值处处为零D:高斯面上各点的电场强度与面内自然电荷有关,与面外的电荷无关
答案:穿过高斯面的电场强度通量,仅与面内自然电荷有关
静电场的环路定理表明静电场是:
A:保守场B:非均匀场C:非保守场D:均匀场
答案:保守场
下列几个说法中哪一个是正确的
A:电场中某点场强的方向就是将点电荷放在该点所受电场力的方向B:E=1/4πε0•Q/r2er适用于点电荷及非点电荷电场C:E=F/q0适用于点电荷及非点电荷电场
答案:E=F/q0适用于点电荷及非点电荷电场
第二章测试
如图所示,一个不带电的空腔导体球壳,内半径为R,在腔内离球心的距离为d处(d<R),固定一电量为+q的点电荷,用导线把球壳接地后,再把地线撤去。选无穷远处为电势零点,则球心O处的电势为:(
)
A:0
B:C:
D:
答案:
一导体外充满相对电容率为εr的均匀介质,若测得导体表面附近的电场强度为E,则导体表面上的自由电荷密度为σ为(
)
A:
B:
C:D:
答案:
一片二氧化钛晶片(εr=173),其面积为1.0cm2,厚度为0.10mm。把平行平板电容器的两极板紧贴在晶片两侧。则电容器的电容为(ε0=8.85×10-12F·m-1)
A:1.53×10-10FB:3.06×10-10FC:1.53×10-9FD:3.06×10-9F
答案:1.53×10-9F
静电场与导体的相互作用证明了电场作为物质的存在。
A:对B:错
答案:对
对于带电的孤立导体球
A:导体内的场强与电势大小均为零B:导体内的电势与导体表面的电势高低无法确定C:导体内的场强为零,而电势为恒量D:导体内的电势比导体表面高
答案:导体内的场强为零,而电势为恒量
关于有介质时的高斯定理,下列说法中正确的是
A:高斯面上各点处D由面内自由电荷决定B:穿过高斯面的D通量与面内自由电荷有关,而穿过高斯面的E通量与高斯面内的自由电荷和束缚电荷均有关C:若高斯面上的D处处为零,则面内自由电荷的代数和必为零D:若高斯面内不包围自由电荷,则穿过高斯面的D通量与E通量均为零
答案:穿过高斯面的D通量与面内自由电荷有关,而穿过高斯面的E通量与高斯面内的自由电荷和束缚电荷均有关;若高斯面上的D处处为零,则面内自由电荷的代数和必为零
极化电荷可以用接地的方法中和。
A:对B:错
答案:错
一空气平行板电容器,充电后把电源断开,这时电容器中储存的能量为W0。然后在两极板之间充满相对介电常数为εr的各向性均匀电介质,则该电容器中储存的能量W为
A:(1+εr)W0B:W0C:W0/εrD:εrW0
答案:W0/εr
一空气平行板电容器,其电容值为C0,充电后将电源断开,其储存的电场能量为W0。今在两极板间充满相对介电常数为εr的各向同性均匀电介质,则此时电容值C=__________,储存的电场能量为W=__________。
A:C0/εr,W0/εrB:C0/εr,εrW0C:εrC0,εrW0D:εrC0,W0/εr
答案:εrC0,W0/εr
避雷针是利用了尖端放电的原理。
A:对B:错
答案:对
第三章测试
通过任意有限曲面(不闭合)的磁通量表达式是(
)
A:
B:C:
D:
答案:
无限长载流直导线,电流为,则距离其为的该点的磁感应强度B为(
)
A:B:C:D:
答案:
对半径为的无限长载流圆柱体,求圆柱体内距轴线垂直距离为的磁感应强度B为(
)
A:0B:C:D:
答案:
磁感应强度B的单位是
A:安培B:韦伯C:特斯拉D:法拉第
答案:特斯拉
磁感线与电场线都具有不相交性。
A:错B:对
答案:对
磁场的高斯定理表明磁场是无源场。
A:对B:错
答案:对
利用安培环路定理计算载流导线的磁场分布时,闭合回路的绕行方向一般选取与电流满足右螺旋。
A:对B:错
答案:对
带电粒子在磁场中所受到的力是
A:安培力B:洛伦兹力C:电场力D:库仑力
答案:洛伦兹力
在均匀磁场中,带电粒子的速度v与磁感应强度B斜交,带电粒子作
A:静止B:螺旋运动C:圆周运动D:匀速直线运动
答案:螺旋运动
霍耳效应可以用来判断半导体的类型和测量磁场。
A:错B:对
答案:对
第四章测试
麦克斯韦方程组是(
)
A:
B:
C:D:
答案:
;
;;
如图所示,M、N为水平面内的两根平行金属导轨,ab与cd为垂直于导轨并可在其上自由滑动的两根直导线,外磁场B垂直于水平面且向上,当外力使ab向右平移时,则cd的运动情况为
(
)
A:向右移动
解析:利用楞次定律,cd运动趋势是阻碍磁通量的增加。B:转动
C:向左移动
D:不动
答案:向右移动
解析:利用楞次定律,cd运动趋势是阻碍磁通量的增加。
法拉第电磁感应定律的表达式中,负号表现了感应电动势的方向,是楞次定律的体现。
A:错B:对
答案:对
一长为L的铜棒,处在方向垂直于纸面向外,磁感应强度为B的均匀磁场中,沿逆时针方向绕O轴以角速度w转动。设转轴与B平行,则铜棒中所产生的动生电动势的大小为
A:BwL2/2B:0C:BLw2/2D:BwL2
答案:BwL2/2
激发感生电场的场源是
A:静止电荷B:变化的磁场C:运动电荷D:电流
答案:变化的磁场
影响互感系数的因素有
A:线圈中的电流大小及方向B:两个线圈之间的相对位置C:两个线圈的形状及大小D:周围磁介质的磁导率
答案:两个线圈之间的相对位置;两个线圈的形状及大小;周围磁介质的磁导率
对于各项同性的均匀介质,其磁导率为,则磁场的能量密度为
A:μH2/2B:μB2/2C:B2/2μD:BH/2
答案:μH2/2;B2/2μ;BH/2
位移电流的本质是变化的电场。
A:错B:对
答案:对
感生电场和静电场均对电荷有力的作用,所以感生电场也是有源场。
A:错B:对
答案:错
尺寸相同的铁环与铜环所包围的面积中,通以相同变化率的磁通量,环中
A:感应电动势不同,感应电流相同B:感应电动势相同,感应电流相同C:感应电动势不同D:感应电动势相同,感应电流不同
答案:感应电动势相同,感应电流不同
第五章测试
光学仪器的分辨率与其孔径成正比,与入射波长成反比。
A:错B:对
答案:对
光的偏振性证明了光是一种横波。
A:错B:对
答案:对
如果单缝夫琅和费衍射的第1级暗纹发生在衍射角30°的方向上,所用单色光波长=500nm,则单缝宽为
A:100nmB:1mmC:1μmD:10μm
答案:1μm
波长为600nm的单色平行光,垂直入射到缝宽为a=0.6mm的单缝上,缝后有一焦距f=60cm的透镜,在透镜焦平面上观察到衍射图样,则中央条纹的宽度为
A:1.2×10-3mB:2.4×10-3mC:3.6×10-3mD:0.6×10-3m
答案:1.2×10-3m
三个偏振片P1、P2与P3堆叠在一起,P1与P3的偏振化方向相互垂直,P2与P1的偏振化方向间的夹角为45°,强度为I0的自然光入射于偏振片P1,并依次透过偏振片P1、P2与P3,则通过三个偏振片后的光强为
A:I0/8B:I0/32C:3I0/8D:3I0/32
答案:I0/8
杨氏双缝干涉实验是利用波阵面分割法获得相干光,薄膜干涉则利用振幅分割法获得相干光。
A:对B:错
答案:对
用真空中波长λ=589.3nm的单色光垂直照射折射率为1.50的劈尖薄膜,产生等厚干涉条纹,测得相邻暗条纹间距b=0.15cm,则劈尖角为
A:1.3×10-4radB:1.3×10-5radC:1.3×10-3radD:1.3×10-6rad
答案:1.3×10-4rad
在双缝干涉实验中,两缝间距为0.30mm,用单色光垂直照射双缝,在离缝1.20m的屏上测得中央明纹一侧第5条暗纹与另一侧第5条暗纹间的距离为22.78mm,则所用光的波长为
A:632.8nmB:589.1nmC:550nmD:
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