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PAGEPAGE1北京华芯微半导体有限公司 PagePAGE1 DATE\@"M/d/yyyy"8/19/2011HR24953T失效分析报告客户反馈信息1.产品型号:HR24953T2.失效数量:2pcs3.批次:1025.24.失效现象:1:HR24953T工作失效（Y方向振动实验功能不正常）2:HR24953T删源极电阻不正常失效分析电特性参数对失效产品进行电测试（把失效产品分1号和2号），测试结果如下：测试项目P/FVGS(TH)BVDSSIDSSIGSSISGSRDS(ON)RDS(ON)测试条件IDS=250uAIDS=250uAVDS=24VVGS=20VVSG=20VVG=10VIDS=12AVG=4.5VIDS=12A电参数上限3V1uA100nA100nA.016Ω.023Ω电参数下限1V30V-失效产品1号*F1.684V*0.086V*2.000uA*1999.9nA*1999.9nA*0.167Ω*0.167Ω失效产品2号P1.784V34.24V0.020uA1.807nA2.060nA.012Ω0.018Ω根据电测试参数可知:失效产品1号[BVDSS失效，IDSS失效，IGSS失效],失效产品2号是良品.外观目检外观未发现不良3.内部目检取击穿失效的产品开帽后放大50倍看芯片，未发现异常。分析结果由于产品外观,内部芯片都未发现异常，由此可初步判定失效原因是应用过程中的瞬态大电流或静电对产品造成了二次击穿。VDMOS晶体管中寄生一个双极性晶体管BJT,它的集电极,发射极同时也是VDMOS的漏极和源极;还有一个P体区等效电阻Rb,电阻一端为P+接触区,另一端为寄生BJT的基极.当漏源电压增加到一定值时,器件内部电流很大,引起寄生BJT的二次击穿.导致VDMOS失效。防护措施1.应用时预防静电干扰（1）人员操作过程中做好防静电措施(穿防静电衣,带防静电手套，手环)。（2）有关机械设备作业过程前做好地线检查。2.应用时外围加保护器件电路中Q1和Q2器件应该单独外加保护器件，预防瞬态大电流或静电对该器件造成失效。VCCVCCTTL输入R1R2MOSFET驱动RLC1Q1Q2HR24953HR24953

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