固体物理与半导体物理智慧树知到课后章节答案2023年下浙江大学

固体物理与半导体物理智慧树知到课后章节答案2023年下浙江大学浙江大学

第一章测试

半导体电阻率的范围通常为（）Ω·cm

A:

B:＞10

C:

D:＞＞10

答案:

半导体的特性包括（）

A:导通特性

B:温度敏感性

C:光敏感性

D:杂质敏感性

答案:温度敏感性

;光敏感性

;杂质敏感性

随着温度升高，半导体的电阻率一定升高（）

A:错B:对

答案:错

半导体材料的电阻率，跨越了非常大的范围，使得我们能够通过各种效应来对它们进行调制，比如，我们可以通过掺杂改变半导体的电阻率（）

A:对B:错

答案:对

摩尔定律，是指单位面积的集成电路上晶体管数目，或者说集成电路的集成度，每18个月要增加一倍。（）

A:错B:对

答案:对

第二章测试

半导体材料最常见的晶体结构不包括（）

A:纤锌矿型结构

B:闪锌矿型结构

C:金刚石型结构

D:密堆积结构

答案:密堆积结构

描述晶体结构的最小体积重复单元的是（）

A:原胞

B:晶胞

C:单胞

D:基矢

答案:原胞

正四面体的对称操作有（）个

A:24

B:32

C:16

D:8

答案:24

晶体结构的基本特点不包括（）

A:周期性

B:重复性

C:各向异性

D:单一性

答案:各向异性

;单一性

各向异性不是晶体的基本特性之一。（）

A:对B:错

答案:错

第三章测试

每个布里渊区的体积均相等，都等于倒格子（）的体积。

A:单胞

B:原胞

C:晶胞

D:晶体

答案:原胞

周期性边界条件决定了电子的波矢K在第（）布里渊区内可取值数量与晶体的初基元胞数N相等。

A:三

B:二

C:四

D:一

答案:一

布里渊区的特点不包括()

A:各个布里渊区的形状都不相同

B:各布里渊区经过适当的平移，都可移到第一布里渊区且与之重合

C:每个布里渊区的体积都不相等

D:晶体结构的布喇菲格子虽然相同，但其布里渊区形状却不会相同

答案:每个布里渊区的体积都不相等

;晶体结构的布喇菲格子虽然相同，但其布里渊区形状却不会相同

对于一定的布喇菲晶格，基矢的选择是不唯一的，但是对应的倒格子空间是唯一的。（）

A:对B:错

答案:对

存在布里渊区经过任何的平移都无法移到第一布里渊区且与之重合。()

A:对B:错

答案:错

第四章测试

如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为（）

A:窄禁带半导体

B:宽禁带半导体

C:直接禁带半导体

D:简介禁带半导体

答案:直接禁带半导体

固体能带论的三个基本近似不包括（）

A:单电子近似

B:周期场近似

C:绝热近似

D:玻尔兹曼近似

答案:玻尔兹曼近似

依照量子自由电子论，下列不是K空间中电子的等能面的是（）

A:球面

B:椭球面

C:抛物面

D:不规则曲面

答案:椭球面

;抛物面

;不规则曲面

硅材料的能带结构和锗材料的能带结构相同。（）

A:对B:错

答案:错

根据能带理论，电子的能态密度随能量变化的趋势是随能量增高而单调增大。（）

A:对B:错

答案:错

第五章测试

将特定的杂质原子渗入硅材料中间的过程叫做（）

A:刻蚀

B:渗透

C:扩散

D:互联

答案:扩散

下列工艺属于外延生长技术的是（）

A:分子束外延

B:液相外延

C:CVD

D:离子束外延

答案:分子束外延

;液相外延

;CVD

;离子束外延

影响CZ直拉法的两个主要参数是拉伸速率和晶体旋转速率（）

A:对B:错

答案:对

CVD是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺（）

A:错B:对

答案:对

与扩散相比，离子注入有两个优点，离子注入的工艺，是低温工艺，可以获得良好的掺杂层。（）

A:错B:对

答案:对

第六章测试

杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由（）决定。

A:掺杂浓度和禁带宽度

B:温度和掺杂浓度

C:温度、掺杂浓度和禁带宽度

D:温度和禁带宽度

答案:温度和禁带宽度

关于空穴，下列说法正确的是（）

A:半导体中电子空穴共同参与导电

B:空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子

C:空穴具有正的有效质量

D:空穴带正电荷

答案:半导体中电子空穴共同参与导电

;空穴具有正的有效质量

;空穴带正电荷

关于本征半导体，下列说法中正确的是（）

A:本征半导体不含有任何杂质和缺陷

B:本征半导体的费米能级E=E基本位于禁带中线处

C:本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身

D:本征半导体的电中性条件是qn=qp

答案:本征半导体不含有任何杂质和缺陷

;本征半导体的费米能级E=E基本位于禁带中线处

;本征半导体的电中性条件是qn=qp

费米分布函数不适用于简并的电子系统。（）

A:错B:对

答案:错

将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起受主杂质作用，若Si取As则起施主杂质作用。（）

A:错B:对

答案:错

第七章测试

以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率μ与温度的-3/2次方的关系为（）

A:互为倒数

B:成反比

C:乘积为1/e

D:成正比

答案:成正比

反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量（）

A:扩散系数

B:迁移率

C:扩散电流密度

D:速度饱和值

答案:扩散系数

由于载流子在一定（）的作用下而产生电流是漂移电流。

A:电场力

B:磁场力

C:引力

D:弱相互作用力

答案:电场力

总电流密度是以下哪几项之和（）

A:空穴扩散电流

B:电子扩散电流

C:电子漂移电流

D:空穴漂移电流

答案:空穴扩散电流

;电子扩散电流

;电子漂移电流

;空穴漂移电流

爱因斯坦关系式是描述迁移率和扩散系数的关系式。（）

A:对B:错

答案:对

第八章测试

非平衡载流子的复合率定义为单位时间单位体积净复合消失的电子-空穴对数。下面表达式中不等于复合率的（）

A:

B:

C:

D:

答案:

直接复合时，小注入的小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命决定于（）

A:

B:

C:其他

D:

答案:

半导体中的载流子复合的途径，不包括（）

A:通过禁带内的复合中心进行复合

B:带间电子-空穴直接复合

C:通过价带内的复合中心进行复合

D:带间电子-空穴间接复合

答案:通过价带内的复合中心进行复合

;带间电子-空穴间接复合

导带中的电子越过禁带跃迁到价带,与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。（）

A:对B:错

答案:错

非平衡载流子通过复合作用产生。（）

A:对B:错

答案:错

第九章测试

关于pn结，下列说法中不正确的是（）

A:所谓平衡pn结指的是热平衡状态下的pn结

B:pn结是结型半导体器件的心脏。

C:pn结空间电荷区中的内建电场起着阻碍电子和空穴继续扩散的作用

D:平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等

答案:平衡时，pn结空间电荷区中正电荷区和负电荷区的宽度一定相等

金属与P型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（）

A:其他

B:Wm=Ws

C:Wm＞Ws

D:Wm＜Ws

答案:Wm＜Ws

金属和半导体接触分包括：（）

A