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GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究的开题报告开题报告题目：GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究一、选题背景及意义氮化镓(GaN)是一种具有广泛应用前景的半导体材料，具有高能隙、高电子饱和迁移率等优秀特性，因此在高功率、高频率电子器件等领域有着广泛的应用。其中，肖特基接触是GaN元件的重要组成部分，其性能直接关系到GaN元件的性能和稳定性。因此，对肖特基接触结构和材料的研究具有重要的意义。目前，GaN基器件的肖特基接触主要采用Pt、Ni、Au等金属材料制备，但存在接触电阻大、界面质量差等问题。因此，如何改进肖特基接触的结构和材料，提高其性能已成为GaN基器件研究的重要方向。二、研究内容及方案1.探索新的肖特基接触结构目前，GaN基器件的肖特基接触结构主要有侧面接触和表面接触两种。而针对不同的应用场合，可能需要不同的接触结构。因此，本研究将探索新的肖特基接触结构，包括非对称结构、三维肖特基结构等，以提高肖特基接触的性能。2.研究新的肖特基接触材料除Pt、Ni、Au等传统金属材料外，还有钼(Mo)、铱(Ir)、铂钇(PtY)等新型金属材料可用于肖特基接触的制备。此外，石墨烯、二硫化钼(MoS2)等二维材料也被研究用于肖特基接触的制备。因此，本研究将研究新型材料制备肖特基接触，并比较其与传统材料的性能差异。3.肖特基接触性能测试本研究将利用测试仪器测试肖特基接触的电性能参数，包括肖特基势垒高、接触电阻、反向漏电流、反向电容等。依据实验得到的性能参数，结合理论计算，探究肖特基接触中的物理机制。三、预期成果和意义本研究预计获得以下成果：1.探究新的肖特基接触结构和新型材料的制备方法及其对肖特基接触性能影响的实验结果；2.获得肖特基接触的电性能参数，并通过理论计算探究肖特基接触中的物理机制。此外，本研究将有助于提高GaN基器件的性能和稳定性，为GaN元件的应用提供基础研究支撑。四、研究进度安排时间节点|研究内容-----------------|--------------------------2021年9月-10月|文献调研，选题确定2021年10月-11月|探究新的肖特基接触结构的制备方法；2021年11月-12月|研究新型材料制备肖特基接触并比较其与传统材料性能差异；2022年1月-2月|测试肖特基接触的电性能参数；2022年3月-4月|分析实验结果，探究肖特基接触中的物理机制；2022年5月-6月|完成论文撰写与答辩准备。五、参考文献[1]黄力红，邹芳嫦.GaN基肖特基结电子学研究[J].物理学进展，2015，35（5）：164-179.[2]宋夫尔，梁冠军，恽永健.二维材料在肖特基接触中的应用研究进展[J].材料科学与工艺，2019，27（4）：61-69.[3]MendisBG，HackeP，BatudeTh，etal.NewinsightsonGaN-basedSch

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