(电力电子器件故障诊断)

电力电子器件缺点诊断培训中心电力半导体器件的飞速开展大大拓宽了电力电子技术的运用范围。无论是信息技术，还是电力技术，都离不开电力电子器件。尤其是在开关电源、伺服驱动、感应加热、工业传动、电焊机、汽车电子、家用电器等领域都得到了广泛的运用。但在运用中出现了许多缺点不容忽视电力电子器件根底知识电力电子器件的典型缺点电力电子器件的普通检测方法电力电子器件的劣化机理电力电子器件缺点诊断要点电力电子器件形状在线测试技术授课提纲电力电子器件的根底知识电力电子器件的根底知识半控型器件不可控器件全控型器件按照器件可以被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类：晶闸管GTR、GTO、IGBT电力MOSFET、IGCT、IEGT电力二极管电力电子器件的分类1)电流驱动型2)电压驱动型经过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制仅经过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类：电力电子器件的根底知识电力电子器件的分类按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类：1)单极型器件2)双极型器件3)复合型器件由一种载流子参与导电的器件(MOSFET)由电子和空穴两种载流子参与导电的器件(SCR,GTO,GTR,IGCT)由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件(IGBT,IEGT)电力电子器件的根底知识电力电子器件的分类电力电子常用器件晶闸管SCR可关断晶闸管GTO绝缘栅双极晶体管IGBT集成门极换流晶闸管IGCT促进电子注入绝缘栅双极晶体管IEGT电力电子器件的根底知识详细阐明SCR晶闸管大容量,高过载才干，效率高，频率低，功率因数低，谐波旁频技术成熟、易维护,构造简单、投资低,运转费用低,国产化,交交变频仍是主流SCR器件〔国产〕的过载才干：以2500A/2500V为例。其通态不反复电流可达41KA〔10ms正弦半波〕，可接受电流上升率为150A/微秒，电压上升率为500V/微秒。电力电子器件的根底知识PWM，频率高，功率因数高可以经过向门极施加负脉冲电流进展关断已达9kV、25kA、800Hz及6kV、6kA、1kHz的程度存在任务频率较低、需设置专门的缓冲电路等缺陷GTO器件〔国产〕的过载才干：以2000A/2500V为例。其通态不反复电流可达14KA〔10ms正弦半波〕，可接受电流上升率为300A/微秒，电压上升率为500V/微秒。GTO可关断晶闸管电力电子器件的根底知识IGBT绝缘栅双极晶体管减少通态压降,改良方法

--平板型构造

--沟槽工艺:促进电子注入栅极难点

--增大容量小晶体管并联,构造复杂

--通态压降大----4000V~50V左右SIEMENS--1200A/3300V,500A/6500V

FUJI----1000A/2500V平板IGBT电力电子器件的根底知识IGCT集成门极换流晶闸管减少门极驱动回路的电感，加快门极电流上升率，取消缓冲电路,加快开关速度,提高效率环状门极,主电流全部换流到门极，把驱动电路集成安装在器件旁IGCT(ABB),GCT(Mitsubishi)，6KA/6KV电力电子器件的根底知识IEGT促进电子注入绝缘栅双极晶体管其汲取了IGBT和GTO两者的优点，称为“注入加强栅晶体管〞，它是在沟槽型IGBT根底上，把部分沟道同P区相联使发射极区注入加强，使得IEGT具有高电压大电流和高的任务频率，使其更适宜于高电压大功率、高频率的变频安装，IEGT具有IGBT元件电压驱动,开关速度快，可自维护等优点电力电子器件的根底知识GTO、IGBT、IGCT、IEGT性能比较电力电子器件的根底知识电力电子器件的驱动电力电子电路中各种驱动电路的电路构造取决于开关器件的类型、主电路的拓扑构造和电压电流等级。采用性能良好的驱动电路，可以使电力电子器件任务在较理想的开关形状，缩短开关时间，减少开关损耗，对安装的运转效率、可靠性和平安性都有重要意义。另外，对电力电子器件或整个安装的一些维护环节，如控制电路与主电路之间的电气隔离环节及对整个电路的缓冲环节等，也设在驱动电路或经过驱动电路来实现，这些都使得驱动电路的设计尤为重要。电力电子器件的根底知识常见的驱动电路晶闸管触发电路GTO驱动电路IGBT驱动电路电力电子器件的根底知识晶闸管触发电路1.晶闸管对触发电路的要求1)触发信号应有足够大的功率2)触发脉冲的同步及移相范围3)触发脉冲信号应有足够的宽度，且前沿要陡4)为使并联晶闸管元件能同时导通，触发电路应能产生强触发脉冲5)应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离电力电子器件的根底知识同步信号为锯齿波的触发电路同步信号为锯齿波的触发电路电力电子器件的根底知识晶闸管触发电路数字触发电路在各种数字触发电路中，目前运用较多的是以微机为控制中心的数字触发器。这种触发电路的特点是构造简单，控制灵敏，准确可靠。该触发器由脉冲同步、脉冲移相、脉冲构成与输出等几个部分构成。单片机数字触发器的原理框图电力电子器件的根底知识GTO对门极驱动电路的根本要求GTO的门极驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，其构造表示图及其理想的门极驱动电流波形如下图。门极驱动电路构造表示图及理想的门极驱动电流波形电力电子器件的根底知识GTO驱动电路2.门极驱动电路实例1)小容量GTO门极驱动电路门极驱动电路实例1电力电子器件的根底知识IGBT驱动电路1.对栅极驱动电路的根本要求①要求驱动电路具有较小的内阻。②栅极驱动电源的功率要足够大。③要提供大小适宜的正向驱动电压Uge。④要提供大小适宜的反向驱动电压。⑤要提供适宜的开关时间。⑥要有较强的抗干扰才干及对IGBT的维护功能。电力电子器件的根底知识IGBT驱动电路2.驱动电路实例1)分立元件组成的驱动电路①实例1采用光电耦合器进展隔离的栅极驱动电路电力电子器件的根底知识IGBT驱动电路2)集成驱动电路同其他的电力电子器件一样，由分立元件组成的IGBT驱动电路也存在着可靠性问题。为此，目前曾经研制出多种公用的IGBT集成驱动电路。这些集成化驱动模块抗干扰才干强、速度快、维护功能完善，可实现IGBT的最优驱动。电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护在电力电子电路中，为了防止器件及线路出现损坏电力电子元件参数要选择适宜、设计良好的驱动电路；设置必要的散热电路、必要的维护电路环节和缓冲处置电路电力电子器件的根底知识详细阐明电力电子器件的散热技术1)稳态热阻普通来说，器件散热时的总热阻RθJ包括两部分：一是PN结至外壳的内热阻RθJc，二是由外壳至散热器的热阻RθJa以及散热器至环境介质的热阻构成的外热阻RθJb。2)散热措施①减小接触热阻RθJa。②减小散热器热阻RθJb。电力电子器件的根底知识电力电子器件的散热技术散热器的选配散热器的选配原那么是保证器件的最高运转结温不超越额定结温。选配散热器时首先要知道所用器件的参数、负载变化情况及任务环境等条件，然后确定器件的耗散功率。由器件耗散功率和额定结温确定必要的散热器热阻，借以确定散热器的型号。电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护1.晶闸管的维护1)晶闸管的串并联(1)晶闸管的串联(a)电压分配(b)静态均压电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护(2)晶闸管的并联(a)电流分配(b)晶闸管并联电路(a)电阻均流(b)电抗均流电阻均流与电抗均流晶闸管并联时的电流分配电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护2)晶闸管的维护(1)过电压维护按过电压维护的部位来分，有交流侧维护、直流侧维护和元件维护等几部分。晶闸管安装可采用的过电压维护措施电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护(2)过电流维护晶闸管安装能够采取的过电流维护措施1－进线电抗器；2－电流检测和过流继电器；3－交流侧快熔；4－晶闸管串联快熔；5－直流侧快熔；6－过流继电器；7－直流快速开关电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护(3)电压上升率du/dt及其限制晶闸管在阻断形状下存在结电容。当加在晶闸管上的正向电压上升率du/dt较大时，结电容充电电流起到触发电流的作用，使晶闸管误导通，呵斥安装的失控。因此，必需采取措施抑制du/dt。晶闸管的RC维护电路可以起到抑制du/dt的作用。在每个桥臂串入桥臂电抗器也是防止过大呵斥晶闸管误导通的有效方法。此外，对于小容量的晶闸管，在其门极和阴极之间接一电容，使du/dt产生的充电电流不流过结电容，而经过电容C流到阴极，也能防止因du/dt过大而使晶闸管误导通。电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护(4)电流上升率di/dt及其限制晶闸管在导通瞬间，电流集中在门极附近，随着时间的推移导通区才逐渐扩展，直到整个结面导通为止。在此过程中，电流上升率di/dt应限制在通态电流临界上升率以内，否那么将导致门极附近过热，损坏晶闸管。增大阻容维护中电阻值可以减小di/dt，但会降低阻容维护对晶闸管过电压维护的效果。在晶闸管回路串联电感是限制di/dt的有效方法。晶闸管的维护是关系到晶闸管安装能否平安可靠地运转的问题，但对于维护安装的定量计算还没有成熟的和一致的计算方法，有待于进一步研讨和实际。电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护2.全控型电力电子器件的维护1)GTR的过电流维护GTR的过电流维护电路电力电子器件的根底知识电力电子器件的维护2)IGBT的过电流维护(a)电阻维护电路(b)霍尔传感器维护电路IGBT的过电流维护电路电力电子器件的根底知识基于IGCT的中压大容量传动安装的维护(有源整流器与逆变器均用IGCT时)DC-Bus=~=~ExcitationCircuit2x5/3.16kV6000kVAIIIy0/Yd11150kVA380/380Vprel.125kVA/trafoACM6209_A12_1s9_1s9_ABBAMZSynchronousmotorwithbrushesInverter9MVAInverter9MVA4600kW3050V884A450-650/750rpm2AC380V穿孔主传动系统图10kV电力电子器件的根底知识第1级维护：调理系统本身的限流维护。第2级维护：运转过电流维护(电机突加负载、调理不当、电机堵转)，特点是电流流入电机绕组，其电流因其回路电感较大而上升较慢，所以采取关断一切IGCT的方法来实现维护。第3级维护：短路维护(IGCT损坏、IGCT误触发、逆变器内部短路等)，特点是电流不流入电机，其电流上升率仅取决于主回路电感，电流上升非常快，超越IGCT的最大可关断电流时其维护没起作用，那么安装会严重损坏。所以，短路的维护原那么就是当短路电流还未到达IGCT的最大可关断电流时开通一切IGCT器件来共同分担短路电流，防止器件损坏和缺点扩展。电力电子器件的根底知识1.根本方式缓冲电路通常由电阻、电容、电感及二极管组成，其根本类型可分为关断缓冲电路、开通缓冲电路和复合缓冲电路几种方式。1)关断缓冲电路关断缓冲电路又称为抑制电路，用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。关断缓冲电路电力电子器件的根底知识缓冲电路2)开通缓冲电路开通缓冲电路又称为di/dt抑制电路，用于抑制器件开经过程中的电流过冲和di/dt。开通缓冲电路电力电子器件的根底知识3)复合缓冲电路将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一同所构成的电路称为复合缓冲电路，它可以在GTR关断和开通时均起到维护作用，因此在实践中运用较多。(a)耗能式电路(b)馈能式电路电力电子器件的根底知识(a)小容量(b)中容量(c)大容量用于IGBT桥臂模块的缓冲电路电力电子器件的根底知识1〕电源类2〕交流电力控制器类3〕电机传动类4〕高压直流输电类5〕无功补偿6〕其它电力电子安装的运用电力电子器件的根底知识基于晶闸管的三相桥式电力电子安装在电气传动中的运用最广泛MM供电系统主电路图~35KV晶闸管三相桥式电力电子安装主电路AKAK－＋10并10并10并10并10并10并电力电子器件的根底知识由晶闸管组成的电流源变频安装电力电子器件的根底知识基于晶闸管的交交变频安装典型运用于宝钢2050热轧主传动电力电子器件的根底知识基于GTO的大功率三电平PWM变频调速系统宝钢1580主传动GTO：6KV，6KA。在机车牵引、交流电机调速等领域被广泛推行运用电力电子器件的根底知识基于GTO器件构成的电力电子传动安装电力电子器件的根底知识基于IGCT构成电力电子安装ABB-ACS6000上海宝钢分公司钢管厂穿孔机电力电子器件的根底知识大功率IEGT交直交变频调速安装宝钢三热轧：4.5KV，5.5〔TMEIC：Tpey:ST2100GXH24〕IEGT整流器和逆变器中间电平导通电力电子器件的根底知识

一期工程：晶闸管〔SCR：4000V/800A〕、快速晶闸管(FASCR:1600V/800A)、GTR晶体管二期工程：晶闸管〔SCR:3300V/2200A〕、可关断晶闸管〔GTO：6000V/6000A〕三期工程：晶闸管〔SCR：2500V/3200A〕、绝缘栅双极晶体管〔IGBT：〕、电力场效应管MOSFET：500V/240A〕规划工程及技术改造工程：晶闸管〔SCR：五英寸管〕、绝缘栅双极晶体管〔IGBT：〕、注射加强型门极晶体管〔IEGT：4500V/4000A〕、集成门极换流晶闸管〔IGCT：4500/3800A〕典型电力电子器件在宝钢运用总况电力电子器件的根底知识电力电子器件在梅钢公司的运用举例序号设备名称主要功能电路结构电力电子器件使用情况种类数量容量1F3~F6主机轧线主传动可控硅整流器12/6可控硅2165640KW2换辊、除磷辊道换辊、除磷交直交变频器IGBT6675KW3F1-F6压下电动压下可控硅整流器可控硅36250KW电力电子器件的根底知识电力电子器件在梅山公司的运用举例序号设备名称主要功能电路结构电力电子器件使用情况种类数量容量1变频器调速控制交直交变频器IGBT110台31613.2KW2同步机励磁系统励磁可控硅整流可控硅12套5030kw3强磁机磁场控制可控硅整流可控硅20套1200kw电力电子器件的根底知识高压大功率电力电子器件运用趋势电力电子器件的根底知识IGBT为主体，第四代产品，制造程度2.5kV/1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断开展，与IGCT等新器件猛烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。GTO：兆瓦以上首选，制造程度6kV/6kA。光控晶闸管：功率更大场所，8kV/3.5kA，安装最高达300MVA，容量最大。电力MOSFET：长足提高，中小功率领域特别是低压，位置结实。功率模块和功率集成电路是如今电力电子开展的一个共同趋势。当前的格局:电力电子器件的根底知识电力电子器件的典型缺点电力电子器件损坏的实例电力电子器件的典型缺点案例1楼主夜大学生

发帖时间：2021-10-1610:28:23我厂一条消费线，最近延续烧了两台丹佛斯变频器〔鼓风110KW，引风200KW〕模块崩碎，不知道什么缘由，请问我厂如今正在扩建，施工单位运用很多电子电焊机，和这有关系吗？电焊机产生的谐波影响变频器？怎样处置请指教。

28楼回复时间：2021-10-1619:37:31我和夜大学生是同事，应该是坏了三台，首先一台２００ＫＷ炸机，三块整流模块炸了两块，两块ＩＧＢＴ全部炸坏，高频吸收板放电严重，预充电板三项整流模块击传，检查电机，电缆，改换损坏的空开，接触器后改换备机，运转一天跳车，报警提示４，检查三相供电正常后复位启动，发现频率在２７ＨＺ时报警提示４，在超越３１ＨＺ时报警消逝，但是频繁提示报警６，厂家来人检查预充电板三项整流模块击传，改换后正常，几天后与它相邻的１１０ＫＷ炸机，三块整流模块全部炸碎，一块ＩＧＢＴ炸坏，高频吸收板放电，整流驱动和ＩＧＢＴ驱动板损坏，厂家来人改换后正常，损失繁重，可以排除电机，电缆和环境影响，ＭＣＣ是封锁的，装有空调［我们指点办公室都没有空调］，供电电压稳定，三相也平衡，厂家也说不出什么来，只是说能够和供电质量有关系，真是愁人，请各位高人协助分析一下，电力电子器件的典型缺点炸坏的ＳＣＩ和ＩＧＢＴ模块电力电子器件的典型缺点机器上没有拆下的摸快电力电子器件的典型缺点２００ＫＷ变频器中损坏的ＩＧＢＴ和高频吸收板电力电子器件的典型缺点一台送修的美国AB的变频器，整流，逆变模块都炸了，案例2电力电子器件的典型缺点电力电子器件的典型缺点电力电子器件的典型缺点电力电子器件的典型缺点烧毁的富士7MBR系列IGBT，7单元，从三菱FR-A024变频器上换下的，图中可看出，炸掉了输出部份的一个桥臂案例3电力电子器件的典型缺点

案例41〕

缺点景象：某厂一管端焊缝热处置中频电源安装功率达不到额定值而指令抢修。2〕

缺点诊断分析：由于系统可以送电起动运转，只是功率出不来，首先疑心整流器和逆变器有无问题，从整流电压表指示值正常可以判别整流器也无问题，重点应检查逆变器。3〕缺点处置在线测逆变器脉冲无异常后，停电静态测试逆变器晶闸管正反向电阻没发现异常，再在线测试逆变晶闸管门极电阻也无异常中。这里主要是在线测试晶闸管门极电阻时没有将门极与驱动级断开，所以不能真正反映出门极有无问题〔脉冲变压器、维护二极管及电阻电容存在〕。门极与驱动级脱开后再测试其门极电阻，发现一只晶闸管门极已断路，表指示无穷大，改换该晶闸管后，电源功率到达额定输出。4〕

缺点启示这是一同晶闸管安装不规范的典型的人为要素缺点，既过大力矩压坏了晶闸管〔下线后测晶闸管门极电阻又恢复到了正常，但明显可见晶闸管已压变形了〕。晶闸管门极异常缺点诊断

1〕缺点景象：某厂钢管芯棒一中频电源逆变器在热运转不长时间就会发生晶闸管损坏缺点，改换备件后，同样是热运转一会时间又将改换的备件晶闸管损坏，明显特征是损坏晶闸的位置根本没有变化。1〕缺点诊断分析根据热运转一段时间后才发生晶闸管损坏这一景象，首先应疑心晶闸管损坏与热有关，经过对晶闸管壳温测试阐明，只需晶闸管壳温超越50℃以上后，器件就有马上损坏能够。由于对其它桥臂的晶闸管壳温检测，温度在45℃就能坚持其稳定运转。根据景象，首先排除了晶闸管本身质量问题，重点疑心晶闸管安装质量，对其安装晶闸管组件解体没有发现问题，再察看现晶闸管接触的铜母排时发现外表已严重污垢，这将是导致接触电阻大，发热大的根源。3〕问题处置对策对于铜的处置不能简单的外表磨光砂纸打，假设经过这样处置后会加速铜外表氧化，会导致问题的更加严重。鉴于该安装离改造只需半年时间，所以，此次处置采用了砂纸对铜排外表打光方法，使得设备功能快速得到了恢复。

晶闸管器件过热损坏缺点诊断案例5

电镀电源频繁烧坏整流二极管的缺点诊断分析1〕缺点景象：该电镀电源共有24套，其中一套整流二极管损坏后，备件上机后不久又损坏，延续发生四次。2〕缺点诊断分析：由于是二极管整流，与控制要素无关，直接诊断为二极管损坏后安装质量存在问题。3〕处置方法：规范安装整流管后，电镀电源运转稳定。案例6

晶闸管式中频电源安装疑问缺点诊断与分析

缺点景象该中频电源安装于1985年9月投入正常运转，1992年8月发生第一次缺点。缺点景象为中频电源在钢管芯棒淬火过程中发生逆变颠覆，损坏晶闸管TA1和TA2。改换了晶闸管后，采取降低负载电压和适当减小电流限幅值的方法再次起动安装，运转15分钟左右出现过电流跳闸，但没有烧坏晶闸管。但是，只需加大加热电源功率那么就会立刻发生逆变颠覆损坏晶闸管景象。电力电子器件的典型缺点布置部门受理单位要求前往日期实践前往日期专业属性缺点停机时间(h)设备管中电试室当日当日E

布置内容2050热轧精轧F2可控硅缺点缘由调查缺点经过：8月30日15:25，2050热轧精轧F2跳电，系统报“1号系统A相晶闸管监控缺点〞。经检查，发现可控硅柜脉冲分配板SAV2122号、24号指示灯闪烁，根据缺点定义，判别缺点应为1＃系统A相V261＃可控硅没有导通引起，先后改换脉冲分配板SAV21和V261＃可控硅，缺点照旧。将V261＃可控硅对应的脉冲光电转换板改换后，18:00左右系统恢复正常。缺点处置期间，17:20现场实施换辊，轧机于21:50恢复消费。填写：王武君刘俊岭日期：2007-8-31公司设备缺点跟踪调查表布置日期：2007年8月31日编号：07－0635－1电力电子器件的典型缺点公司设备缺点跟踪调查表布置日期：2007年9月10日编号：07－0674－1布置部门受理单位要求前往日期实践前往日期专业属性缺点停机时间(h)设备管中电试室当日当日E

布置内容2050热轧F2主传动跳电缺点缘由调查缺点经过：9月7日6:42，2050正常消费过程中精轧F2跳电，系统报“1#系统反向过电流〞缺点。现场人员对该缺点检测接口板进展改换，发现缺点没有转移。对1#系统主回路可控硅进展检查，发现有可控硅导通短路景象。于是，将主回路可控硅拆掉逐个进展丈量，发现8月30日缺点处置中改换的一只可控硅损坏。改换该可控硅后，系统恢复正常。填写：张林刘俊岭日期：2007-9-10电力电子器件的典型缺点电力电子安装典型缺点

MF1F2F5F4F3F6F7F8PND1D2D3D4D5D6Q1Q2Q3Q4Q5Q6abcuvwF1：输入电压单相接地缺点；F2：整流二极管短路缺点；F3：直流电接地缺点；F4：直流电滤波电容短路缺点；F5：功率器件基极开路缺点(无驱动信号)；F6：功率器件短路缺点；F7：电动机线间短路缺点；F8：电动机单相接地电力电子器件的典型缺点电力电子安装典型缺点〔晶闸管安装〕F1：输入电压单相接地；F2：整流二极管短路缺点；F3：直流电接地缺点；F4：直流电滤波电容短路缺点；F5：功率器件基极开路缺点(无驱动信号)；F6：功率器件短路缺点；F7：电动机线间短路缺点；F8：电动机单相接地电力电子器件的典型缺点主要电力电子器件的缺点特点

GTOIGBTIGCTIEGT导通损耗低高低高〔中〕开关损耗高中低中开关频率低高高高耐压高〔6500V〕中〔3300V〕高〔6500V〕高门极驱动器独立紧凑集成集成缺点率低高低低缺点方式无爆裂(短路无电弧爆裂〔断路〕电弧无爆裂(短路无电弧无爆裂(短路无电弧冷却双面单面双面双面电力电子器件的典型缺点换流失败；调理控制异常；吸收电路异常；缺相；电联接紧固不良；过负荷；安装联锁异常；布线绝缘老化相碰；外部放电扩展缺点；触发电路引起误触发；通常电力电子安装缺点要因电力电子器件损坏电力电子器件损坏特征电力电子器件开路电力电子器件短路；电力电子器件性能劣化缺点景象难保管缺点反复出现电力电子安装的缺点特点电力电子器件的典型缺点电力电子器件的检测方法电力电子器件的检测的方法：电力电子器件常规测试电力电子器件的特殊测试电力电子器件的离线检测走漏电流法形状监测技术电力电子器件的检测方法晶闸管的简易测试判别晶闸管的电极〔指针式万用表法〕对于小功率晶闸管，利用“×1K〞挡，两表笔恣意丈量两极间电阻的阻值，直到测得某两极正反向阻值的差值很大为止，且正向阻值约几百欧以下，反向阻值大于几千欧。这时，在阻值小的那次丈量中，黑表笔所接的是晶闸管的G，红表笔接的是K，剩下的那么是A。电力电子器件的检测方法晶闸管根本测试R×1Ω档测：RGK、很大(上KΩ)或很小(近0Ω)那么阐明晶闸管已坏(击穿)；R×1KΩ档测：RAK和RAG之间正反向电阻均很小(几十欧)，阐明两个PN结已坏。可控性测试黑表笔接A极，红表笔接K极，此时表针应偏转很小，快速短接一下A极与G极，表针偏转角度明显变大且能不断坚持，阐明管子功能正常电力电子器件的检测方法对于大功率晶闸管，可用“×10k〞或“×1k〞挡检测，但测得的阻值分别比上述小功率晶闸管小1～2个数量级，判别法完全一样现场实验电力电子器件的检测方法可以判别出来器件完全击穿的情况器件阻断电压受损尚未完全击穿时无法检测出来因器件的参数分散性用万用表检测会有较大差别，会让运用者产生错误判别会出现一种〞反常〞景象用高阻挠丈量，阳极和阴极的正向电阻很大控制极正、反向电阻很接近控制投触发后不能维持继续导通只可以用万用表对器件进展一些粗略的检测应该进一步检测电力电子器件的检测方法万用表法存在的问题2〕IGBT的简易测试电力电子器件的检测方法判别极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，假设某一极与其它两极阻值为无穷大，互换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，那么判别此极为栅极〔G〕。其他两极再用万用表丈量，假设测得阻值为无穷大，互换表笔后丈量阻值较小。在丈量阻值较小的一次中，那么判别红表笔接的为集电极〔C〕；黑表笔接的为发射极〔E〕。判别好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极〔C〕，红表笔接IGBT的发射极〔E〕，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极〔G〕和集电极〔C〕，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极〔G〕和发射极〔E〕，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判别IGBT是好的。本卷须知任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。留意判别IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判别IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管〔P-MOSFET〕的好坏。电力电子器件的检测方法IGBT模块能否破坏可以经过晶体管特性测定安装或万用表丈量，对以下工程进展检查从而简单地判别缺点。①G-E间的漏电流②C-E间的漏电流③可控检测电力电子器件的检测方法G-E间检测如下图，使C-E间处于短路形状，测定G-E间的漏电流或电阻值(请不要在G-E间外加超出±20V的电压。运用万用表时，必需确认其内部的蓄电池电压在20V以下。)。假设数百nA级(运用万用表时电阻数十MΩ～无限大)。除此以外的形状下，元件曾经破坏产品正常，漏电流将变成的能够性很高(普通情况，假设元件破坏，G-E间将处于短路形状)。电力电子器件的检测方法C-E间检测如下图，让G-E间处于短路形状，测定C-E间(衔接方式为集电极为+，发射极为-。如相反，那么FWD导通，C-E间将短路)的漏电流或电阻。假设产品正常，漏电流将处于阐明书中记载的ICES最大值以下(运用万用表时电阻数十MΩ～无限大)。除此以外的形状下，元件曾经破坏的能够性很高(普通情况，假设元件破坏，C-E间将处于短路形状)。电力电子器件的检测方法可控检测如下图让G—E间处于开路路形状，C〔黑笔〕到E〔红笔〕如相反，那么二极管D导通，C—E间为D导通阻值瞬间短接G—C后，C—E间导通瞬间短接G—E后，C—E间恢复阻断，否那么元件曾经破坏的能够性很高。电力电子器件的检测方法现场实验电力电子器件的检测方法※测试过程本卷须知绝对不要对集电极一门极间进展耐压测试。这能够导致集电极一门极间构成密勒电容部分的氧化膜的绝缘破坏。在检测中手不能接触BE极，以免产生感应电压，损坏模块内部元件，最好在手腕上套一个接地环。模块防止遭到冲击和震动。电力电子器件的检测方法DUT为被测器件在DUT阻断电压为1000V左右时〔须大于800V〕可采用交流380V电源进展测试D1可采用1-5A耐压1000V以上二极管3只串联LAMP为检测指示灯留意灯的额定电压要与进线交流电压配合假设用220V的灯泡，可根据进线电压高低采