第5章 结构缺陷及固溶1

材料科学根底第五章结构缺陷及固溶体编辑ppt材料科学根底定义：与理想的晶体结构比照而言，晶体中质点不按严格的点阵排列，偏离了理想结构的规律周期排列，称之为晶体结构缺陷。编辑ppt材料科学根底结构缺陷的意义

编辑ppt材料科学根底5.1缺陷类型与特征一般按照尺度范围分类，即按照偏离理想结构的周期性有规律排列的区域大小来分类。〔1〕点缺陷〔2〕线缺陷〔3〕面缺陷〔4〕体缺陷编辑ppt材料科学根底〔1〕点缺陷由于各种原因使晶体内部质点有规那么的周期性排列遭到破坏，引起质点间势场畸变，产生晶体结构不完整性，但其尺度仅仅局限在1个或假设干个原子级大小的范围内，这种缺陷就称为点缺陷。零维缺陷。编辑ppt材料科学根底〔2〕线缺陷如果晶体内部质点排列的规律性在某一方向上到达一定的尺度范围遭到破坏，就称为线缺陷，也称位错。一维缺陷。编辑ppt材料科学根底〔3〕面缺陷如果晶体内部质点排列的规律性在二维方向上一定的尺度范围内遭到破坏，就称为面缺陷，有晶体外表、晶界、相界、堆垛层错等假设干种，二维缺陷。编辑ppt材料科学根底〔4〕体缺陷如果晶体内部质点排列的规律性在三维空间一定的尺度范围内遭到破坏，就称为体缺陷，例如亚结构〔嵌镶块〕、沉淀相、层错四面体、晶粒内的气孔和第二相夹杂物等，三维缺陷。编辑ppt材料科学根底表5-1结构缺陷类型

种类名称种类名称瞬变缺陷声子复合缺陷簇电子缺陷电子切变结构电子空穴块结构点缺陷空位线缺陷位错间隙原子（或离子）面缺陷晶体表面杂质原子（或离子）晶粒间界替代原子（或离子）体缺陷气孔、异相夹杂物、亚结构缔合中心

编辑ppt材料科学根底5.2点缺陷

编辑ppt材料科学根底5.2.1点缺陷分类分类方法分别有按照位置、成分和产生原因等不同角度进行分类，不同分类方法可能产生重叠交叉。

编辑ppt材料科学根底1.按照位置和成分分类

空位

填隙质点

杂质缺陷

编辑ppt材料科学根底1〕空位：正常结点没有被原子或离子所占据，成为空结点，称为空位或空穴编辑ppt材料科学根底2〕填隙质点：原子或离子进入晶体中正常结点之间的间隙位置，成为填隙原子〔或离子〕或间隙原子〔或离子〕。从成分上看，填隙质点可以是晶体自身的质点，也可以是外来杂质的质点编辑ppt材料科学根底3〕杂质缺陷：外来杂质质点进入晶体中就会生成杂质缺陷，从位置上看，它可以进入结点位置，也可以进入间隙位置编辑ppt材料科学根底2.按照缺陷产生原因分类热缺陷杂质缺陷非化学计量结构缺陷

编辑ppt材料科学根底1〕热缺陷：当晶体的温度高于0K时，由于晶格上质点热振动，使一局部能量较高的质点离开平衡位置而造成缺陷弗仑克尔缺陷〔Frenkel〕肖特基缺陷〔Schottky〕编辑ppt材料科学根底〔1〕弗仑克尔缺陷：在晶格热振动时，一些能量较大的质点离开平衡位置后，进入到间隙位置，形成间隙质点，而在原来位置上形成空位编辑ppt材料科学根底特点：间隙质点与空位总是成对出现正离子弗仑克尔缺陷负离子弗仑克尔缺陷二者之间没有直接联系。

编辑ppt材料科学根底影响因素：——与晶体结构有很大关系NaCl型晶体中间隙较小，不易产生弗仑克尔缺陷；萤石型结构中存在很大间隙位置，相对而言比较容易生成填隙离子。编辑ppt材料科学根底〔2〕肖特基缺陷：如果正常格点上的质点，在热起伏过程中获得能量离开平衡位置迁移到晶体的外表，而在晶体内部正常格点上留下空位编辑ppt材料科学根底特点：肖特基缺陷的生成需要一个像晶界、位错或者外表之类的晶格排列混乱的区域；正离子空位和负离于空位按照分子式同时成对产生，伴随晶体体积增加编辑ppt材料科学根底产生复合浓度是温度的函数随着温度升高，缺陷浓度呈指数上升，对于某一特定材料，在—定温度下，热缺陷浓度是恒定的。动平衡编辑ppt材料科学根底2〕杂质缺陷：由于外来质点进入晶体而产生的缺陷取代填隙编辑ppt材料科学根底虽然杂质掺杂量一般较小〔~0.1%〕，进入晶体后无论位于何处，均因杂质质点和原有的质点性质不同，故它不仅破坏了质点有规那么的排列，而且在杂质质点周围的周期势场引起改变，因此形成—种缺陷。编辑ppt材料科学根底晶体中杂质含量在未超过其固溶度时，杂质缺陷的浓度与温度无关，这与热缺陷是不同的。

编辑ppt材料科学根底在某些情况下，晶体中可溶入较大量其他物质，如制造固体氧化物燃料电池电解质材料，使用8~10%〔mol〕Y2O3溶入ZrO2中，Y3+置换Zr4+，形成大量氧空位缺陷，可传导氧离子，从而起到离子导电作用。编辑ppt材料科学根底3〕非化学计量结构缺陷编辑ppt材料科学根底定比定律：化合物分子式一般具有固定的正负离子比，其比值不会随着外界条件而变化，此类化合物称为化学计量化合物编辑ppt材料科学根底一些化合物的化学组成会明显地随着周围气氛性质和压力大小的变化而发生组成偏离化学计量的现象，由此产生的晶体缺陷称为非化学计量缺陷编辑ppt材料科学根底生成n型或p型半导体的重要根底例：TiO2-x〔x=0~1〕，n型半导体编辑ppt材料科学根底5.2.2缺陷化学反响表示法编辑ppt材料科学根底1.缺陷表示法

编辑ppt材料科学根底凡从理论上定性定量地把材料中的点缺陷看作化学实物，并用化学热力学的原理来研究缺陷的产生、平衡及其浓度等问题的一门学科称为缺陷化学。编辑ppt材料科学根底点缺陷符号：克罗格-明克〔Kroger-Vink〕符号编辑ppt材料科学根底①主符号，说明缺陷种类；②下标，表示缺陷位置；③上标，表示缺陷有效电荷，“〞表示有效正电荷，用“〞表示有效负电荷，用“〞表示有效零电荷，零电荷可以省略不标。编辑ppt材料科学根底①空位：VVM——M原子空位VX——X原子空位在金属材料中，只有原子空位

编辑ppt材料科学根底对于离子晶体，如果只是M2+离子离开了格点形成空位，而将2个电子留在了原处，这时电子被束缚在空位上称为附加电子，所以空位带有2个有效负电荷，写成——正离子空位编辑ppt材料科学根底如果X2-离开格点形成空位，将获得的2个电子一起带走，那么空位上附加了2个电子空穴，所以负离子空位上带有2个有效正电荷，写成。编辑ppt材料科学根底电子空穴

编辑ppt材料科学根底②

填隙原子：Mi——

M原子处在间隙位置上Xi——X原子处在间隙位置上如Ca填隙在MgO晶格中写作Cai

编辑ppt材料科学根底③

错放位置：MX表示M原子被错放在X位置上

编辑ppt材料科学根底④

溶质原子：LM表示L溶质处在M位置SX表示S溶质处在X位置例如Ca取代了MgO晶格中的Mg写作CaMg编辑ppt材料科学根底编辑ppt材料科学根底⑤

自由电子e

及电子空穴h

：存在于强离子性材料中，电子并不一定属于某一个特定位置的原子，可以在晶体中运动。在某些缺陷上缺少电子，这就是电子空穴，也不属于某一个特定的原子所有，也不固定在某个特定的原子位置。

编辑ppt材料科学根底⑥带电缺陷：不同价离子之间的替代就出现带电缺陷，如Ca2+取代Na+形成Ca2+取代Zr4+形成编辑ppt材料科学根底⑦

缔合中心：一个带电的点缺陷与另一个带相反电荷的点缺陷相互缔合形成一组或一群新的缺陷，它不是原来两种缺陷的中和消失，这种新缺陷用缔合的缺陷放在括号内表示。缔合中心是一种新的缺陷，并使缺陷总浓度增加。

编辑ppt材料科学根底2.缺陷反响方程式编辑ppt材料科学根底与化学反响式类似，必须遵守一些根本原那么，其中有些规那么与化学反响所需遵循的规那么完全等价编辑ppt材料科学根底①

位置关系：在化合物MaXb中，M位置的数目必须永远与X位置的数目成一个正确的比例，a/b=定值

编辑ppt材料科学根底TiO2在复原气氛中形成TiO2-x外表上，Ti:O=1:(2-x)实际上，生成了x个位置比仍为1:2编辑ppt材料科学根底②

质量平衡：缺陷方程的两边必须保持质量平衡缺陷符号的下标只是表示缺陷位置，对质量平衡没有作用

VM为M位置上的空位，不存在质量。

编辑ppt材料科学根底③电荷守恒：在缺陷反响前后晶体必须保持电中性缺陷反响式两边必须具有相同数目总有效电荷编辑ppt材料科学根底编辑ppt材料科学根底在无机材料中，发生缺陷反响时以质点取代〔置换〕的情况为常见取代类别取代情况缺陷带电性正离子取代高价取代低价正离子空位或负离子填隙负电低价取代高价正离子填隙或负离子空位正电负离子取代高价取代低价负离子空位或正离子填隙正电低价取代高价负离子填隙或正离子空位负电编辑ppt材料科学根底写出CaCl2溶解在KCl中的缺陷反响式编辑ppt材料科学根底3种可能性：①Ca2+取代K+，Cl-进入Cl-晶格位置：②Ca2+取代K+，Cl-进入间隙位置：③Ca2+进入间隙位置，Cl-占据晶格位置：编辑ppt材料科学根底①Ca2+取代K+，Cl-进入Cl-晶格位置

编辑ppt材料科学根底②Ca2+取代K+，Cl-进入间隙位置

编辑ppt材料科学根底③Ca2+进入间隙位置，Cl-占据晶格位置

编辑ppt材料科学根底5.2.3点缺陷的化学平衡

编辑ppt材料科学根底在晶体中，缺陷的产生与恢复是一个动平衡的过程，可用化学反响平衡的质量作用定律来做定量处理。编辑ppt材料科学根底1.弗伦克尔缺陷

编辑ppt材料科学根底晶格离子+未被占据的间隙位置=间隙离子+空位编辑ppt材料科学根底KF为弗伦克尔缺陷反响平衡常数编辑ppt材料科学根底当缺陷浓度很小时，[Vi]

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