《新能源汽车电力电子技术》 习题及答案 第二章 第二节 功率晶体管认知（有答案）

第2节功率晶体管认知一、选择题1.功率场效应晶体管的全程是功率金属氧化物半导体场效应晶体管，简称功率（B）。A.MOSFESB.MOSFETC.MOSFEUD.MOSFED2.功率晶体管的特性是（B）。A.和普通晶体管一样的功率B.耐压高、电流大、开关特性好C.和GTO一样的特性D.反向耐压非常高3.功率晶体管是（B）。A.电压驱动型B.电流驱动型C.功率驱动型D.电容驱动型4.功率晶体管的英文简称是（C）。A.GTSB.GTPC.GTRD.GTU5.GTR的基本工作原理是（C）。A.是用电流ib控制集电极电流iB.是用基极电流ib控制集电流iC.是用基极电流ib控制集电极电流iD.是用基极电流ib控制集电极电流i6.β称为电流（A）系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。A.放大B.缩小C.普通D.以上都不对7.在共发射极接法时的典型输出特性有（C）。A.截止区和饱和区B.放大区和饱和区C.截止区、放大区和饱和区D.截止区和放大区8.功率晶体管的特性有（D）。A.通态特性B.开关特性C.二次击穿特性D.以上都是9.功率晶体管的主要应用（D）。A.作为放大器B.作为大功率半导体开关C.GTR模块D.以上都是10.功率晶体管的工作模式正确的是（B）。A.当BE结反偏、CB结正偏，功率晶体管处于放大模式B.当BE结正偏、CB结反偏，功率晶体管处于放大模式C.当BE结正偏、CB结反偏，功率晶体管处于饱和模式D.当BE结正偏、CB结反偏，功率晶体管处于截止模式11功率晶体管的放大作用表现有（C）。A.用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流B.将较小的功率按比例放大的功率C.A、B均是D.A、B均不是12.功率晶体管的主要参数（D）。A.额定电压B.电流定额C.开关时间D.以上都是13.功率晶体管是（B）。A.单极性大功率器件B.双极性大功率器件C.GTVD.GTP14.对于功率晶体管测试说法错误的是（C）。A.使用万用表测试晶闸管阳极A和阴极K之间的正反电阻值，并记录为Rak和RkaB.断开电路，将负载电阻R2改为10千欧姆C.万用表使用Rx20或Rx100千欧档测量控制极G和阴极K之前的正反电阻值D.根据测试的电阻值判断晶体管的好坏15.万用表使用（B）千欧档测量控制极G和阴极K之前的正反电阻值。A.Rx10和Rx100B.Rx10或Rx100C.Rx10D.Rx10016.对于功率晶体管β测试说法错误的是（D）。A.将万用表拨到hef挡B.将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的插孔中C.从万用表显示屏读出该管的电流放大系数βD.以上都不对17.当栅极电压为（D）时漏源极间存在导电沟道的称为耗尽型。A.3B.2C.1D.零18.对于N沟道器件，栅极电压（B）零时才存在导电沟道的称为增强型。A.小于B.大于C.等于D.不等于19.对于P沟道器件，栅极电压（A）零时才存在导电沟道的称为增强型。A.小于B.大于C.等于D.不等于20.小功率MOS管是一次扩散形成的器件，其导电沟道（C）于芯片表面，是横向导电器件。。

A.斜交B.垂直C.平行D.存在21.功率MOSFET大都采用（B）导电结构。A.斜交B.垂直C.平行D.存在22.垂直导电结构能大大提高器件的（C）。A.耐压B.通流能力C.耐压和通流能力D.耐压或通流能力23.只有当（C）时才会出现导电沟道。

A.UGS>UTB.UGS<UTC.UGS=UTD.UGS≠UT24.漏极击穿电压BUD。BUD是不使器件击穿的极限参数，它（B）漏极电压额定值。A.小于B.大于C.等于D.不等于25.输出特性分为（C）。A.饱和与非饱和B.截止与非饱和C.截止、饱和与非饱和D.截止与饱和26.（A）是指漏极电流ID不随漏源电压UGS的增加而增加，也就是基本保持不变。A.饱和B.非饱和C.输出特性D.以上均不对27.（B）是指漏极电流ID随UGS增加呈线性关系变化。A.饱和B.非饱和C.输出特性D.以上均不对28.动态特性主要描述（C）之间的时间关系，它影响器件的开关过程。A.输入量与变化量B.变化量与输出量C.输入量与输出量D.以上均不对29.对于功率晶体管的检测说法错误的是（B）。A.取出数字万用表和晶体管B.打开万用表，选择HET档，进行测量C.将晶体管C，B，E三个引脚分别插入万用表相应的插孔中，进行测量D.读取数值，将数值与维修手册标准值比较，判断晶体管是否正常30.功率晶体管用于直流电机调速控制，是通过在功率晶体管的（D）加上不同的控制信号，以控制其导通程度来实现的。A.基极、射极B.集电极C.射极D.基极31.晶体管的特点有（D）。A.体积小，重量轻

B.寿命长，功耗低

C.受温度变化影响大

D.以上都是二、判断题1.电成为纯电动汽车和混合动力汽车的研究中心。（√）2.在功率晶体管β测试中，将万用表拨到OFF挡。（×）3.在功率晶体管β测试中，将被测晶体管的B、E三个引脚分别插入相应的插孔中。（×）4.功率晶体管也叫电力晶体管，是目前各种自关断器件中应用较为广泛的一种。。（√）5.β称为电流放大系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。（√）11.当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为：ic=βi6.td表示延迟时间，主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的（√）7.断开电路，将负载电阻R2改为10千欧姆。更换后合上电路。用万用表测试输出电压U0。（√）8.开通过程中，增大基极驱动电流ib的幅值并增大dib/dt，可以缩短td，同时也可以缩短tr，从而加快开通过程。（√）9.关断过程中，ts表示储存时间，是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的（√）10.关断过程中，ts与tf两者之和为关断时间toff，而ts是toff的主要部分，关断时间的数值在微秒数量级（√）11.关断过程中，减小导通时储存的载流子，或者增大基极抽取负电流1.2的幅值和负偏压，可以缩短ts，从而加快关断速度。（√）12.动态特性主要描述输入量与输出量之间的时间关系，它不影响器件的开关过程。（×）三、填空题1.功率晶体管（GiantTransistor，GTR）也叫电力晶体管。2.在数百千瓦以下的低压变频电路中，使用最多的就是GTR。3.GTR是由3层半导体形成的两个PN结构成。4.GTR的基本工作原理与普通的双极结型晶体管是—样的。5.GTR的集电极和发射极施加正向电压后，基极正偏（ib＞06.在应用中，GTR一般采用共发射极接法。7.在共发射极接法时的典型输出特性分为截止区、放大区和饱和区3个区域。8.GTR在导通和关断过程中都要经过放大区。四、问答题1.简述功率晶体管的结构答：①GTR是由3层半导体形成的两个PN结构成；GTR通常采用NPN结构；②和小功率三极管一样，有PNP和NPN两种类型；③GTR通常采用NPN结构。2.简述功率晶体管的动态特性中开通过程答：①td表示延迟时间，主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的；②tr表示上升时间。td与tr两者之和为开通时间ton，一般开通时间为微秒数量级；③增大基极驱动功率晶体管的动态特性电流ib的幅值并增大dib/dt，可以缩短td3.简述功率晶体管的动态特性中关断过程答：①ts表示储存时间，是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的；②ts与tf两者之和为关断时间toff，而ts是toff的主要部分，关断时间的数值在微秒数量级；③减小导通时储存的载流子，或者增大基极抽取负电流1.2的幅值和负偏压，可以缩短ts，从而加快关断速度。分析题1.如图1-1所示，试分析功率晶体管的工作原理答：①GTR的集电极和发射极施加正向电压后，基极正偏（ib＞0②给GTR的基极施加幅值足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通或截止的开关状态；③在应用中，GTR一般采用共发射极接法，如图2-2-所示，集电极电流ic与基极电流ib之比为④β称为电流放大系数，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力⑤当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib图1-12