用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法-征求意见稿

1用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试本文件描述了用于第三象限续流模式（包括硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶T/CASAS005—2022用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试3.1第三象限硬关断thirdquadranthard-switch3.2第三象限零电流关断thirdquadrantzero-currentswitch3.33.42VDS(ON)V测量DUT_ VDS(ON)V测量DUT_ AID电流测量ID3.5器件导通时，从漏极流入的电流值。漏极电流的比较值comparativevalueofdrainI进行动态电阻测试时，控制的漏极电流值。通常需要大于器件额定电流值的3.6预电压应力持续时间timeofpre-volt3.74第三象限续流电路动态导通电阻测试原理I可实现第三象限续流的测试电路有多种形式，图2(a)给出了一种最常见的半桥拓扑测试电路供参主电路; S1S2S1S2S2Vin钳位+- S1S2S1S2S2Vin钳位+-LILRshID ooIDtttooooIDttt图2(b)是采用图2(a)所示的测试电路，使被测器件工作在第三象限硬关断模式时的关键波形时序4动态导通电阻测试模块DUT动态导通电阻测试模块DUT后的每个脉冲开始时，都能实现零电压软开通以及第三象限零测试环境相对湿度不超过65%。计算机控制及数据采集系统5Pre-tstress将器件安装在测试装置上设置测试参数：母线电压（如Vin）、负载电感量、负载电阻值（如有）、开/关脉冲宽度、延迟时间、电压反偏应力时间、双脉冲累计测试次数等在第二个脉冲时，当漏极电流ID电流上升到比较值ID(com)后，同时测量VDS(on)与ID，并计算得到RDS(dyn)根据多次重复测试结果，判断RDS(dyn)值是否稳定输出最终测试结果tstresststresstm(on)tm(on)tm(on)设置测试参数：母线电压（如Vin）、负载电感量、负载电阻值（如有）、开/关脉冲宽度、连续脉冲单次测试时间、延迟时间、电压反偏应力时间、多脉冲累计测试时在连续脉冲阶段，当漏极电流ID电流上升到比较值IPre-tstress将器件安装在测试装置上设置测试参数：母线电压（如Vin）、负载电感量、负载电阻值（如有）、开/关脉冲宽度、延迟时间、电压反偏应力时间、双脉冲累计测试次数等在第二个脉冲时，当漏极电流ID电流上升到比较值ID(com)后，同时测量VDS(on)与ID，并计算得到RDS(dyn)根据多次重复测试结果，判断RDS(dyn)值是否稳定输出最终测试结果tstresststresstm(on)tm(on)tm(on)设置测试参数：母线电压（如Vin）、负载电感量、负载电阻值（如有）、开/关脉冲宽度、连续脉冲单次测试时间、延迟时间、电压反偏应力时间、多脉冲累计测试时在连续脉冲阶段，当漏极电流ID电流上升到比较值ID(com)后，同时测量VDS(on)与ID，并计算得到RDS(dyn)输出最终测试结果将器件安装在测试装置上根据多次重复测量结果，判断RDS(dyn)值是否稳定TonToffSSOPre-VstressVDS(on)tm)Timetcp_sPre-tstressTonTofftm(on)IDID(com)Pre-VVDS(on)VDS(on)VDS(on)VDS(on)OO第1个双脉冲第2个双脉冲第NDP个双脉冲IDIID(ccom)ID(ccom)D(ccom)IO O6Pre-tstressIDVDSPre-VstressI VVOtm(on)tm(on)Otm(on)Pre-tstressIDVDSPre-VstressI VVOtm(on)tm(on)Otm(on)IDO TonTocp_ststressTofftcp_ctstressToffIDOtm(on)tm(on)tm(on)ID(com)ID(com)ID(com)TonToffttcp_sPre-tstressTonTofftIDIPre-VVVVOO第1个双脉冲第2个双脉冲第NDP个双脉冲tstressttstressIDID(com) ID(com) ID(com)7 tcp_s ID(com)ID(com)ID(com) tcp_s ID(com)ID(com)ID(com)tcp_ctstressttstresstm(on)tm(on)tm(on)IDO7.2测试流程持续时间（tstress连续脉冲测试模式中的连续脉冲单次测试时间（tcp_s）、连续脉冲累计测试时间（tcp_c双脉冲测试模式中首个脉冲的电流、双脉冲累计测试次数（NDP、电压2)比较电流ID(com)应达到器件额定连续工作电流的103)第三象限硬关断的VDS电压变化速度大于10V/ns，第三象限零电流关断不作4)器件开启后的钳位电路延迟时间，漏极电压、电流震荡时间8b）被测试器件源漏极导通压降VDS(on)；f）9源漏极压降(VDS(OFF))：电流比较值(ID(com))：电压反偏应力时间（tstress）:开态脉冲宽度(ton)：关态脉冲宽度(toff)：D动态导通电阻值RDS(dyn)123…[1]IEC60747-8:2010半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管(Semiconductordevices-Discretedevice-Part8：Field-ef