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文档简介

MOOC模拟电子技术基础-北京交通大学中国大学慕课答案单元测验1(二极管及其基本电路)1、问题:当温度升高时,关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。选项:A、自由电子个数增加,空穴个数基本不变。B、空穴个数增加,自由电子个数基本不变。C、空穴和自由电子的个数都增加,而且它们增加的数量相等。D、空穴和自由电子的个数均保持不变。正确答案:【空穴和自由电子的个数都增加,而且它们增加的数量相等。】2、问题:N型半导体可以在纯净半导体中掺入元素实现。选项:A、3价B、4价C、5价D、6价正确答案:【5价】3、问题:P型半导体可以在纯净半导体中掺入元素实现。选项:A、3价B、4价C、5价D、6价正确答案:【3价】4、问题:半导体中的少数载流子产生的原因是。选项:A、内电场B、热激发C、掺杂D、外电场E、本征激发正确答案:【热激发#本征激发】5、问题:随着环境温度的升高,半导体二极管的反向电流将。选项:A、略有增加B、减少C、保持不变D、与温度成比例增加正确答案:【略有增加】6、问题:在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于。选项:A、杂质浓度B、温度C、本征半导体D、掺杂工艺正确答案:【杂质浓度】7、问题:当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为。选项:A、扩散电流大于漂移电流B、扩散电流等于漂移电流C、扩散电流小于漂移电流D、无法确定正确答案:【扩散电流小于漂移电流】8、问题:用数字万用表的电阻档无法正确测量二极管,你的结论是。选项:A、电阻档无法给二极管提供正常的偏置B、万用表的内阻与二极管不匹配C、万用表内部电池电压过低D、这种情况不存在,我就是这样测的正确答案:【电阻档无法给二极管提供正常的偏置】9、问题:PN结的内电场方向是。选项:A、由P区指向N区B、由N区指向P区C、与外加电压有关D、不确定正确答案:【由N区指向P区】10、问题:齐纳二极管正常稳压时工作在状态。选项:A、放大B、反向击穿C、正向导通D、反向截止正确答案:【反向击穿】11、问题:二极管基本电路如图所示,已知R=1kΩ。当VDD=10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为和;当VDD=1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为和。选项:A、10mA,9.3mA;1mA,0.3mAB、10mA,0.93mA;1mA,0.03mAC、10mA,1mA;9.3mA,3mAD、1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA正确答案:【10mA,9.3mA;1mA,0.3mA】12、问题:PN结中的内电场阻止的扩散运动,促进的漂移运动。选项:A、多数载流子;少数载流子B、少数载流子;多数载流子C、空穴;电子D、电子;空穴正确答案:【多数载流子;少数载流子】13、问题:P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是电子,这种类型的半导体。选项:A、本身是中性的B、本身不带电C、带正电D、带负电E、可能带正电,也可能带负电正确答案:【本身是中性的#本身不带电】14、问题:PN结外加正向电压时,其空间电荷区。选项:A、变窄B、变宽C、不变D、消失正确答案:【变窄】15、问题:在绝对零度(0K)时,本征半导体中_________载流子。选项:A、有B、没有C、只有多数D、只有少数正确答案:【没有】16、问题:在热激发条件下,价电子获得足够激发能,进入导带,产生_________。选项:A、自由电子-空穴对B、正离子C、负离子D、空穴正确答案:【自由电子-空穴对】17、问题:发光二极管必须施加才能发光;光电二极管正常工作时应加。选项:A、正偏电压,反偏电压B、正偏电压,正偏电压C、反偏电压,反偏电压D、反偏电压,正偏电压正确答案:【正偏电压,反偏电压】18、问题:电路如图所示,若vs是振幅为15V的正弦波,则二极管两端的最大反向电压为V。选项:A、27B、13C、3D、-3正确答案:【27】19、问题:电路如图所示,二极管看成是理想的。若vI1=0V,vI2=5V,输出电压vO的值是。选项:()V。A、-12B、15C、-3D、0正确答案:【-12】22、问题:稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为7V,正向导通电压均为0.7V,其输出电压为()V。选项:A、7.7B、14C、1.4D、6.3正确答案:【7.7】23、问题:发光二极管要正向偏置,光电二极管要反向偏置。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题:由于PN结交界面两边存在电位差,所以把PN结两端短路会有电流通过。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】25、问题:用万用表的R×100Ω和R×1kΩ档分别测量一个正常二极管的正向电阻,两次测量结果相同。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】26、问题:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】单元测验2(三极管及其放大电路)1、问题:BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______,集电结_______。选项:A、正偏,反偏B、反偏,正偏C、零偏,正偏D、正偏,正偏正确答案:【正偏,反偏】2、问题:半导体三极管的特点是。选项:A、输入电流控制输出电流B、输入电压控制输出电压C、输入电流控制输出电压D、输入电压控制输出电流正确答案:【输入电流控制输出电流】3、问题:NPN型三极管工作于饱和状态时,三个电极的电位关系为。选项:A、VBVC,VBVEB、VEVC,VCVBC、VCVBVED、VEVBVC正确答案:【VBVC,VBVE】4、问题:在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为2.8V、3.5V、6V,则这只三极管属于。选项:A、硅NPN型B、硅PNP型C、锗PNP型D、锗NPN型正确答案:【硅NPN型】5、问题:对半导体三极管,测得发射结反偏,集电结反偏,此时该三极管处于。选项:A、截止状态B、放大状态C、饱和状态D、无法确定正确答案:【截止状态】6、问题:对半导体三极管,测得其发射结、集电结均正偏,此时该三极管处于。选项:A、饱和状态B、放大状态C、截止状态D、无法确定正确答案:【饱和状态】7、问题:带射极电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce后其电压放大倍数。选项:A、增大B、减小C、不变D、变为零正确答案:【增大】8、问题:放大电路在小信号运用时的动态特性如Au、Ri、Ro等,应采用的分析方法是。选项:A、微变等效电路法B、图解法C、瞬时极性法D、估算法正确答案:【微变等效电路法】9、问题:基本单管共射放大电路中(放大管为NPN型),当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真是。选项:A、饱和失真B、截止失真C、频率失真D、交越失真正确答案:【饱和失真】10、问题:某放大状态的三极管,测得其管脚电位为:①脚u1=0V,②脚u2=-0.7V,③脚u3=6V。则可判定该管为。选项:A、NPN型,②脚是e极B、NPN型,①脚是e极C、NPN型,①脚是c极D、NPN型,③脚是e极正确答案:【NPN型,②脚是e极】11、问题:三种组态的放大电路中,共集电极放大电路的特点是。选项:A、能放大功率不能放大电压B、能放大电流能放大电压C、能放大功率不能放大电流D、能放大电压不能放大电流正确答案:【能放大功率不能放大电压】12、问题:下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选。选项:A、共射组态B、共基组态C、共集组态D、共漏组态正确答案:【共射组态】13、问题:以下几项中,错误使用三极管的是。选项:A、尽量选用反向电流大的管子B、温度高的工作场合使用硅管C、导通结电压要求低的场合使用锗管D、硅管锗管不直接互换正确答案:【尽量选用反向电流大的管子】14、问题:某三极管放大电路,三极管的三个管脚的电位分别为U1=-12V,U2=-5.2V,U3=-5V,则对应该管的管脚排列依次是。选项:A、C、B、EB、B、C、EC、E、B、CD、B、E、C正确答案:【C、B、E】15、问题:NPN型三极管处在放大状态时是。选项:A、UBE0,UBC0B、UBE0,UBC0C、UBE0,UBC0D、UBE0,UBC0正确答案:【UBE0,UBC0】16、问题:从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外,工艺上还要采取如下措施。选项:A、发射区掺杂浓度高,集电结面积大B、发射区掺杂浓度高,集电结面积小C、发射区掺杂浓度低,集电结面积小D、发射区掺杂浓度低,集电结面积大正确答案:【发射区掺杂浓度高,集电结面积大】17、问题:NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为,此时应该基极电流。选项:A、截止失真,增大B、饱和失真,增大C、饱和失真,减小D、交越失真,减小正确答案:【截止失真,增大】18、问题:用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、2.7V、6V,则三个电极分别是_______,该管是________型。选项:A、e、b、c;NPNB、c、b、e;PNPC、c、b、e;NPND、b、c、e;NPN正确答案:【e、b、c;NPN】19、问题:某三极管的极限参数,,,若它的工作电压选项:,则工作电流不得超过()mA。A、100B、150C、50D、67正确答案:【100】20、问题:单管基本共射放大电路的输出特性曲线和直流、交流负载线如图所示,由此可得出负载电阻的大小是()kΩ。选项:A、1B、1.5C、3D、6正确答案:【3】21、问题:若将如图所示电路中的电容断开,将会()。选项:A、增大B、减小C、保持不变D、等于1正确答案:【增大】22、问题:BJT晶体管是一种电流控制电流的器件。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】23、问题:一个工作在放大区的晶体管,如果测得它时,时,则该管的交流电流放大系数为60。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】24、问题:如果一个晶体三极管的发射结正向偏置,那么它一定工作在放大状态。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】25、问题:图解法可以用来分析三极管放大电路的非线性失真问题,而微变等效电路法却不能。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】26、问题:双极型晶体管的输入电阻是一个动态电阻,它的大小和静态工作点有关。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】单元测验31、问题:场效应管是利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小的,因此它是_______控制器件。选项:A、电场,电压B、电压,电流C、电流,电压D、电流,电场正确答案:【电场,电压】2、问题:场效应管放大电路的输入电阻主要由决定。选项:A、偏置电路B、UGSC、gmD、管子类型正确答案:【偏置电路】3、问题:增强型绝缘栅场效应管,当栅极与源极之间电压为零时。选项:A、不能形成导电沟道B、能够形成导电沟道C、漏极电流不为零D、漏极电压为零正确答案:【不能形成导电沟道】4、问题:场效应管是_________器件。选项:A、电压控制电流B、电压控制电压C、电流控制电压D、电流控制电流正确答案:【电压控制电流】5、问题:结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。选项:A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流正确答案:【反偏电压】6、问题:N沟道增强型MOS管的栅源开启电压为。选项:A、正值B、负值C、不确定D、0正确答案:【正值】7、问题:如图所示是一个MOSFET的转移特性,漏极电流iD的方向是它的实际方向,它是_______场效应管。选项:A、P沟道增强型B、N沟道耗尽型C、N沟道增强型D、P沟道耗尽型正确答案:【P沟道增强型】8、问题:下面的说法正确的是。选项:A、耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负,也可以为零,都能保证器件工作于放大区。B、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。C、MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。D、增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。正确答案:【耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压可正可负,也可以为零,都能保证器件工作于放大区。】9、问题:已知某场效应管的输出特性曲线如图所示,与之对应的转移特性曲线是()。选项:A、B、C、D、正确答案:【】10、问题:增强型MOS场效应管由于预先在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。选项:A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题:场效应管一个重要的特点就是具有特别高的输入电阻。选项:A、正确B、错误正确答案:【正确】单元测验4(差分和运放)1、问题:下面说法正确的是。选项:A、集成运放在开环情况下一般都工作在线性区。B、放大电路中的运算放大器只要是理想的,就一定存在虚短和虚断。C、在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。D、理想运算放大器的开环电压增益近似无穷大,输入电阻近似无穷大,输出电阻近似为零。正确答案:【理想运算放大器的开环电压增益近似无穷大,输入电阻近似无穷大,输出电阻近似为零。】2、问题:欲将输入电压信号放大-100倍,应选用。选项:A、反相比例放大电路B、同相比例放大电路C、电压跟随器D、反相积分放大电路正确答案:【反相比例放大电路】3、问题:共模抑制比KCMRR是。选项:A、差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比B、差模输入信号与共模输入信号之比C、输入量中差模成份与共模成份之比D、交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)之比正确答案:【差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比】4、问题:在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输入端信号的。选项:A、差值B、和值C、乘积值D、平均值正确答案:【差值】5、问题:差动放大电路是为了而设计的。选项:A、克服温漂或零漂B、稳定放大倍数C、提高输入电阻D、扩展通频带正确答案:【克服温漂或零漂】6、问题:为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用。选项:A、差动放大电路B、阻容耦合电路C、反馈放大电路D、直接耦合电路正确答案:【差动放大电路】7、问题:在双端输入的差动放大电路中,输入信号ui1和ui2分别为60mV和40mV,则其共模输入信号uic和差模输入信号uid为。选项:A、50mV和20mVB、100mV和20mVC、100mV和10mVD、50mV和10mV正确答案:【50mV和20mV】8、问题:集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的能力强。选项:A、抑制零点漂移B、电流放大C、电压放大D、带负载正确答案:【抑制零点漂移】9、问题:下面说法正确的是。选项:A、当希望集成运放尽可能接近理想运放时,要求Avo越大越好。B、差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。C、共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。D、当希望集成运放尽可能接近理想运放时,要求ro越大越好。正确答案:【当希望集成运放尽可能接近理想运放时,要求Avo越大越好。】10、问题:差分放大电路中,当vi1=300mV,vi2=200mV时,分解为共模输入信号为_________。选项:A、250mVB、500mVC、100mVD、50mV正确答案:【250mV】11、问题:图示为放大电路,已知集成运放A和二极管VD均为理想器件。当输入电压ui分别为+2V和-2V时,输出电压uo的值分别为()。选项:A、2V,0VB、1V,0.7VC、4V,0.7VD、3V,0V正确答案:【3V,0V】12、问题:某放大电路的电压传输特性如图所示,该电路的电压放大倍数为()。选项:A、-4B、4C、2D、-2正确答案:【-4】13、问题:图示放大电路中,A为理想运放放大器。欲使该电路的电压放大倍数为100。则电阻R4的值应为()kΩ。选项:A、13.5B、12.5C、15D、25.5正确答案:【12.5】14、问题:放大倍数可以调节的放大电路如图所示,RW是增益调节电位器。设A为理想运算放大器。RW的滑动端处在中点位置时的电压放大倍数uo/ui的值为()。选项:A、-51.5B、-32C、25.5D、-25.5正确答案:【-51.5】15、问题:图示为放大电路,已知集成运算放大器具有理想特性。为使uO=0V,则输入电压uI为()V。选项:A、1B、1.5C、2D、2.5正确答案:【1.5】16、问题:测量晶体管电流放大系数的电路如图所示。设运算放大器A1、A2均为理想运放,晶体管UBE=0.7V。若测得输出电压uO=200mV,则被测晶体管的为()。选项:A、30B、40C、50D、60正确答案:【50】17、问题:图示电路,uI=1V,若电阻R1开路,则uO=V。选项:A、0B、1C、2D、1.5正确答案:【2】18、问题:欲将方波电压转换成尖顶波电压,应选用()。选项:A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、加法运算电路?E、积分运算电路?正确答案:【微分运算电路】19、问题:欲将方波电压转换成三角波电压,应选用()。选项:A、反相比例运算电路??B、微分运算电路C、加法运算电路?D、积分运算电路E、同相比例运算电路?正确答案:【积分运算电路】20、问题:欲实现Au=-100的放大电路,应选用()。?????选项:A、反相比例运算电路?B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、加法运算电路?E、积分运算电路正确答案:【反相比例运算电路?】21、问题:欲将正弦波电压叠加上一个直流量,应选用()?。选项:A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路?C、积分运算电路D、微分运算电路?E、加法运算电路?正确答案:【加法运算电路?】22、问题:为了增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用(????)。选项:A、共发射极放大电路?B、差分放大电路C、共基极放大电路D、共集电极放大电路正确答案:【共发射极放大电路?】单元测验5(反馈)1、问题:某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选用。选项:A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈正确答案:【电流串联负反馈】2、问题:温度升高时,若想稳定放大电路的静态工作点,应当引入负反馈。选项:A、直流B、交流C、电压D、电流正确答案:【直流】3、问题:对于放大电路,所谓开环是指_________。选项:A、无负载B、无信号源C、无反馈通路D、无电源正确答案:【无反馈通路】4、问题:构成反馈通路的元件_________。选项:A、只能是电阻B、只能是晶体管、集成运放等有源器件C、只能是无源器件D、可以是无源元件,也可以是有源器件正确答案:【可以是无源元件,也可以是有源器件】5、问题:在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。选项:A、输入电阻增大B、净输入量增大C、净输入量减小D、输出量增大正确答案:【净输入量减小】6、问题:在反馈放大电路中,如果反馈信号和输出电压成正比,称为_________反馈。选项:A、电流B、串联C、电压D、并联正确答案:【电压】7、问题:下面说法正确的是。选项:A、一个放大电路中只要引入负反馈,就一定能改善性能。B、在负反馈放大电路中,放大器的放大倍数越大,闭环放大倍数就越稳定。C、环路增益就是闭环增益。D、负反馈只能改善环路内的放大电路性能,对反馈环外的电路无效。正确答案:【负反馈只能改善环路内的放大电路性能,对反馈环外的电路无效。】8、问题:为了减小放大电路的输入电阻,应引入负反馈。选项:A、并联B、串联C、电压D、电流正确答案:【并联】9、问题:在反馈放大电路中,如果反馈信号和输出电流成正比,称为_________反馈。选项:A、电压B、电流C、串联D、并联正确答案:【电流】10、问题:电压串联负反馈放大电路的反馈系数称为_________反馈系数。选项:A、电压B、电流C、互阻D、互导正确答案:【电压】11、问题:图示电路级间引入了反馈,该反馈属于反馈。选项:A、正,直交流B、负,交流C、正,直流D、负,直交流正确答案:【负,直交流】12、问题:图示电路中级间的交流反馈属于_________。选项:A、电压串联正反馈B、电压串联负反馈C、电流并联负反馈D、电压并联负反馈正确答案:【电压串联负反馈】13、问题:反相输入比例放大器电路中的反馈极性和类型属于。选项:A、电压并联负反馈B、电流串联负反馈C、电压串联负反馈D、电流并联负反馈正确答案:【电压并联负反馈】14、问题:若要求负载变化时放大电路的输出电压比较稳定,并且取用信号源的电流尽可能小,应选用()。选项:A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈C、并联电压负反馈D、并联电流正反馈正确答案:【串联电压负反馈】15、问题:某负反馈放大电路的闭环增益AF=20dB,ΔA/A=10%,ΔAF/AF=0.1%,则A和F应分别为()。选项:A、1000,0.1B、0.1,0.001C、100,0.99D、100,1正确答案:【1000,0.1】16、问题:在输入量不变的情况下,若引入反馈后,则说明引入的反馈是负反馈。选项:A、输入电阻增大B、输出量增大C、净输入量增大D、净输入量减小正确答案:【净输入量减小】17、问题:由集成运放组成的反馈放大电路如图所示,对交流反馈而言,其反馈组态为()。选项:A、电压并联负反馈B、电流并联负反馈C、电流串联负反馈D、电压串联负反馈正确答案:【电流串联负反馈】18、问题:分析图示电路,级间反馈电路的组态与极性为()。选项:A、电压并联负反馈B、电压串联负反馈C、电流并联负反馈D、电流串联负反馈正确答案:【电压串联负反馈】19、问题:分析图示电路,下列分析正确的是()选项:A、在该电路中只有直流反馈而无交流反馈,反馈的组态为电压串联B、只有交流反馈而无直流反馈,反馈的组态为电流串联C、交直流反馈都有,反馈的组态为电压串联D、交直流反馈都有,反馈的组态为电流串联正确答案:【交直流反馈都有,反馈的组态为电压串联】20、问题:由集成运放A1、A2、A3和晶体管VT1、VT2组成的放大电路如图所示,分析电路中的负反馈组态,下列分析中正确的为()。选项:A、运放A1和晶体管VT1引入的级间负反馈组态为电流串联B、晶体管VT1引入的局部负反馈组态为电流并联C、运放A2和晶体管VT2引入的级间负反馈组态为电压并联D、晶体管VT2引入的局部负反馈组态为电流并联正确答案:【运放A1和晶体管VT1引入的级间负反馈组态为电流串联】21、问题:直流负反馈是()。选项:A、可以减小电压放大倍数B、直流通路中的负反馈C、放大直流信号时才有的负反馈D、只存在于直接耦合电路中的负反馈正确答案:【直流通路中的负反馈】单元测验6(功率放大电路)1、问题:所谓效率是指_________。选项:A、输出功率与输入功率之比B、输出功率与晶体管上消耗的功率之比C、输出功率与电源提供的功率之比D、最大不失真输出功率与电源提供的功率之比正确答案:【输出功率与电源提供的功率之比】2、问题:在甲类放大电路中,放大管的导通角等于_________。选项:A、360度B、180度C、270度D、90度正确答案:【360度】3、问题:乙类双电源互补对称功放电路的效率可达_________%。选项:A、25B、90C、75D、78.5正确答案:【78.5】4、问题:下面说法错误的是。选项:A、在乙类功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大。B、在乙类功放电路中,若在输出端串接两个8Ω的扬声器,则输出功率将比在输出端接一个8Ω的扬声器时要少一半。C、乙类互补对称电路,其功放管的最大管耗出现在输出电压幅度约为0.6VCC的时候。D、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以常常是利用晶体管的特性曲线通过图解法来进行分析计算的。正确答案:【在乙类功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大。】5、问题:为了消除交越失真,应当使功率放大电路工作在_________状态。选项:A、甲乙类B、甲类C、乙类D、丙类正确答案:【甲乙类】6、问题:为了使负载获得尽可能大的功率,对功率放大电路的基本要求是。选项:A、输出信号电流尽可能大B、输出信号的电压和电流都尽可能大C、输出信号的电压大电流小D、输出信号电压尽可能大正确答案:【输出信号的电压和电流都尽可能大】7、问题:互补对称功率放大电路,若设置静态工作点使两管均工作在乙类状态,将会出现。选项:A、交越失真B、饱和失真C、频率失真D、截止失真正确答案:【交越失真】8、问题:在如图所示OCL电路中,已知输入电压ui为正弦波,三极管的饱和管压降均为2V;当ui=0V时,uo应为0V。若电路产生交越失真,则正确的调节方法是()。选项:A、增大R1B、增大R2C、增大R3D、VD短接正确答案:【增大R2】9、问题:对于乙类功率放大电路,当输出电压增大时,功放管的管耗将()。选项:A、增大B、减小C、可能增大,也可能减小D、不变正确答案:【可能增大,也可能减小】10、问题:乙类双电源互补对称功率放大电路,若最大输出功率为2W,则电路中功放管的最大功耗约为()W。选项:A、0.1B、0.4C、0.2D、0.6正确答案:【0.4】11、问题:乙类互补功放电路中的交越失真,实质上就是()。选项:A、线性失真B、饱和失真C、频率失真D、截止失真正确答案:【截止失真】12、问题:电路如图所示,已知T1、T2管的饱和压降UCE(sat)=3V,VCC=VEE=15V,RL=8W,当输入为正弦波时,若R1虚焊开路,则T1管()。选项:A、为正弦波B、仅有正半波C、仅有负半波D、可能因功耗过大而烧毁正确答案:【仅有负半波】13、问题:在OCL功率放大电路中,输入信号为1kHz,10V的正弦信号,输出为如图所示波形,这说明出现了()失真。选项:A、饱和B、截止C、频率D、交越正确答案:【交越】14、问题:电路如图所示,已知输入电压ui为正弦波,VT5、VT7的饱和管压降均为2V。下列结论错误的是()。选项:A、若输出电压产生交越失真,则应增大R6的阻值B、输出电压可能达到的最大幅值为16VC、输出级为OCL电路D、该电路为乙类功率放大电路正确答案:【该电路为乙类功率放大电路】15、问题:与甲类功率放大方式相比,乙类功率放大方式的主要优点是()。选项:A、不用输出变压器B、不用输出端大电容C、无交越失真D、效率高正确答案:【效率高】16、问题:为了克服交越失真,应()。选项:A、进行相位补偿B、适当减小功放管的静态?UBE?C、适当增大负载电阻RL的阻值D、适当增大功放管的静态?UBE?正确答案:【适当增大功放管的静态?UBE?】单元测验7(信号处理与产生电路)1、问题:文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数才能满足起振条件。选项:A、大于3B、等于3C、等于1/3D、大于1/3正确答案:【大于3】2、问题:有用信号频率低于20Hz,可选用_________滤波电路。选项:A、低通B、高通C、带通D、带阻正确答案:【低通】3、问题:有用信号频率高于500Hz,可选用_________滤波电路。选项:A、高通B、低通C、带通D、带阻正确答案:【高通】4、问题:希望抑制50Hz的交流电源干扰,可选用_________滤波电路。选项:A、带阻B、带通C、低通D、高通正确答案:【带阻】5、问题:有用信号的频率为某一固定频率,可选用_________滤波电路。选项:A、带通B、带阻C、低通D、高通正确答案:【带通】6、问题:若希望在输入电压小于-5V时,输出电压为高电平;而在输入电压大于+5V时,输出电压为低电平,可采用________电压比较器。选项:A、反相迟滞B、同相迟滞C、反相单门限D、同相单门限正确答案:【反相迟滞】7、问题:下面说法错误的是。选项:A、有源滤波电路通常由集成运放和电阻、电容组成。B、只有同时满足相位平衡条件和幅值平衡条件,才能产生自激振荡。C、用于电压比较器的运放总是工作在开环状态或正反馈状态下。D、非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。正确答案:【非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。】8、问题:为了保证正弦波振荡电路幅值稳定且波形较好,通常还需要引入的环节为()。选项:A、微调B、屏蔽C、限幅D、稳幅正确答案:【稳幅】9、问题:文氏电桥RC正弦波振荡电路如图所示。设A为理想集成运放,电阻R1=10kW,R2=2kW,Rf=5kW,现要求稳定振荡时输出电压峰值Uom=8V。忽略稳压管正向导通压降,则稳压管VDZ的稳压值UZ为()V。选项:A、2B、3C、4D、5正确答案:【4】10、问题:正弦波振荡电路如图所示。设A为理想集成运放,已知电阻R2=1.5kW,电路振荡稳定的输出电压Uo(有效值)=2.7V。则流过电阻R1的电流IR1(有效值)和电阻R1的值分别为()。选项:A、IR1=0.6mA,R1=3kΩB、IR1=0.9mA,R1=6kΩC、IR1=1.8mA,R1=9kΩD、IR1=1.2mA,R1=8kΩ正确答案:【IR1=0.6mA,R1=3kΩ】11、问题:在如图所示锯齿波波形发生器中,已知A1、A2均为理想运算放大器,其输出电压的两个极限值为12V;设振荡周期为T,一个周期内uO1为高电平的时间为T1,占空比=T1/T。下列结论错误的是()。选项:A、输出电压uO1的峰峰值为12VB、R1阻值增大,输出电压uO2的幅值增大C、振荡频率f与输出电压uO1的幅值无关D、电容C的容量减小时,振荡频率f增大正确答案:【R1阻值增大,输出电压uO2的幅值增大】12、问题:对于图示LC正弦波振荡电路分析正确的是()。选项:A、当变压器副边绕组3端与4端为同名端时,电路会产生正弦波振荡。B、当变压器副边绕组1端与4端为同名端时,电路会产生正弦波振荡。C、当变压器副边绕组3端与4端为同名端,并且将电源电压变为+Vcc时,电路会产生正弦波振荡。D、当变压器副边绕组1端与4端为同名端时,并且将电容Ce短路时,电路会产生正弦波振荡。正确答案:【当变压器副边绕组3端与4端为同名端时,电路会产生正弦波振荡。】13、问题:电路如图所示,设A为理想运算放大器,其输出电压的两个极限值为12V。稳压管的稳定电压UZ=6V,稳压管与二极管的正向导通电压均为0.7V,输入电压如图中所标注。下列分析正确的是()。选项:A、电路正常工作时,输出电压uo=-7.4VB、当A、B、C、D任意一点断开时,uo均为+7.4VC、当VDZ接反时,uo=-1.4VD、当VD1接反时,uo=+1.4V正确答案:【电路正常工作时,输出电压uo=-7.4V】14、问题:图(a)所示电路的电压传输特性如图(b)所示,A为理想运算放大器,则电阻R2的取值为()kΩ。选项:A、2B、1C、3D、5正确答案:【2】15、问题:在图示电路中,已知A1、A2均为理想运算放大器,其输出电压的两个极限值为12V。当分别为10V和6V时,输出电压uo的值分别为:().选项:A、-5V、+5VB、+5V、-5VC、-5V、-5VD、+5V、+5V正确答案:【-5V、+5V】16、问题:图(a)所示为方波发生器,已知A为理想运算放大器,其输出电压的最大值为12V;R1=50kΩ;该电路输出电压uo和电容两端电压uc的波形如图(b)所示。则稳压管的稳压值Uz及电阻R2的阻值分别为()。选项:A、10V,50kΩB、10V,25kΩC、5V,50kΩD、5V,25kΩ正确答案:【10V,50kΩ】17、问题:关于下列电路的分析正确的是()。选项:A、不能产生自激振荡,因为不满足振荡的相位条件B、能产生自激振荡,电路为电容三点式自激振荡电路C、能产生自激振荡,电路为变压器耦合方式的自激振荡电路D、能产生自激振荡,电路为电感三点式自激振荡电路正确答案:【能产生自激振荡,电路为电容三点式自激振荡电路】18、问题:下列关于滤波器的选择分析错误的是()。选项:A、希望抑制10kHz以下的信号电压,应采用高阻滤波器B、希望抑制50Hz交流电源的干扰,应采用带阻滤波器C、有用信号的频率为1kHz基本不变,应采用带通滤波器D、有用信号低于10Hz,应采用低通滤波器正确答案:【希望抑制10kHz以下的信号电压,应采用高阻滤波器】单元测验8(直流电源)1、问题:整流是________。选项:A、将交流变为直流B、将正弦波变为方波C、将直流变为交流D、将电压变为电流正确答案:【将交流变为直流】2、问题:单相桥式整流电路,变压器次级电压为10V(有效值),则整流后的输出直流电压为V。选项:A、9B、4.5C、10D、12正确答案:【9】3、问题:单相桥式整流电容滤波电路中,变压器次级电压为20V(有效值),则滤波后的输出直流电压为V。选项:A、24B、20C、9D、40正确答案:【24】4、问题:单相桥式整流电路变压器次级电压为10V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反向电压为V。选项:A、14.14B、10C、20D、28.28正确答案:【14.14】5、问题:下面说法错误的是。选项:A、单相桥式整流电路的输出电压平均值比半波整流时增加了一倍。B、串联型线性稳压电路中,调整管与负载串联且工作于放大区。C、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,将造成短路。D、在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。正确答案:【在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。】6、问题:在整流电路中,二极管之所以能整流,是因为它具有()。选项:A、稳压功能B、反向击穿的性能C、单向导电的特性D、电流放大特性正确答案:【单向导电的特性】7、问题:整流电路如图所示,变压器副边电压有效值为U2,二极管D所承受的最高反向电压是()。选项:A、U2B、1.414U2C、2.828U2D、2U2正确答案:【1.414U2】8、问题:在单相桥式整流电路中,已知变压器副边电压有效值为U2,若有一只整流管接反,则()。选项:A、输出电压平均值约为1.8U2B、输出电压变为半波直流C、整流管将因电流过大而烧坏D、输出电压的波形为正弦交流电压正确答案:【整流管将因电流过大而烧坏】9、问题:在如图所示稳压电路中,已知稳压管的最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=35mA,其余参数如图中所标注。限流电阻R的最大值为()。选项:A、Rmax=491ΩB、Rmax=434ΩC、Rmax=679ΩD、Rmax=541Ω正确答案:【Rmax=491Ω】10、问题:在如图所示直流稳压电源中,已知W7812的1、2两端电压U12≥3V才能正常工作,集成运放输出电压UAO=1~29V。为使电路正常工作,集成运放的反相输入端U-至少取值以及此时UO的值分别为()。选项:A、U-min=9V,Uo=13VB、U-min=9V,Uo=15VC、U-min=12V,Uo=13VD、U-min=12V,Uo=15V正确答案:【U-min=9V,Uo=13V】11、问题:在如图所示直流稳压电源中,三端稳压器W7818的输出电压U2.3=18V,1、2端电压U12≥3V才能正常工作;输入电压UI波动范围为±10%;A可视为理想运放。输出电压的最小值为()。选项:A、18VB、19.8VC、16.2VD、21V正确答案:【18V】12、问题:在图示稳压电路中,已知稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZ=5mA,最大稳定电流IZM=30mA。下列分析错误的是()。选项:A、若UI=12V,R=4kΩ,则无论RL取值为多少,UO都小于5V。B、若UI=12V,R=RL=1.5kΩ,则测得UO=6V,所以稳压管工作在稳压状态。C、电路正常工作时,若IL=35mA,则IR应大于40mA。D、电路正常工作时,若IR=35mA,则负载电阻RL不得开路。正确答案:【若UI=12V,R=RL=1.5kΩ,则测得UO=6V,所以稳压管工作在稳压状态。】13、问题:在如图所示串联型稳压电源中,已知稳压管VDZ的稳定电压UZ=5.3V,晶体管的UBE=0.7V。当RW的滑动端在最下端时UO=15V,则RW的值为()。选项:A、100ΩB、200ΩC、300ΩD、150Ω正确答案:【100Ω】14、问题:图示电路是能够提供±10V电压的稳压电路,整流滤波后电压平均值UI1=-UI2≈()。选项:A、48VB、36VC、24VD、12V正确答案:【24V】结课考试1、问题:当温度升高时,关于本征半导体中的载流子数量的变化下面哪种说法是正确的。()选项:A、空穴和自由电子的个数都增加,而且它们增加的数量相等。B、自由电子个数增加,空穴个数基本不变。C、空穴个数增加,自由电子个数基本不变。D、空穴和自由电子的个数均保持不变。正确答案:【空穴和自由电子的个数都增加,而且它们增加的数量相等。】2、问题:在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于。选项:A、杂质浓度B、温度C、本征半导体D、掺杂工艺正确答案:【杂质浓度】3、问题:二极管基本电路如图所示,已知R=1kΩ。当VDD=10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流iD分别为和;当VDD=1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流iD分别为和。选项:A、10mA,9.3mA;1mA,0.3mAB、10mA,0.93mA;1mA,0.03mAC、10mA,1mA;9.3mA,3mAD、1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA正确答案:【10mA,9.3mA;1mA,0.3mA】4、问题:由理想二极管构成的电路如图所示,电压()V。选项:A、-12B、15C、-3D、0正确答案:【-12】5、问题:单管基本共射放大电路的输出特性曲线和直流、交流负载线如图所示,由此可得出负载电阻的大小是()kΩ。选项:A、3B、1.5C、6D、1正确答案:【3】6、问题:若将如图所示电路中的电容断开,将会()。选项:A、增大B、减小C、保持不变D、等于1正确答案:【增大】7、问题:用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、2.7V、6V,则三个电极分别是_______,该管是________型。选项:A、e、b、c;NPNB、c、b、e;PNPC、c、b、e;NPND、b、c、e;NPN正确答案:【e、b、c;NPN】8、问题:在基本共射放大电路中,当输入中频小信号时,输出电压出现了底部削平的失真,这种失真是。选项:A、饱和失真B、截止失真C、频率失真D、交越失真正确答案:【饱和失真】9、问题:场效应管是利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小的,因此它是_______控制器件。选项:A、电场,电压B、电流,电场C、电流,电压D、电压,电流正确答案:【电场,电压】10、问题:如图所示是一个MOSFET的转移特性,漏极电流iD的方向是它的实际方向,它是_______场效应管。选项:A、P沟道增强型B、N沟道耗尽型C、N沟道增强型D、P沟道耗尽型正确答案:【P沟道增强型】11、问题:已知某场效应管的输出特性曲线如图所示,与之对应的转移特性曲线是()。选项:A、B、C、D、正确答案:【】12、问题:图示电路,uI

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