电容元件选择指南

电容MLCC多层陶瓷电容以及SolidTAN电容。电容的指标耐压指标额定电压ratedvoltageUR容耐压指的就是这个数据。电容的构造，材料，体积〔绝缘层的厚度〕打算其耐压值。反向reversevoltagepolarcapacitor，要求两端电压方向不能变反.通常的极性电容都能容忍间或的短时间的反向电压性后果。即便不发生破坏性后果，也会导致容量变小，损耗增大。容值ACCapacitance利用测试用正弦波测试电容AC120HZ和1KHZ两个标准。测试电压<0.5Vrms,DCbias2v左右。(有较为通用的业界标准)DCcapacitance利用充放电和RCDCcapacitance要比ACcapacitance大一些，在耐压低的电容上差异还要明显。电容上标称的电容为额定值，一般是指ACcapacitance，而且是在肯定的测试方法下测得的,测试条件变化,将得到不同的容值。Temperaturedependence低耐压和大电容受温度的影响要严峻一些。Frequencydependence况。降没有那么快。这直接导致了测量的ACcap〔等效的容值〕变小。以下图为某电容的测试情况。Dissipationfactortanδ损耗因素〔损耗正切〕其是电容的等效串联电阻ESRpower〔有功与其反射的power〔无功〕的比值。该值反映了电容的能量损耗，由于纯电容是不消耗能量的。工作频率高时，介质损耗增大。不同介质材料相对温度的损耗特性简单一些。一般，温度上升，介质损耗增大。而对于通常材料的TAN，NB,在常温下,损耗最小.温度上升,降低都会导致损耗增大.电容的损耗因素与电感的Q值相当,都反映了其的品质.Impendence：ESR:dielectriclossesf上升，ESR降低，但此时损耗还是增加的。温度上升时，ESR也是降低的。ESL：封装引线引起的，受频率影响，根本不受温度影响。上图为某电容的典型阻抗特性，其经受了如下几个阶段。Ripplecurrent允许通过电容的沟通电流的RMS值〔均方根值〕，可能是纹波或周期的工作电压引起的电容体积和layout电流较大的场合，应当尽可能的选择较大的耐压和容值的电容。电容的常识电容的标称值通常使用的E12code,这点类似于电阻的命名.电容的封装，精度，耐压同电阻的封装命名CASE M1608CASE P2023CASE A3216CASEB3528CASEC6032CASED7343精度：K+-10%M+-20%耐压:0J6.3V1A10V 1C16常用电容的特性casecase的电容封装，本钱与耐压和容值的乘积成正比。MLCC多层陶瓷电容陶4个等级C0G:0+/-30ppm/C(-55-125C)X7R:+/-15%(-55-125C)X5R:+/-15%(-55-85C)Y5V+20%,-80%(-35-85C)TAN电容Solid钽电 钽常用电容的特性比较钽电解电容可以较小的封装获得较大的容值.而陶瓷电容普遍容值较小。钽电解电容的ESR1ohmohm,ohmMLCC普遍在100mohm钽电解由于封装和构造的缘由,ESLESR较小，所以，同样的ripple不同电容的温度特性是不一样的,Y5V的温度特性较差,因此不适宜在敏感电路消灭。X7R的系列MLCC在DCbias时容值变化不大，而Y5V在DCbias时容值变化很大，钽电容则根本不受DCbias的影响，所以，尽量的选用耐压高的陶瓷电容的。X7R的电容在dcbiasratedvoltage15％～20％的容值下降。而对于Y5V80％的下降，陶瓷电容由于固有的构造,在音频段会有嗡嗡声.假设PCB设计不当,这个噪声会与构造产生共振,更加恶化.所以一般音频通路上不建议使用陶瓷电容.电容的选择原则耐压3050%的裕量，Y5V则要求裕量更高。容值尽量不要选择在某封装和耐压下配，则需要准确计算，并合理考虑，温度，误差，以及寄生效应的影响。3.ESR在一些对ESRESRESR要求不高的场合，比方耦合，可以放松对ESR的要求。4.封装和纹波电流依据应用场合的纹波电流，留足裕量，选择适宜封装和纹波等级的产品。电容的通常用法1依据器件的工