（一级）芯片装架工专业理论考试题库（浓缩300题）

PAGEPAGE1（一级）芯片装架工专业理论考试题库（浓缩300题）一、单选题1.易于制造高压、大电流和功率电路的是()A、半导体电路B、薄膜电路C、厚膜电路D、LTCC答案：C2.薄膜电阻膜层越薄,则()越差。A、阻值B、密度C、阻值均匀性D质量答案：C3.粘合剂流向任何分离元件的距离,可以接收的是()。A、其间距不到25μmB、大于25μmC、不到10μmD、大于20μm答案：B4.环焊电极由()制成。A、钨铜或铬铜合金B、不锈钢C、工具钢D、铜答案：A5.单相交流电源的安全电压是()。A、小于36VB、120VC、220VD、大于220V答案：A6.形成虚焊的原因是()。A、元器件引线有污物、氧化,未搪锡B、焊盘有污物C、助焊剂不足或质量差D、A、B、C都有可能答案：D7.构成计数器的基本单元是()。A、与非门B、或非门C、与或门D、触发器答案：D8.键合用的超声压焊劈刀,时间长劈刀上的结垢除去的方法为()。A、20%NaOH溶液浸泡超声B、用水冲洗C、用乙醇清洗D、用浓HNO3清洗答案：A9.在引线键合中下列()情况可以接收。A、不符合键合图要求的遗漏或多余的引线或条带B、在引线和键合的接合处撕裂C、引线与引线交叉D、共用引线有交叉答案：D10.硅二极管的正向压降一般为()。A、5VB、7VC、9VD、0V答案：B11.军用混合电路贯彻国军标,需要()级认证。A、本室认证B、国家贯标认证部门来认证C、所里认证D、部里来认证答案：B12.与平行封焊的焊接速度无关的是()。A、电极直径B、电流大小C、脉冲宽度D、脉冲频率答案：A13.存储器模块的工序检验点有()个。A、4B、5C、6D、7答案：C14.用于塑料非抗密性的试剂是()。A、丙酮B、甲醇C、三氯乙烯D、乙醇答案：C15.国内外大功率管芯背面金属化普遍采用()。A、Ni-Cr-SnB、Ni-Ag-AuC、r-Ni-AuD、Cr-Ag-Au答案：C16.焊料焊时施加的压力应根据()而定。A、焊接面积B、焊料熔化温度C、金属厚度D、管壳种类答案：A17.外引线折弯成形后,为保证其焊接质量,应保证共面性小于()。A、0.05mmB、0.1mmC、0.15mmD、0.2mm答案：B18.8寸晶圆的直径长度约为()mmA、200B、250C、300D、100答案：A19.产品质量是()。A、是设计出来的B、是制造出来的C、是检验出来的D、是多种因素的综合反应答案：D20.平行封焊的每个焊点间()重叠。A、不B、有小于1/10C、有1/3~1/4的D、有大于1/2的答案：C21.互补型MOS(CMOS)电路中互补的意思是指()。A、P沟道MOS管和N沟道MOS管配合工作B、P型衬底和N型扩散区配合工作C、N型衬底和P型扩散区配合工作D、多数载流子和少数载流子配合工作答案：A22.塑封的递模成型工艺中注塑压力过大,产生()。A、气水B、砂眼C、冲丝D、缺料’答案：C23.平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、()和焊轮锥顶角。A、焊轮压力B、焊接时间C、焊接模具D、环境温度答案：A24.超声键合用40μm金丝键合丝老炼后应能承受的拉力为:()。A、≥4gB、≥5gC、≥5gD、≥5g答案：A25.导线间呈“T”形交叉时,下列哪一项交叉方式是正确的?()A、B、C、答案：A26.超声键合所用的硅铝丝是含1%硅的冷拉铝丝,加硅的目的是()。A、提高铝丝的抗拉强度B、提高铝丝的抗氧化能力C、提高铝丝的导通能力D、提高铝丝机械强度答案：A27.在硅PN结的反向电流中主要是()。A、产生电流B、复合电流C、体内扩散电流D、体内漂移电流答案：A28.器件引线逆成形模具、外引线成形模具等模具材料应选用()制造A、碳素钢B、高速钢C、合金钢D、不锈钢答案：A29.军用混合电路贯彻国军标,总规范标准号是()。A、GJB548B、GJB2438C、GJB597D、QZJ840616答案：B30.不燃烧的化学试剂是()。A、甲苯B、四氯化碳C、丙酮D、乙醇答案：B31.热压焊键合的温度要求一般高于()。A、300℃B、200℃C、150~180℃D、室温答案：A32.自动压焊机利用(),使得组装速度大大提高。A、显微对准技术B、光点对准技术C、图案识别技术D、电磁透镜聚焦技术答案：C33.HIC电路老炼是指()。A、按HIC产品技术要求在额定温度和时间内对电路通电工作的方式B、将HIC产品在高温条件下放置数小时C、将HIC产品在高温条件下加电测试D、将HIC产品在高温下工作数小时后,再放在低温下工作数小时答案：A34.下列导体中,导电率最高的是()A、uB、AlC、uD、Ag答案：D35.打印油墨至少应具有()的存放期。A、六个月B、1年C、2年D、3年答案：C36.氧化铍的热导率约是氧化铝(96%)基片的()倍。A、1~2B、6~10C、10~15D、15~20答案：B37.金锗合金的共熔点为356℃,共晶粘片时采用的温度()。A、380℃~420℃B、420℃~450℃C、315℃~350℃D、410℃~430℃答案：A38.超声压焊时选择的金属丝是()。A、铝丝B、金丝C、硅铝丝D、铜带答案：C39.对单组分导电胶,贮存温度在()下最少应为12个月。A、10℃B、15℃C、5℃D、-40℃答案：D40.由于封装气密性不好,在芯片键合点或管座压焊点常产生一种白色絮状物质,貌似白色绒毛,这种白色物质的主要成分为()。A、KOHB、NaOHC、Fe(OH)33D、Al(OH)33答案：D41.组装过程中,H1级芯片和衬底之间的粘接要求()。A、芯片周长50%可见焊料B、芯片周围75%可见焊料C、芯片周长40%可见焊料D、芯片周长45%可见焊料答案：B42.双极型集成电路硅单晶衬底一般选取的晶面为()。A、{111}面B、{110}面C、{011)面D、{100}面答案：A43.用有机聚合物粘片的优点是()。A、工艺简单易操作B、导热好C、不易碳化D、耐高温300℃以上答案：A44.P代表()。A、陶瓷扁平封装B、陶瓷双列C、塑料双列D、金属圆形封装答案：B45.薄膜微晶玻璃片可使用()进行划片工艺。A、激光B、金刚刀C、砂轮D、钢刀答案：B46.真空焊接是()生产。A、连续式大批量B、连续式小批量C、间歇式大批量D、间歇式小批量答案：D47.常用的电容容值单位有F、µF、nF、pF,其中1nF=()pF。A、10B、100C、1000D、10000答案：C48.烘箱烘烤前设置过温保护温度,应比烘烤产品的烘烤最高温度高()A、5℃B、10℃C、15℃D、8℃答案：A49.防静电手镯和地线之间应该()。A、直接导通B、接1MΩ左右电阻C、接10Ω左右电阻答案：B50.为了取得细线条的印刷效果,应采用哪种丝网()。A、100目B、200目C、300目D、400目答案：D51.在内部检验中,()情况可以接收。A、基片中有裂纹B、电容器板有脱离现象C、基片和金属化层完好D、金属化层沿边缘裂开答案：C52.绝缘胶膜为了有更长的保存期,一般在()温度下保存。A、25℃B、50℃C、5℃D、-40℃答案：D53.激光调值方法一般只能将电阻的阻值。A、调大B、调小C、稳定D、不变答案：A54.关键工序三定表指的是()A、定设备B、定人员C、定工艺D、定流程答案：A55.产品质量的好坏包含()。A、技术性能指标B、可靠性指标C、经济指标D、A、B和C答案：D56.塑封中常用的填充剂()。A、硬脂酸B、洛巴蜡C、苯甲酸D、石英粉答案：D57.允许将基片取出,更换或再装进新封装壳内()。A、一次B、二次C、三次D、四次答案：B58.列说法正确的是()A、浆料的组成一般由功能相、有机载体、绝缘材料三个重要部分组成B、浆料的组成一般由功能相、有机载体、玻璃黏结剂三个重要部分组成C、浆料的组成一般由功能相、玻璃黏结剂、绝缘材料三个重要分组成D、浆料的组成一般由有机载体、玻璃黏结剂、绝缘材料三个重要部分组成答案：B59.无氧的氮化铝基片的热导率与()基片相当。A、硅片B、微晶玻璃C、氧化铝D、氧化铍答案：D60.6S和产品质量的关系是()。A、工作方便B、改善品质C、增加产量D、没有关系答案：B61.制作刻线数据时,导电路径可能会拐弯,下列哪一项导线拐弯的方式不建议采用?()A、B、C、D、答案：C62.两个或两个以上的电阻以一定的方式连接后,总电阻值等于各个电阻值的总和,这是()。A、串联B、并联C、混连D、其它答案：A63.下面几种材料:a.Al2O3陶瓷、b.BeO陶瓷、c.AlN陶瓷、d.金刚石、e.SiC陶瓷,其导热性能高低的正确排序是()。A、>c>d>e>bB、c>a>b>e>dC、d>e>b>c>aD、e>b>d>a>c答案：C64.厚膜导体浆料中金属粉末的颗粒度一般为()A、0.1-0.5umB、0.5-1.0umC、1-5umD、5-10um答案：C65.电阻膜层过厚,可能使膜层()增加。A、内应力B、TCRC、硬度D、均匀性答案：A66.双列封装结构的引线间距通常用的是()mm。A、27B、54C、3D、08答案：B67.某个与非门的两个输入端信号是低电平,其输出信号是()A、低电平B、高电平C、高低电平不定答案：B68.扁平结构的外壳引线间距常用的是()。A、5.4B、0.3C、0.8D、2.7答案：D69.浆料是一种()A、糊状液体B、粘稠的液体C、悬浮体D、胶状固体答案：C70.1000级净化间是在1立方英尺的空气中有()个尺寸为0.5μm的颗粒物。A、1B、10C、100D、1000答案：D71.一般丝网印刷过程可概括为绘图、照相、制版、()、流平五个步骤。A、烘干B、印刷C、烧结D、检验答案：B72.佩戴防静电手环的目的是()。A、防止污染器件B、防止划伤器件C、防止器件静电损伤D、防止人员触电答案：C73.晶体三极管由发射区注入到基区的载流子在基区中的运动主要是()。A、扩散运动B、漂移运动C、热运动D、漂移运动和热运行答案：A74.链带式封装炉封焊时多采用()气氛保护。A、纯H2B、纯N2C、H2、N2混合D、纯He答案：B75.一个阻值为1KΩ的电阻,允许加的最高电压为100V,则其额定功率为()。A、1W;B、10W;C、100W;答案：A76.半导体的光照被消除的情况下,其中的载流子()。A、产生>复合B、产生<复合C、产生=复合D、产生率=复合率=0答案：B77.环焊主要是由于产生了瞬时的大()产生局部熔化。A、电压B、电流C、压力D、压强答案：B78.激光焊影响焊接时间的主要原因是()。A、光点大小B、光强C、功率D、电压答案：C79.质量管理体系文件包括()。A、质量手册,程序文件B、相关的运行,控制文件C、作业规范,质量记录D、A+B+C答案：D80.厚膜浆料主要有()和保护介质浆料A、导体浆料B、电阻浆料C、隔离介质浆料D、AB和C答案：D81.金铝键合系统之间会生成多种金属间化合物,造成键合失效,其“紫斑”的形成是()化合物引起。A、uAl2B、AuAlC、Au2AlD、Au5Al2答案：B82.一个矩形厚膜电阻长为2000um,宽为500um,则该电阻的方数为()A、2B、5C、4D、10答案：C83.防静电手镯和地线之间应该()。A、直接导通B、接1MΩ左右电阻C、接10Ω左右电阻答案：B84.塑封中常用的脱膜剂是()。A、氧化铝粉B、有机合成纤维C、硬脂酸钙D、磷系化合物答案：C85.军用混合电路贯彻国军标,通用规范标准号是()。A、GJB548AB、GJB2438AC、GJB597D、QZJ840616答案：B86.集成电路工艺制造过程中,化学试剂最纯的为()。A、化学纯B、MOS纯C、分析纯D、电子纯答案：B87.防静电手镯和地线之间应该()。A、导通B、有一个10Ω左右的电阻C、有一个1MΩ电阻D、有一个10MΩ左右的电阻答案：C88.在芯片检验中下边()情况可以接收。A、在任何固定元件和基片边缘之间的距离大于75mmB、在工作金属化层和基片边缘之间的距离小于原有设计间距的50%的衬底C、长度超过125mm的裂缝D、不起源于边缘的任何裂缝答案：A89.产品质量是()。A、设计出来的B、制造出来的C、检验出来的D、多种质量因素的综合反应答案：D90.薄膜导体应具备的性质()。A、电阻率低B、与基片、介质附着力强C、电性能稳定D、ab和c答案：D91.LTCC烧结的排胶温度一般为()A、150℃B、300℃C、500℃D、850℃答案：C92.半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()。A、P型半导体B、N型半导体C、本征半导体D、P型和N型掺杂浓度相等的半导体答案：C93.电阻焊利用()通过上焊件和下焊件的紧密接触形成电阻时,产生剧热使焊件接触局部熔化达到熔接。常用的电阻焊有点焊、突缘电阻焊和平行缝焊。A、低电压大电流B、电阻加热C、高电压D、高温度答案：A94.单片器件清洗后烘干条件为:()。A、80℃1hB、85℃0.5hC、85℃1hD、80℃0.5h答案：A95.防止批次性不合格,应进行()。A、首件鉴定B、工艺评审C、工序评审D、设备评审答案：A96.卧式管状氢气封装炉属于()烧结炉。A、连续式B、间歇式C、既可连续也可间歇工作答案：B97.阻镀包胶后至少放置()可进行下工序操作。A、4hB、0.5hC、12hD、8h答案：C98.超声键合必须()。A、塑性流动B、磨擦C、超声功率D、超声功率、压力和时间的相匹配答案：D99.GJB548B-2005为以下哪份规范的标准号()A、微电子器件试验方法和程序B、半导体集成电路总规范C、混合集成电路通用规范D、半导体分立器件试验方法答案：A100.材料之间弱的分子吸引力叫做()。A、作用力B、万有引力C、范德瓦斯力D、粘接力答案：C判断题1.在外壳设计中常用到的电阻基本公式，R=ρ·L/S,其中，R为导体电阻，L为导体厚度，S为导体截面积，ρ为导体电阻率。（）A、正确B、错误答案：B2.灌封操作前必须要对灌封胶料进行充分的排泡处理。（）A、正确B、错误答案：A3.混合集成电路按膜厚及制造技术，通常可分为薄膜混合集成电路和厚膜混合集成电路。()A、正确B、错误答案：A4.塑封中的铝腐蚀通常首先发生在芯片表面没有钝化层保护的压焊区部位。（）A、正确B、错误答案：A5.工艺图纸没有签署完毕，口头通知即可加工产品。()A、正确B、错误答案：A6.键合引线所用的硅铝丝中加入硅的目的是为了增加丝的抗氧化能力。()A、正确B、错误答案：B7.在键合过程中，不利用超声键合，很难除去铝膜上坚硬的氧化膜。()A、正确B、错误答案：A8.对于低方阻的厚膜电阻器，金属占相对主要地位，因此TCR为负。（）A、正确B、错误答案：B9.焊料焊时，延长加热时间对焊接质量没有任何好处。（）A、正确B、错误答案：A10.模块完成金属化后，必须要针对镀层进行外观目检、附着力测定以及环境考核试验，必要时还需要进行金相制样并观察剖切面。()A、正确B、错误答案：A11.平行封焊的电流太小仅与封接温度有关。（）A、正确B、错误答案：B12.506胶膜从低温箱取出可立即使用。（）A、正确B、错误答案：B13.混合集成电路按膜厚及制造技术，通常分为薄膜混合集成电路和厚膜集成电路。（）A、正确B、错误答案：A14.薄膜电阻激光调值切缝内不允许有碎屑颗粒。（）A、正确B、错误答案：A15.焊膏属触变流体，基本上与塑性材料相同。（）A、正确B、错误答案：B16.微晶玻璃基片的导热性能要优于陶瓷基片。（）A、正确B、错误答案：B17.粘接剂的电导率和电参数的稳定性如何。（）A、正确B、错误答案：A18.目前厚膜在线使用的钯银浆料只有一种。（）A、正确B、错误答案：A19.填充银的单组分粘接剂贮存期一般为一年。()A、正确B、错误答案：A20.常用的导电胶是填充了金颗粒的环氧树脂。()A、正确B、错误答案：B21.三维封装叠层存储器生产过程中使用的模具也必须有相应的质量控制措施，同时必须规定模具的使用寿命。()A、正确B、错误答案：A22.等离子清洗能清除表面所有沾污。（）A、正确B、错误答案：B23.第二次键合小于原有键合接触面积的75%的复合键合可以通过。()A、正确B、错误答案：B24.混合集成电路允许进行多次返工。（）A、正确B、错误答案：B25.检漏技术分为粗检和细检两种。（）A、正确B、错误答案：A26.H级混合集成电路电路在内部目检完成后，封装前应存贮在氮气柜中或100000级（K级为1000级）的受控环境内。（）A、正确B、错误答案：B27.由于硅铝丝和芯片金属化层的压点是实行铝－铝键合，所以获得不理想的键合强度。(超声键合时由于超声功率太小，则在键合点上不能形成功率圈，这种键合只能是一种压接触。（）A、正确B、错误答案：A28.触电分为电伤和电击两大类。（）A、正确B、错误答案：A29.用乙醇或丙酮清洗用具时，可以在电炉上直接加热。()A、正确B、错误答案：B30.超声键合最佳状态主要是压力、功率、劈刀形状三种工艺参数是否匹配来决定。()A、正确B、错误答案：B31.操作人员在封装半成品电路时，应用手指捏住电路平行的突出边或管壳腔体，禁止拿捏电路管脚引出区，以防玻璃绝缘子受力破裂。（）A、正确B、错误答案：A32.为了减少产品因受潮而导致的损坏，包装盒的结构要紧密，最好充N2保护。（）A、正确B、错误答案：A33.进入基片有源电路区的基片缺口视为不合格。（）A、正确B、错误答案：A34.S中素养的目的要：培养好习惯、遵守规则、营造团队精神。（）A、正确B、错误答案：A35.在P型半导体中，自由电子为多数载流子，空穴称为少数载流子；()A、正确B、错误答案：B36.在将丝网组件从印刷台上取下之前，必须先拆卸刮板以及返料刀。（）A、正确B、错误答案：A37.电阻率位于绝缘体和导体之间的材料叫做半导体。（）A、正确B、错误答案：A38.只有关键工序有首件管理要求。（）A、正确B、错误答案：B39.在电阻试样阶段，只需要监控阻值，不需要测膜厚。（）A、正确B、错误答案：B40.未能一次使用完毕的焊料，下次可继续使用。()A、正确B、错误答案：B41.用金-硅合金进行共晶焊接时，通常将焊接温度控制在400℃～420℃。()A、正确B、错误答案：A42.在键合过程中，不利用超声键合，很难除去铝膜上坚硬的氧化膜。()A、正确B、错误答案：A43.产品的可靠性与设计密切相关，而与生产状态和工艺控制无关。（）A、正确B、错误答案：B44.烧结炉所有温区显示值低于250℃之后方可关机。（）A、正确B、错误答案：A45.静电对器件造成的损坏有显性和隐性两种。（）A、正确B、错误答案：A46.平行封焊中加在圆锥电极度上的脉冲是一个100-200s的长触发。（）A、正确B、错误答案：B47.良好的湿润时，合金焊料固化后形成特有的凹形面，不湿润时，焊料固化呈聚球状。（）A、正确B、错误答案：A48.氢气烧结工艺中所使用的氢气属于还原性气体。（）A、正确B、错误答案：A49.对于低方阻的厚膜电阻器，金属占相对主要地位，因此TCR为负。（）A、正确B、错误答案：B50.密封的目的是确定具有内空腔的微电子器件和半导体器件封装的气密性。（）A、正确B、错误答案：A51.混合电路中不允用导电胶连接两根键合引线。()A、正确B、错误答案：A52.H级元器件粘接元件未按适当的器件装配图定位或定向（）A、正确B、错误答案：B53.工艺图纸没有签署完毕，口头通知即可加工产品。()A、正确B、错误答案：A54.人体的安全电压应低于或等于36V。()A、正确B、错误答案：A55.线条中间由于空洞引起图形缺损，空洞边缘距离至少其中一边导体边缘应大于等于导体设计值的1/2，对于K级电路应大于等于3/4。()A、正确B、错误答案：A56.在将丝网框架上到印刷台上的时候，由于丝网框架左右是对称的，因此不需要注意方向。（）A、正确B、错误答案：B57.经筛选而返工的电路，不需要100%重新筛选。()A、正确B、错误答案：B58.单组份的粘接剂在使用前不需要搅拌。()A、正确B、错误答案：B59.用乙醇清洗用具时可以在电炉直接加热。()A、正确B、错误答案：B60.SMT流程是送板系统-锡膏印刷机-高速贴片机-再流焊-收板机。（）A、正确B、错误答案：A61.烘箱烘烤过程中必须将烘箱排气孔打开。（）A、正确B、错误答案：A62.超声压焊的可靠性主要是由压力、温度、键合丝决定的。()A、正确B、错误答案：B63.超声压焊的可靠性主要是由压力、超声频率、时间决定的。()A、正确B、错误答案：B64.超过适用期的焊膏可以重复使用。（）A、正确B、错误答案：B65.灌封胶从冰柜取出后可立即进行脱泡处理。（）A、正确B、错误答案：B填空题1.一个键在另一个键上面所形成的单一金属键合叫做()。答案：复合键合2.产品质量的好坏包含(）、（）和（)。答案：技术性能指标|可靠性指标|经济指标3.超声键合机调试包括：()调整、()调整、()调整.。答案：功率|时间|压力4.影响烧结特性的主要参数有最高烧结温度、()、()、烧结气氛、烧结次数。答案：保温时间|升降温速率5.喷砂处理有()及()两种工艺处理方式。答案：干法喷砂|湿法喷砂6.三维封装存储模块工艺流程主要包括堆叠、()、磨切、表面金属化、()和外引线成型等6个部分。答案：灌封|激光刻线7.为了避免气泡、气孔等缺陷，注胶时必须采取()工艺。答案：真空灌封8.喷砂的目的是()灌封体表面，保证金属化后镀层()答案：粗化|附着力9.K级检验规定“高放大倍数”检查应采用()倍的双目立体显微镜在照明垂直于基片表面的条件下，对元器件及基片表面进行检验。答案：75～15010.厚膜印刷应多采用半自动或全自动丝网印刷机，并且要求（）、（）等可调、稳定。答案：印刷速度|刮板压力11.划片刀痕宽度是（）答案：20～50μm12.影响焊点失效的外部因素有(）、（）、（)。答案：环境因素|热应力|机械应力13.一般晶圆的划片道为()mm。答案：0.0814.金属化中的划伤或探针划痕，使得金属条长度方向上暴露了下层材料，并使未受影响部分小于初始金属化宽度的()，对于K级电路小于()，为不合格。答案：50%|75%15.浆料中的功能相决定了成膜后的()性能和()性能。答案：电|机械16.根据掺杂的元素的不同，杂质半导体分为()半导体和()半导体。答案：N型|P型17.烘箱内壁应定期用()擦拭清洁。答案：无水乙醇18.工艺操作中使用的酒精、丙酮()纯。答案：分析19.常用的半导体材料有()和()。答案：硅|锗20.在薄膜工艺中，金很少直接被淀积在基片上，因为金在基片上的()较差。答案：附着力21.型号为0805/103J/X7R/25V电容中25V代表电容的（）答案：耐压答案：。22.()和()是用于厚膜导体化学键合的典型氧化物。答案：氧化铜|氧化钙23.基片上长度超过(127μm)的任何裂纹，对于K级电路超过()的任何裂纹，为不合格。答案：76μm24.目前三维封装叠层存储器生产过程中采用()→()→()的流程进行注胶灌封操作。答案：预脱泡|灌封前排气|真空灌封25.化学镀时关键的工艺参数是()、()及()。答案：镀液浓度|镀液温度|化镀时间26.军工产品质量管理条例中，实行批次管理，做到“五清六分批”，其中“五清”的内容为()。答案：产品批次清，质量情况清，原始记录清，数量清，批号清27.混合电路生产线常用的厚膜浆料主要有()、()、()。答案：10Ω/□|100Ω/□|1KΩ/□28.热压楔形键合的键合点宽度为()倍引线直径，键合点长度为()倍引线直径。答案：1.5～3.0|1.5～6.0倍29.绝缘体具有()的电阻率温度系数。答案：负30.激光调值的切割方式有()、()、()、()、()切五种。答案：单切|双切|S切|L切|U形31.质量问题归零的五条内容是()、()、()、()、()。答案：定位准确|机理清楚|问题复现|措施有效|举一反三32.导电胶ME8512贮存期一般为()，适用期为()。答案：一年|3h33.热传递的方式有三种：()、()、()答案：传导|对流|辐射34.GJB548B的名称是()。答案：微电子器件试验方法和程序35.低温介质印刷位置准确，印刷套偏不得大于（）。答案：50μm36.热压键合法的机理是(）和（)。答案：低温扩散|塑性流动结合37.在表面组装的场合，焊料和被焊接金属界面是()集中的部位，形成双重()因素。答案：应力|不利38.锡锅加热台温度是()。答案：245℃±5℃39.厚膜技术是指用()、()等方法，将导体浆料和电阻浆料，通过()在陶瓷等基片上制成所需的图形，再经过()而制出厚膜元器件和集成电路的技术。答案：丝网印刷|喷涂|掩膜|加热烧结40.批量电路键合过程中至少进行()次以上抽检。答案：541.金属铝的电阻率比铜的电阻率()。答案：高42.GJB548B中要求，密封前，25µｍ金丝最小键合强度为()，40µｍ金丝最小键合强度为()。答案：3.0g|5.0g43.三维模块的烘烤类型主要有：胶样固化、()、()。答案：清洗烘干|除湿44.薄膜集成电路要求的氧化铝基片粗糙度（）答案：0.025～0.15μm答案：。45.在元器件粘接检验中，可见的元件()或()不得接收。答案：粘接倾斜|粘接材料异常46.目前厚膜电路中所用基板材料有()、()、()等。答案：96％Al2O3|BeO|AlN47.生产过程中某工序产品的交付合格数与加工数的比例关系称为()。答案：工序成品率48.选择贴装芯片粘接剂的基本考虑是：在高温下、高温老练后和加功率时，粘接剂的电导率和电参数的()如何。答案：稳定性49.与薄膜集成电路相比，厚膜集成电路的特点是()、()、()、()，特别适宜于多品种小批量生产。答案：设计灵活|工艺简便|制作方便|成本低廉50.清洗有两种工艺：()和()。答案：湿法清洗|干法清洗51.变压器电感的去漆部位长度应在以下范围：()。答案：2mm≤L≤5mm52.导体、绝缘体和半导体的划分，严格地说是以物质的()来划分答案：电阻率ρ53.绝缘体具有()的电阻率温度系数。答案：负54.根据粘接剂的化学性质可将其分成()、(

)答案：热固性|热塑性55.当粘接剂和被粘接材料完全接触时，就会在它们之间产生()的和()的作用力答案：化学|物理56.把()和()溶剂混合在一起组成共沸混合物，以便对这两类污染物具有最大的溶解作用答案：疏水|亲水57.丝网印刷一般分为()印刷和()印刷两种，在()印刷中基板直接与丝网接触；()印刷中丝网与基板间有一固定距离，在我们的生产工艺中采用的是()印刷。答案：接触式|非接触式|接触式|非接触式|非接触式58.拒收H级基片粘接导电粘合剂的堆积使安装材料和工作金属化层或基片安基片粘接装架或封装外引线键合区之间的间距小于()。答案：25μm59.常用的半导体材料有()和()。答案：硅|锗60.在键合点区域的空洞，使暴露出的下层材料超过初始金属化区域的()以上，为不合格。答案：50%61.元器件的一端离开焊盘面向上方斜立或直立称为()。答案：吊桥62.损伤是指表面受到影响但尚未达到()的程度（如磨痕、压痕等）答案：撕裂63.电路压焊完成后，必须对电路进行()自检或互检。答案：100%64.环氧粘结剂固化时，易有环氧“渗出”造成基片污染，通常采用()。答案：等离子清洗65.AD3000T全自动划片机所使用的刀具类型为()和硬刀。答案：软刀66.人体的安全电压应低于或等于()。答案：36V67.Al.G11044-2006《混合集成电路工艺环境控制及净化要求》中规定各主要工序（除光刻1000级外）环境和净化要求为温度：()；湿度：()；净化级别：()答案：15℃±30℃|15%RH-65%RH|10000068.薄膜和基片的附着力有三种：()。答案：范德华力、化学键力和静电力69.印刷厚膜IC电路的丝网多采用()网，有时也用()，超精密的印刷可采用()的不锈钢丝网。答案：不锈钢丝|尼龙丝网|镀镍70.绝缘胶665贮存期一般为()，适用期为()。答案：一年|3h71.模块表面金属化分为()、()、()、()4个工艺过程。答案：喷砂|镀前处理|化学镀镍|电镀镍金72.贴装芯片到互连基片上或贴装基片到外壳底座上的最常用方法是()答案：环氧树脂粘贴法73.导电粘合剂的堆积使安装材料和工作金属化层或基片安装架或封装外引线键合区之间的间距小于()为不合格。答案：25μm74.在芯片粘接中最常使用的是()和()两种导电粘接剂.答案：84-1A|ME851275.宽度小于()μm的切缝属于厚膜激光修正缺陷。答案：1376.金属间化合物的形成与温度和时间有关，所以焊接应在()内完成。答案：低温短时间77.粘接好的电路禁止接触()。答案：有机溶剂78.薄膜和基片的附着力有三种：()、()和()答案：范德华力|化学键力|静电力79.FP4450灌封胶取出后解冻时间应不小于()，才能进行后续操作，从取出到灌封完成时间应不超过()。答案：2h|12h80.混合集成电路按功能分为()、()、()和()四大类。答案：数字|模拟|射频微波|功率电路81.()是用途最广泛的粘接剂。答案：环氧树脂82.目前三维封装叠层存储器使用的外引线材料是()答案：可伐材料4J2983.金丝球键合时()对电路夹具进行加热。答案：必须84.质量问题归零五条标准的根本任务是()。答案：防止质量问题再发生85.静电控制最重要的方法是()。答案：接地86.在导体浆料中，功能相一般为()或()。答案：贵金属|贵金属的混合物87.金属间化合物的形成与()和()有关，所以焊接应在低温度短时间内完成。答案：温度|时间88.清洗工艺有两种：()。答案：湿法清洗和干法清洗89.GJB2438A中规定的混合集成电路等级有(）、（）、（）、（)四个等级。答案：K|H|G|D90.声波是指人耳能感受到的一种纵波，其频率范围16Hz～20KHz,当声波的频率低于16Hz时就叫做()，高于20KHz时则称为()。答案：次声波|超声波91.在进行X射线检测操作时，开机后机器需要()。答案：预热92.载体是聚合物在有机溶剂中的溶液。载体决定了厚膜的工艺特性，是()和()的临时粘结剂。答案：印刷膜|干燥膜93.金属封装的壳和盖板广泛使用的是结构材料是()，它是一种由53%的铁、29%的镍和18%钴的合金。答案：可伐94.变压器电感在加固后检验时，粘接剂距离管壳表面间距小于()为不合格。答案：127μm95.混合集成电路按膜厚及制造技术，通常可分为()和()。答案：薄膜混合集成电路|厚膜混合集成电路96.浆料一般由()、()、()、()等贵金属和低熔点玻璃组成，将这些贵金属粉末分散在有机树脂粘合剂中调成糊状，然后通过丝网印版印在陶瓷基板上。答案：金|银|铂|钯97.导电胶84-1A贮存期一般为()，适用期为()。答案：一年|2周98.存储器模块顶面打标图形和字符应()。答案：清晰可辨99.506胶膜的贮存期一般为()。答案：半年100.CO2激光器波长为()nm。答案：10640简答题1.装片外观检验及判定的标准？答案：图形方位正确，芯片表面无污染，芯片边缘无缺损，芯片不倾斜，位置无偏差，键合区无污染，芯片粘结面积符合要求，焊料无上翻，芯片表面无划伤。2.粘芯片用的聚脂树脂中含有固化剂为10%，问此树脂1500g，含有纯树脂多少克？答案：含纯树脂为：1500×(1-10%)＝1500×90%＝1350(克)答：含有纯树脂为1350克。3.请计算如下图所示的模块的待镀面积是多少？答案：待镀面积=26×33.5×4+26×26=4160mm2答：模块的待镀面积是4160mm2。4.环氧包封是密封的吗？为什么？答案：由于聚合物对湿气、空气和其他气体的固有渗透性和塑料与封装引线的界面间的湿气渗透、环氧封装或塑料包封被认为是不密封的。5.在Au-Sn合金中，已知Au原子的百分数为70.6%，Au和Sn和为0.575N，(1)求Au的原子数？(2)求Au的质量百分比含量？（Au＝197）答案：设Au的原子数为x，则X/0.575＝0.706X＝0.706×0.575＝0.406(N)Au的质量百分含量为：197×0.406≈80答：(1)Au的原子数为0.406N；(2)Au的质量百分比含量为80%。6.已知模块的长宽高分别为24mm、19mm、6.5mm，请问模块表面的待镀面积是多少dm2？答案：模块待镀面共5个面积=24×19+24×6.5×2+19×6.5×2=1015mm2=0.1015dm2答：表面的待镀面积是0.1015dm2。7.共晶焊粘片和银浆粘片两种方法各有什么优、缺点？优缺点如下：答案：共晶粘片优点：(1)电阻小；(2)传热快；(3)可靠性高。共晶粘片缺点：(1)高温粘结易损坏器件；(2)不可返工；(3)高温可能导致基片上的电阻变值。银奖粘片的优点：(1)低温粘结无氧化；(2)可返工；(3)芯片背面金属化无特殊要求。银浆粘片的缺点：(1)电阻较大；(2)传热较慢；(3)有机粘合剂对器件和人身有污染。8.用1MΩ/□电阻材料制作一个长度为600μm、宽度为200μm电阻，请计算该电阻的理论标称值？答案：R□□=L/W=600/200=3□R=3□×1MΩ/□=6KΩ答：该电阻的理论标称值为3MΩ。9.100克水中溶入NaOH10克，则该溶液的NaOH百分含量为多少？答案：10/(100+10)×100％=9.09％答：该溶液的NaOH百分含量约为9.09％。10.超声压焊劈刀经常使用后，如何进行清洁处理？答案：其方法是用20%的NaOH溶液除去劈刀上的污垢，并采用室温下20min的超声波清洗，然后浸到10%HCl溶液中，最后用去离子水冲洗后用无水乙醇脱水即可使用。11.通过哪些方面衡量焊料的可焊性？答案：通过测定其接触角润湿率或铺展性来衡量其可焊性。12.在进行组装时，操作人员必须做到哪些防静电措施？答案：操作人员的工作服必须是防静电的；操作人员必须戴上有良好接地的手镯；工作台要辅有导电金属板；所有设备、仪器、仪表都应有良好的接地装置；每星期必须检查一次所有生产设备、用具等接地性能情况；装有CMOS电路装运管或包装盒应有标志；所有生产工艺文件应有“防静电”标志。13.有一轴套，外径φ50+0.027+0.002，内径φ40+0.0390，分别计算出内、外径的极限尺寸及公差？答案：外径φ50+0.027+0.002则：外径最大极限尺寸：50+0.027=50.027；最小极限尺寸：50+0.002=50.002；公差：0.027－0.002=0.025内径φ40+0.0390答：内径最大极限尺寸：40+0.039=40.039；最小极限尺寸：40+0=40；公差：0.039－0=0.03914.决定超声键合的工艺一致性和可靠性的工艺参数有哪些？答案：为使超声键合形成良好的合金键合力，并能在生产工艺中保证其工艺的一致性和可靠性，各种参数必须互相匹配，这些参数是：压力、超声功率、时间以及劈刀的几何形状和金属丝的质量等。15.一个矩形厚膜电阻长为600um，宽为400um，采用的浆料方阻为10kΩ，则该电阻的阻值？答案：长/宽=1.5□10K×1.5□=15K答：该电阻为15K16.质量问题归零的五条内容是什么？答案：定位准确，机理清楚，问题复现，措施有效，举一反三。17.用2KΩ/□电阻材料制作一个长度为500μm、宽度为250μm电阻，请计算该电阻的理论标称值？答案：R□□=L/W=500/250=2□R=2□×2KΩ/□=2KΩ答：该电阻的理论标称值为4KΩ。18.Au-Sn合金中，金的质量百分比为80％，求Sn的原子百分比含量。(Sn原子量为118.7，Au原子量为197.0)答案：假设合金的质量为100g，N为阿佛罗常数∴Au的原子数为80/197.0=0.406NSn的原子数为20/118.7=0.169N故：Sn的原子百分数比含量为:0.169/(0.169+0.406)=29.4％答：Sn的原子百分比含量为29％。19.已知某封装外壳的设计尺寸为12mm，该外壳