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文档简介
半导体能带习题课件半导体能带习题课件2–13.在结二极管中,N区的宽度远小于,用(S为表面复合速度)作为N侧末端的少数载流子电流,并以此为边界条件之一,推导出载流子和电流分布。絵出在S=0和S=时N侧少数载流子的分布形状。
解:连续方程
取
取
讨论:(1)即长PN结:所以分子分母第二项近似为0
(此即长PN结中少子分布)即短PN结:
若取,则
对的讨论类似有取
由边界条件得由上述条件可得所以
2-.结杂质分布Na=常数,,导出特性表达式。解:设为N侧SCR的边界,对于结,SCR的宽度为Poisson’sEq
为=因为有则代入上式,得
即当有偏压时总电荷则电容2–.若二极管区宽度是和扩散长度同一数量级,推导小信号交流空穴分布和二极管导纳,假设在处表面复合速度无限大。解:小信号由近似为又有[式(2-30)]所以有
令则有其中右侧第一项为直流分量,第二项为交流分量
(1)当x=0时
(表面复合速率无限大)根据连续方程将(1)式代入有其中直流分量为交流部分为方程的通解为
边界
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