在线网课知道智慧《微电子工艺学A（上海大学）》单元测试考核答案

注：仅客观题第一章单元测试1【单选题】(2分)世界上第一个集成电路制造所用的衬底是（）。A.多晶硅B.锗单晶C.金衬底D.硅单晶2【单选题】(2分)麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。A.10nmB.7nmC.9nmD.5nm3.【多选题】正确答案：AC发明集成电路的公司有（）。A.仙童半导体B.英特尔C.德州仪器D.英伟达4.【多选题】正确答案：ABCD微电子产业的特点有()。A.对材料及产品可靠性要求高B.技术含量高，人才需要大C.制造环境要求高D.商品寿命短5【判断题】摩尔定律会一直发展下去。（）A.错B.对6【判断题】集成电路制造所需的单晶硅纯度在11－12个9。（）A.错B.对1【单选题】(2分)如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（）。A.表面用掩膜B.表面预非晶化C.增加注入能量D.增加注入剂量2【单选题】(2分)下列哪个杂质允许在硅中存在的？()A.OB.CuC.CD.Na3.【多选题】正确答案：ABCD硅的四种掺杂方式有以下几种？（）A.中子嬗变掺杂B.离子注入C.扩散掺杂法D.原位掺杂4【判断题】金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（）A.错B.对5【判断题】硅的解理面为（110）面。（）A.错B.对1【判断题】金刚石结构的立方晶胞空间利用率为74%。（）A.对B.错2【单选题】(2分)硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）A.精馏B.硅烷热分解C.制备硅烷D.固体吸附法3.【多选题】正确答案：ABC目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）A.智能剥离法B.注氧隔离法C.键合再减薄技术4【判断题】物理提纯法制备多晶硅过程中，硅参加了化学反应。（）A.错B.对1【单选题】(2分)如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？()A.细菌B.金属离子C.融解的氧气D.化学物质2【单选题】(2分)下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）A.微粒B.浓度C.纯度D.金属离3【判断题】美国联邦标准209E按一立方英尺中存在的颗粒大小和密度定义空气净化标准。()A.错B.对4【判断题】美国用离子交换法制取95%纯水。（）A.对B.错1【单选题】(2分)硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）A.25nmB.30nmC.20nmD.10nm2【单选题】(2分)湿氧氧化采用的氧化水温是（）。A.80度B.90度C.75度D.95度3.【多选题】正确答案：BC消除鸟嘴效应的方法有（）。A.选择合适的掩蔽膜B.高压氧化工艺C.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化D.退火4.【多选题】正确答案：AD鸟嘴效应造成的不良影响有（）。A.电容增加B.电阻增大C.电流减少D.有效栅宽变窄5【判断题】重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快。（）A.对B.错6【判断题】晶向（111）硅单晶氧化速率将比（100）稍慢。（）A.对B.错1【单选题】(2分)扩散工艺用于形成（）。A.深结或浅结B.深结和浅结C.浅结D.深结2【单选题】(2分)掺杂的浓度范围为（）。A.3.【多选题】正确答案：ABC下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）A.CuB.AgC.AuD.P4.【多选题】正确答案：AD填隙扩散的特点有（）。A.填隙型杂质扩散很快B.填隙型杂质扩散很慢C.对硅掺杂水平有直接贡献D.对硅掺杂水平无直接贡献5【判断题】空位扩散是替位型杂质的主要扩散机制之一。（）A.对B.错6【判断题】只有存在空位扩散时，才能发生推填隙扩散。（）A.错B.对1【单选题】(2分)当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。A.最低掺杂剂量B.损伤剂量C.掺杂剂量D.临界剂量2【单选题】(2分)掺杂后退火时间一般在（）。A.30~60分钟B.100~120分钟C.60~90分钟D.10~20分钟3【单选题】(2分)注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?（）A.质量B.剂量C.能量D.温度4.【多选题】正确答案：ABC掺杂后，退火的目的是（）。A.提高掺杂均匀性B.修复损伤C.实现电激活D.加大损伤5【判断题】低剂量离子注入不会产生损伤。（）A.错B.对6【判断题】如果注入离子的半径较小，它沿着敞开的晶体方向注入时，沟道效应更加显著。（）A.对B.错1.【多选题】正确答案：ABCD常压的硅外延方法有（）：A.硅烷热分解法B.二氯氢硅烷法C.四氯化硅氢还原法D.三氯氢硅氢还原法2.【多选题】正确答案：ACD物理气相沉积方法有（）。A.电子束蒸发B.等离子体增强化学气相沉积C.磁控溅射D.热蒸发3【判断题】化学气相沉积是在超高真空条件下进行反应。()A.对B.错4【判断题】分子束外延制备薄膜主要是在衬底上发生化学反应。（）A.错B.对5【判断题】蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（）A.错B.对1【单选题】(2分)刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()A.抛光B.氧化C.光刻D.离子注入2【单选题】(2分)下列选项哪个不是干法刻蚀优点？（）A.好的CD控制B.好的侧面控制C.设备便宜D.化学品使用低3.【多选题】正确答案：ABCD刻蚀参数有：（）。A.均匀性B.刻蚀速率C.选择比D.刻蚀偏差4.【多选题】正确答案：CD刻蚀过程中聚合物形成的来源有：（）。A.Si衬底B.刻蚀溶液C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物D.光刻胶5【判断题】干法刻蚀工艺中不存在化学反应。()A.错B.对1【单选题】(2分)进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。A.去离子水冲洗B.有机溶液清洗C.HF结尾的清洗工艺D.碱溶液清洗2【单选题】(2分)光刻工艺的设备核心是（）。A.掩膜版B.光刻机C.光刻胶D.对准和曝光3.【多选题】正确答案：ACD光刻工艺的特点包括：（）A.决定特征尺寸的关键工艺B.光刻工艺过程复杂C.光刻与芯片的价格和性能密切相关D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术4.【多选题】正确答案：BD光刻工艺对准误差包括：（）。A.上下偏移B.X或Y方向的平移C.套准误差D.转动5【判断题】曝光波长越短约好。（）A.对B.错1.【多选题】正确答案：ABCD新的平坦化方法有哪几个？（）A.电化学机械平坦化技术B.无磨粒CMP技术C.固结磨料CMP技术D.无应力抛光技术2.【多选题】正确答案：BCDCMP的设备构成包括（）。A.台板B.夹持设备C.抛光垫D.抛光液3【单选题】(2分)化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）A.还原剂B.磨料C.腐蚀介质D.分散剂4【判断题】化学机械抛光是一种全局性的抛光技术。（）A.对B.错5【判断题】没有化学机械抛光，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。（）A.错B.对1【单选题】(2分)最早使用的金属化材料是（）。A.金B.铝C.铁D.铜2【单选题】(2分)进行沟槽填充常用的金属材料是（）。A.金B.铝C.钨D.铜3.【多选题】正确答案：ABCD金属化中可选用的金属材料有（）。A.金B.铝C.银D.铜4.【多选题】正确答案：CD互连工艺中AL的制备可选用（）。A.MBEB.电镀C.CVDD.PVD5【判断题】互连工艺中铝和硅可以互溶。（）A.错B.对1【单选题】(2分)封装工艺中，银浆固化的温度为()。A.157度B.175度C.180度D.190度2【单选题】(2分)下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？()A.三光检查B.一光检查C.四光检查D.二光检查3.【多选题】正确答案：ABCD影响封装芯片特性的温度有（）。A.物理的脆弱度B.热的产生C.热敏感度D.集成度4.【多选题】正确答案：ABD芯片粘接的工艺过程包括（）。A.银浆固化B.芯片粘接C.烘烤D.点银浆5【判断题】三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。（）A.对B.错6【判断题】去溢料的方法主要有弱酸浸泡和高压水冲洗。（）A.错B.对1【单选题】(2分)集成电路制造中所涉及的器件主要是（）。A.电阻B.二极管C.放大器D.CMOS晶体管2【单选题】(2分)下面哪个不是单电子晶体管的特点？（）A.中间的栅极为一量子点B.工作原理是基于库伦阻塞效应C.功耗小D.制备工艺简单3.【多选题】正确答案：ACDIC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍,电路速度可增加α倍,B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍,集成度提高α倍C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍,而单位芯片面积的功耗不变D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍,单元电路的功耗下降α