GBT 40577-2021 集成电路制造设备术语

集成电路制造设备术语2021-10-11发布2022-05-01实施I前言 2规范性引用文件 13基础术语 14晶体生长加工设备 25掩模制造设备 56光刻与刻蚀设备 87掺杂设备 8薄膜淀积设备 9清洗设备 10封装设备 11检测设备 12公用部件 参考文献 Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、浙江晶盛机电股份有限公司、中电科电子装备集团有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、上海微电子装备(集团)股份有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司。1集成电路制造设备术语本文件规定了集成电路(IC)制造设备的基本和常用术语，包括基础术语，晶体生长加工设备、掩模术语。本文件适用于集成电路制造设备的设计开发、生产和应用，也适用于集成电路制造设备的科研、教学和出版工作。2规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。3基础术语可靠性reliability在规定的条件下，设备在一定时间内执行其预定功能的能力。可用性availability当需要时，设备处于可以执行其预定功能的可能性。维修性maintainability在规定时间内，设备保持在或恢复至能够执行其预定功能的状态的可能性。平均故障间隔时间meantimebetweenfailure;MTBF可修复产品两次相邻故障之间的平均时间。注：MTBF又称为“平均无故障时间”,是衡量设备的可靠性指标，单位为“小时(h)”,是体现设备在规定时间内保持功能的一种能力。平均维修时间meantimetorepair;MTTR可修复产品从出现故障到修复所需时间的平均值。平均失效时间meantimetofailure;MTTF系统能够正常运行的平均时间。24晶体生长加工设备以高温熔化方法由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶锭的设备。直拉单晶炉Czochralskimonocrystalgrowthfurnace在适当的温度和工作气氛控制下，将特制的单晶籽晶与熔化于坩埚内的高纯多晶材料相接触，并在籽晶与坩埚的相对旋转中按一定速度垂直向上提拉籽晶，使熔体不断沿籽晶晶向结晶，直接拉制成单晶锭的设备。注：又称为“切克劳斯基法单晶炉”。磁场直拉单晶炉magneticCzochralskimonocrystalgrowthfurnace在熔化硅料的坩埚外围，施加有效磁场，抑制熔料的热对流，以控制晶体的氧、碳含量，改善晶体的微缺陷，从而达到提高晶体质量目的的直拉单晶炉。注：磁场直拉单晶炉的磁场设备依据磁场方向可分为横向磁场、纵向磁场、钩形磁场三种类型。液封直拉单晶炉liquidencapsulatedCzochralskimonocrystalgrowthfurnace利用过压惰性气体及漂浮于熔体表面的液态封盖剂来维持合成条件，并阻止高蒸气压元素挥发，以拉制GaAs或其他化合物单晶锭的直拉单晶炉。反应室内惰性气体压力在2MPa以上的液封直拉单晶炉。中压直拉单晶炉mediumpressureCzochralskimonocrystalgrowthfurnace反应室内惰性气体压力在0.5MPa～2MPa之间的液封直拉单晶炉。反应室内惰性气体压力在0.3MPa左右的液封直拉单晶炉。在高真空或惰性气体保护下，利用加热线圈将高纯的多晶硅棒局部加热熔化，熔区在熔硅的表面张力、加热线圈磁托浮力和环境压力作用下处于悬浮态，然后从熔区下方引入旋转着的籽晶，籽晶与悬浮态的熔硅相熔接，以一定的速度将熔硅拉制成单晶硅锭的设备。以密封石英管维持合成或单晶生长条件，以矩形截面石英舟盛放GaAs或其他化合物原料，当该石英反应管与窄区段加热区域按一定速度相对水平移动时，高温合成的GaAs或其他化合物熔体即在冷却的一侧沿籽晶晶向结晶，并得到进一步提纯的单晶生长设备。截断机ingotcuttingmachine通过切割，对单晶棒进行去头部、尾部、取样片、切段的一种晶体加工设备。3滚磨机ingotgrindingmachine通过金刚石磨轮将单晶棒外径磨削成所需直径棒料的设备。铣磨机millingandgrindingmachine在单晶棒上磨削出平边参考面或定位槽的设备。将半导体单晶等硬脆棒材切割成具有精确几何尺寸和所需厚度薄片的设备。利用内圆刃部镀有金刚石磨料的环形不锈钢体刀具，将半导体单晶等硬脆棒材切割成具有精确几何尺寸和所需厚度薄片的设备。立式内圆切片机verticalinternaldiametersaw单晶棒晶轴方向呈垂直(竖直)方向的内圆切片机。单晶棒晶轴方向呈水平方向的内圆切片机。外圆切片机externaldiametersaw利用外圆刃部镀有金刚石磨料的圆形刀具，将半导体单晶等硬脆棒材切割成具有精确几何尺寸和所需厚度薄片的设备。多线切割机multi-wiresaw通过成组高速运动的金属丝(带动磨料)或金刚石切割线，以单向循环或往复循环运动的方式，将半导体等硬脆材料一次同时切割成批量薄片的一种切割加工设备。游离磨料多线切割机freeabrasivemulti-wiresaw通过成组高速运动的金属丝，带动切削液内的游离磨料对材料形成磨削，将半导体等硬脆材料一次同时切割成批量薄片的一种切割加工设备。通过成组附有固定金刚石磨料的金属线的高速运动对材料形成磨削，将半导体等硬脆材料一次同时切割成批量薄片的一种切割加工设备。倒角机edgeroundingmachine为防止晶片在后续加工过程中边缘产生破损、擦伤或在边缘形成不正常生长层，通过成型磨轮将切割晶片的锐利边缘修整(磨削)成特定形状(R型或T型),使晶片边缘棱角锐度降低的设备。研磨机lappingmachine利用研磨浆料，通过机械研磨去除晶片表面因切割工艺造成的锯痕，减小晶片表面损伤层深度，改4善晶片平整度和表面粗糙度的设备。双面研磨机doublesidelappingmachine通过驱动晶片相对上、下磨盘作行星式或其他形式的运动，同时对晶片的两侧表面进行机械磨削的研磨机。单面研磨机singlesidelappingmachine晶片的一面经粘附或真空吸附固定在研磨载具上，驱动载具旋转并施加压力，使晶片另一面与研磨盘进行磨削的研磨机。采用金刚石磨轮，通过机械磨削去除晶片表面因切割工艺造成的锯痕及表面损伤层，改善晶片表面质量的设备。双面磨片机doublesidegrinder采用金刚石磨轮，对晶片上、下两面同时进行机械磨削，以去除晶片表面因切割工艺造成的锯痕及表面损伤层，改善晶片的翘曲度、平整度及平行度的磨片机。注：双面磨片机主要用于加工直径300mm及以上晶片。单面磨片机singlesidegrinder采用金刚石磨轮，对晶片的一面(正面)进行机械磨削，进一步去除晶片表面损伤层厚度，改善晶片的总厚度变化和表面粗糙度的磨片机。注：单面磨片机主要用于300mm及以上晶片双面磨片后的表面精加工、200mm晶片双面研磨后的表面精加工，或者晶片刻蚀后的表面精加工。晶片腐蚀机sliceetchingmachine利用化学反应去除机械加工对晶片造成的损伤层、加工应力和沾污等的设备。化学机械抛光机chemical-mechanicalpolisher利用抛光液化学腐蚀和磨料机械研磨的联合作用，改善晶片表面形貌质量，降低晶片表面粗糙度，提高晶片的整体平整度和局部平整度的设备。双面抛光机doublesidepolisher同时对晶片两面进行抛光的化学机械抛光机。单面抛光机singlesidepolisher对晶片单面进行抛光的化学机械抛光机。注：主要用于100mm～300mm之间晶片的单面抛光，用来提高晶片单面的平整度及粗糙度的加工设备。边缘抛光机edgepolisher利用化学机械抛光方法，对晶片边缘及切口槽或平边进行抛光，以降低微粒附着在晶片边缘及切口5槽或平边的可能性，改善晶片边缘及切口槽或平边的粗糙度，并使晶片具有较好的机械强度的设备。抛光盘式边缘抛光机polishing-plateedgepolisher采用抛光盘对晶片边缘进行抛光的化学机械抛光机。抛光桶式边缘抛光机polishing-drumedgepolisher采用抛光桶对晶片边缘进行抛光的化学机械抛光机。通过物理和化学清洗方法，去除晶片加工后表面残留的磨料颗粒、有机物及金属沾污等杂质的设备。在氢气或稀有气氛下，将温度升至特定温度范围，通过保温、降温，将晶片表面附近的氧挥发脱除，使内部的氧沉淀分层，减少晶片表面附近的杂质含量及缺陷，使晶片表层形成相对洁净区的设备。反应室呈水平结构布局的晶片退火炉。反应室呈垂直结构布局的晶片退火炉。5掩模制造设备坐标刻图机coordinatograph早期的一种利用数字化仪控制进行掩模原图刻划的设备。即利用在平台表面作两维运动，相对直角坐标轴准确定位的刻刀，对置于台面上的红膜按设计数据刻线，并经人工剥膜，以形成适当放大倍率的集成电路原图的装置。数字化仪digitizer从集成电路平面设计图上读取反映图形特征点的坐标值(如顶点坐标),并将其转化为刻图机或其他制图设备可识别的适当格式的图形数据处理装置。在计算机控制下，直接按照输入的图形数据，在涂覆漆膜或者红膜的透明基片上以刻膜、剥膜方式制作放大的集成电路原图，或以彩色笔绘图方式在图纸上绘制放大的体现各层图形之间套刻关系的装置。6初缩照相机firstreductioncamera利用光学成像原理，将集成电路原图按适当比例缩小，并成像在乳胶板的感光膜上，以形成中间掩模的轨道式可变倍率的大型照相设备。精缩照相机photorepeater;step-and-repeatsystem由高分辨率光学缩小成像系统和精密定位工作台组成，将中间掩模图形按适当比例缩小到实际尺寸，并按分步重复方式或异图分布方式在乳胶板或匀胶铬板的感光膜上曝光形成为图形阵列，从而制备阵列掩模版的曝光设备。图形发生器patterngenerator通过各种曝光方式在感光材料上曝光出掩模图形的掩模曝光设备。光学图形发生器opticalpatterngenerator一种利用计算机辅助制造掩模图形的光学曝光设备。在计算机控制下，利用可变机械狭缝(或固定矩形模块)光阑，通过具有特定缩小倍率(通常25倍缩小)的透镜成像系统，利用闪光灯(或汞灯与快门配合)和工件台移动协调动作，把计算机输入的集成电路数据按顺序曝光，在工作台的感光板上拼接成完整集成电路中间掩模。激光图形发生器laserpatterngenerator利用聚焦激光光束，由计算机控制，按照输入的图形信息直接在涂覆有光敏材料的基片上曝光出掩模图形的光学掩模制造设备。又称为“激光直写系统”。注：激光图形发生器属于无掩模光刻设备。基于数字微镜器件的激光直写系统laserdirectwritingsystembasedondigitalmicromirrordevice采用数字微镜器件作为“数字掩模”,取代传统的投影光刻机的中间掩模版，通过透镜微缩，把数字微镜器件中的每一个近十微米级的镜片反射光缩小到亚微米级光斑，直接投影到基片的光学掩模制造设备。准分子激光图形发生器excimerlaserpatterngenerator以准分子激光器做闪光光源的机械狭缝扫描方式或激光狭缝扫描方式的光学图形发生器。电子束掩模制造系统electronbeammaskmanufacturingsystem利用计算机控制的聚焦电子束进行光栅扫描或矢量扫描，直接在涂覆有光敏材料的基片上曝光出掩模图形的掩模制造设备。变形束电子束光刻机variable-shapedelectronbeamlithographysystem一种可变束斑的电子束曝光系统。利用电子光学系统中的静电偏转电极将可移动的第一光阑(大7的矩形窗口光阑)的像投影在第二光阑上，第一光阑窗口的像和第二光阑窗口重合部分便形成可改变形状和尺寸的电子束斑。在曝光过程中，根据集成电路版图的单元图形结构和大小，改变光阑大小，由大矩形束斑拼接大尺寸图形，以细条图形曝光小尺寸图形，从而提高电子束曝光效率，成形束电子束光刻机shapedelectronbeamlithographysystem一种束斑形状和尺寸固定的电子束曝光系统。利用电子光学系统中第一光阑(大的矩形窗口光阑)的像移动到一定位置后保持不变地投影在第二光阑上，第一光阑窗口的像和第二光阑窗口重合部分便形成一个形状和尺寸固定的电子束斑。一种全掩模有效区域内选择性扫描曝光的电子束曝光系统。在工作台移动和电子束以光栅扫描方式相配合下构成的两维扫描场中，通过静电通断电路按输入图形数据控制电子束通断，进行选择性曝光。掩模光刻胶涂覆设备photoresistcoaterformask-making利用液体的表面张力和基片高速旋转的离心力将光刻胶均匀地涂覆在基片表面的设备。掩模保护膜安装仪pelliclemountinginstrument用于在中间掩模版上安装掩模保护膜，以隔离空气中的颗粒和其他环境污染物等缺陷对掩模图形层的污染的精密装置。掩模图形数据处理系统processingsystemformaskpatterndata将数据传输常用的GDSⅡ格式(或其他格式)的数据转换成曝光设备能够接受的专用格式数据，并进行版图曝光场切割和各种数据变换处理的设备。掩模复印机maskcopier将集成电路主掩模图形进行接触复印，复制副主掩模或者工作掩模的曝光设备。与掩模缺陷检查设备连接，利用各种高能辐射束及热沉积或者光化学气相淀积材料对掩模或中间掩模的透明缺陷或不透明缺陷进行修复的设备。利用适当波长的激光对特定金属有机物反应剂的光化学气相淀积作用和对掩模图形材料的热蒸发作用，以聚焦扫描激光束分别定域修复铬掩模或中间掩模透明缺陷和不透明缺陷的设备。聚焦离子束掩模修补设备focusedionbeammaskrepairsystem利用聚焦离子束进行定域溅射刻蚀以去除多余的铬材料，以去除不透明缺陷，同时还具有利用物理8方法打磨透明缺陷表面产生的不透明缺陷，以实现透明缺陷修补的设备。6光刻与刻蚀设备利用光化学反应作用，在圆片表面涂覆的光刻胶层绘制电路图形信息的曝光设备。掩模光刻机maskaligner利用光化学反应作用，通过掩模版将电路图形信息转印到圆片表面涂覆的光刻胶层的光学曝光设备。接触式光刻机contactaligner使掩模版与圆片精确对准并紧密接触，将掩模图形等倍地转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备。接近式光刻机proximityaligner使掩模版与圆片精确对准，掩模版与圆片之间保持被惰性气体填充的一定间隙，将掩模图形等倍地转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备。投影光刻机projectionaligner利用光学成像方法，将掩模版图形按照一定比例、方向投影到圆片基底上，并在基底所涂覆的感光材料中形成图形潜像的光学曝光设备。分步重复光刻机waferstepper一种利用特定尺寸规格的静态曝光视场和固定缩小倍率的投影物镜，将掩模图形转印在圆片光刻胶层的，具有分步重复功能的投影光刻机。步进扫描投影光刻机scan-stepper一种同时具有子场扫描投影曝光和缩小分布重复拼接曝光功能的光学曝光设备。浸没式光刻机immersionscanner通过将镜头像方下表面与圆片上表面之间充满液体(通常是折射率为1.44的超纯水),以提升成像系统的有效数值孔径的步进扫描光刻机。红外光刻机infraredmaskaligner利用红外光的透射性能，从反面观察圆片图形，进行圆片背面标记图形与掩模图形的对准和曝光的设备。远紫外光刻机farultravioletmaskaligner采用波长范围200nm～300nm的远紫外光作为曝光光源，通过接触/接近或投影曝光的方法，将9掩模图形转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备。极紫外光刻机extremeultravioletmaskaligner采用波长范围10nm～14nm的极紫外光作为曝光光源，通过步进扫描方式将掩模图形转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备。准分子激光光刻机excimerlasermaskaligner将准分子激光器产生的远紫外光作为曝光光源，通过接触/接近或投影曝光的方法，将掩模图形转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备。X射线光刻机X-raylithographysystem用波长范围0.4nm～5nm的X射线，以面曝光的方式将掩模图形等倍转印在圆片光刻胶层的曝光设备。接近式X射线光刻机proximityX-raylithographysystem利用X射线曝光源，使X射线掩模与圆片精确对准并在其间保持一定间隙，以拷贝复印方式将掩模图形等倍转印在圆片光刻胶层的面曝光设备。X射线圆片步进光刻机X-raywaferstepper利用X射线曝光源，使掩模与圆片精确对准并在其间保持一定间隙，以步进投影方式将掩模图形等倍成像在步进重复运动的圆片光刻胶层的曝光设备。无掩模光刻机masklesslithographysystem不通过掩模版，利用计算机输入的地址和图形数据控制光束或带电离子束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图形的曝光设备。利用计算机输入的地址和图形数据控制聚焦电子束在涂覆感光材料的圆片上直接绘制电路版图的曝光设备。用于纳米尺度集成电路或掩模版加工的电子束光刻系统。利用计算机输入的地址和图形数据，同时控制多束聚焦电子束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图形的曝光设备。高斯束电子束光刻机Gaussianelectronbeamlithographysystem束斑的电子密度呈高斯分布的电子束光刻系统。圆形束电子束光刻机circularelectronbeamlithographysystem束斑的电子密度呈圆形截面的电子束光刻系统。束斑的电子密度呈高斯分布的圆形截面的电子束光刻系统。采用矢量式扫描曝光的电子束曝光系统。注：曝光过程中，由电子束按规定的子场宽度(如250nm)的尺寸对写场内的最接近起始点的图形单元开始进行连续扫描填充式曝光，当一个单元图形扫描曝光完成后，电子束直接偏转到临近图形单元进行扫描填充式曝光，整个写场图形组扫描曝光完成后，工件台移动到下一个写场的位置，继续进行矢量扫描曝光，直至整个圆片图形曝光完成。电子束投影光刻机eletronbeamprojectionlithographysystem以镂空掩模作为光阑，把镂空掩模图形成像到圆片表面电子抗蚀剂膜上，实现电子束缩小投影曝光的设备。电子束字符投影光刻机eletronbeamcharacterprojectionlithographysystem电子束投影光刻系统的一种，用制备有系列基本图形元素的镂空模板代替电子光学柱中光阑，通过控制系统选择其中一个或者几个在圆片表面电子抗蚀剂上曝光，如同字符可拼写出复杂图形的电子束曝光设备。电子投影光刻机electronprojectionlithographysystem将紫外光照射涂有光电发射材料的石英衬底金属掩模所产生的光电子，经电场加速和磁场聚焦，垂直投射到圆片光刻胶层上，使之产生等倍掩模图形潜象的面曝光设备。离子束光刻机ionbeamlithographysystem利用计算机输入的地址和图形数据控制聚焦离子束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图形的曝光设备。掩蔽离子束光刻机maskedionbeamlithographysystem用准直离子束穿过与圆片接近的镂空金属箔掩模，对圆片光刻胶层进行曝光，以形成微结构图形潜像的曝光设备。离子束投影光刻机ionbeamprojectionlithographysystem利用整形后的聚焦离子束，将透过镂空中间掩模的图形缩小投影在圆片上，通过工件台的移动在圆片上分步重复成像，使光刻胶层产生掩模图形潜象的离子束曝光设备。聚焦离子束扫描光刻机focusedionbeamscanlithographysystem在计算机控制下，通过工作台运动和静电偏转，使聚焦离子束在偏转场内按输入图形数据对圆片光刻胶层进行分区扫描曝光的设备。激光直写光刻机laserdirectwritinglithographysystem利用计算机输入的地址和图形数据控制激光光束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图形的曝光双面光刻机doublesidelithographysystem可同时在圆片两面涂覆的光刻胶层绘制电路图形信息的曝光设备。利用纳米图形掩模使圆片上的聚合物涂层变形，然后采用特定方式使聚合物涂层固化，从而完成图形转印的设备。涂胶显影设备coatingandresistdevelopingequip涂胶设备coatingequipment在圆片表面均匀涂覆光刻胶或其他胶质液体的工艺设备。在高速旋转下，利用离心力和液体表面张力使光刻胶或其他胶质液体均匀地涂覆在圆片上的工艺喷雾式涂覆设备sprayingcoatingequipm通过超声波使光刻胶或其他胶质液体雾化为微小颗粒并以一定的压力通过喷嘴喷出，在基片表面形成均匀的胶液层，通过相应处理，以实现在基片表面形成均匀胶膜的工艺设备。用显影液对圆片上曝光形成的光致抗蚀图形潜象进行化学处理，除去可溶解材料，使曝光图形固化超声显影机ultrasonicresistdeve利用超声波振荡产生的作用力，使显影液空化和乳化，对曝光后的圆片完成显影的设备。烘干炉bakingfurnace利用腐蚀媒质对显影后圆片未被抗蚀层遮蔽的区域进行刻蚀，除去不需要的材料，形成所需图形的湿法腐蚀机wetetcher使用液态的化学刻蚀剂与圆片上未被抗蚀剂遮蔽区域的材料发生反应，除去不需要材料，形成所需图形的设备。槽式腐蚀机benchtypeetcher将圆片置于化学药液槽体中完成刻蚀的设备。单片湿法腐蚀机singlewaferwetetcher利用化学药液对圆片逐个刻蚀，以去除硅、氧化硅、氮化硅及金属膜层的设备。喷射腐蚀机sprayetcher将腐蚀液以辐射状喷向处于水平放置的旋转圆片表面，以完成刻蚀的湿法刻蚀设备。带式喷射腐蚀机beltingsprayetcher将腐蚀液喷射到由传送带载动的圆片表面，以完成刻蚀的湿法刻蚀设备。干法刻蚀机dryetcher以化学反应等离子体、荷能离子或离子束作为腐蚀媒质，对显影后基片未被抗蚀层遮蔽的区域进行刻蚀，除去不需要的材料，形成所需图形的设备。等离子体刻蚀机plasmaetcher利用等离子体直接或间接地产生刻蚀气体，使其与圆片上未被抗蚀层遮蔽区域的材料发生反应，以完成刻蚀的设备。电容耦合等离子体刻蚀机capacitivelycoupledplasmaetcher由射频(或直流)电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备。电感耦合等离子体刻蚀机inductivelycoupledplasmaetcher将射频电源的能量经电感线圈，以磁场耦合的形式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备。电子回旋共振等离子体刻蚀机electroncyclotronresonanceplasmaetcher利用电子在磁场中的回旋共振原理，在低气压条件下获取高浓度等离子体并进行刻蚀的设备。螺旋波等离子体刻蚀机heliconwaveplasmaetcher利用横向的电磁波与纵向的磁场发生耦合形成的螺旋波增强等离子体化学活性和增强等离子体密度的等离子体刻蚀机。桶形等离子体刻蚀机barrelplasmaetcher通过低压气体放电，使垂直于圆桶式反应器轴线排列的圆片表面原子与等离子体中的活性基反应离子反应，进而完成刻蚀的设备。隧道式等离子体刻蚀机tunnelplasmaetcher内部设有法拉第罩的桶形等离子体刻蚀机。平板型等离子体刻蚀机planartypeplasmaetcher将射频能量加到一对平行平板电极上，对置于阴极的晶片进行等离子体刻蚀的设备。表面波等离子体刻蚀机surfacewaveplasmaetcher利用由微波形成的表面波获取等离子体并进行刻蚀的设备。微波等离子体刻蚀机microwaveplasmaetcher以特定频率的微波能激励反应室中的气体，产生等离子体，利用等离子体中的化学活性离子进行刻蚀的设备。自偏压微波等离子体刻蚀机microwaveplasmaetcherwithitselfbiasvoltage利用加在载片台上的高频能量所产生的直流偏压，使材料既受由微波产生的等离子体中活性基的化学腐蚀，又受到自偏压加速离子的轰击腐蚀的微波等离子体刻蚀机。直流溅射离子刻蚀机directcurrent(DC)sputteringionetcher利用直流能量激励惰性气体产生等离子体，并以靶上的偏压加速正离子轰击基片，对非掩蔽区基片材料进行溅射腐蚀的设备。利用高频能量激励惰性气体产生等离子体.并以高频电场产生的自偏压加速正离子轰击基片，对非掩蔽区基片材料进行溅射腐蚀的刻蚀设备。反应[式]离子[辅助]刻蚀机reactiveionetcher;RIE同时兼有物理和化学两种作用，同时利用等离子体中的活性粒子和带电离子完成材料刻蚀的设备。磁场增强反应离子刻蚀机magneticallyenhancedreactiveionetcher带有直流磁场的反应离子刻蚀设备。磁控反应离子刻蚀机magnetronreactiveionetcher在平板电极之间或阳极背面加磁场，以通过等离子体密度的平板型反应离子刻蚀机。利用加在一对平行平板电极阴极上的射频能量，激励中性气体产生含活性基的等离子体，使置于阴极上的基片既受等离子体中活性基的腐蚀，又受到阴极暗区压降加速的正离子溅射腐蚀的刻蚀设备。六边形反应离子刻蚀机reactiveionetcherwithhexagonalgeometry将高频能量加到作为反应器内壁的直筒六面体阴极上，使置于其上的基片既受等离子体中活性基的腐蚀，又受到阴极暗区压降加速的正离子溅射腐蚀的刻蚀设备。离子束刻蚀机ionbeametcher利用等离子体产生的低能离子轰击圆片，通过物理溅射去除材料的刻蚀设备。反应离子束刻蚀机reactiveionbeametcher以化学反应性气体的荷能离子束轰击基片表面，使基片材料在受到溅射腐蚀的同时，又受到化学反应腐蚀的刻蚀设备。化学辅助离子束刻蚀机chemicalassistedionbeametcher将能与基片材料起化学反应的气体直接送到离子束刻蚀机中的被刻蚀基片附近，使基片材料在受到溅射腐蚀的同时又受到化学反应气体腐蚀的刻蚀设备。微波反应离子束刻蚀机reactiveionbeametcherwithmicrowave用以微波能量激励化学反应气体产生等离子体的离子源代替普通反应离子束刻蚀机中的离子源(如考夫曼离子源)的刻蚀设备。等离子刻蚀机plasmaetchingequipment利用等离子体中的活性粒子及离子与被刻蚀材料表面发生化学反应去除材料的工艺设备。对被刻蚀材料以原子层级别逐层进行刻蚀的设备。去胶机resiststrippingequipment在圆片完成刻蚀后，去除圆片表面作为阻挡层的光刻胶的设备。湿法去胶机wetresiststrippingequipment利用化学溶解作用，采用去胶液去除圆片表面作为阻挡层的光刻胶的设备。等离子体去胶机plasmaresiststrippingequipment利用氧气、氮气或氢气等离子体中的活性粒子，与光刻胶发生反应，使之分解并挥发的干法剥离当二氧化碳处于超临界状态时具有极高的溶解能力，利用超临界二氧化碳去除光刻胶或残留物的设备。蒸气顶处理机steampreprocessingsystem用适当材料的蒸气对涂胶前的圆片进行化学脱水处理，以增强光刻胶对圆片的附着力的设备。利用热扩散原理，将掺杂元素渗入圆片内并使其具有特定浓度分布的工艺设备。加热炉体、工艺炉管及承载晶片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均水平放置的扩散炉。加热炉体、工艺炉管及承载晶片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均垂直放置的扩散炉。双温区扩散炉doubletemperaturezonediffusionfurnace有两个工作温度独立控制的恒温区的扩散炉。将掺杂物质以离子形式在电场中加速到一定能量，并通过掩膜注入圆片内，以形成特定深度、浓度和导电类型的掺杂图形的设备。注：离子注入机按束能量高低分为低能离子注入机、中能离子注入机、高能离子注入机和兆伏离子注入机；按着靶束流大小分为小束流离子注入机、中束流离子注入机、强流离子注入机和超强流离子注入束能量在100keV以下的离子注入机。中能离子注入机mediumenergyionimplanter束能量在100keV至300keV之间的离子注入机。高能离子注入机highenergyionimplanter束能量在300keV以上，1000keV及以下的离子注入机。束能量在1MeV以上的离子注入机。小束流离子注入机lowcurrentionimplanter着靶束流在100nA至100μA之间的离子注入机。中束流离子注入机mediumcurrentionimplanter着靶束流在100μA至2000μA之间的离子注入机。强流离子注入机highcurrentionimplanter着靶束流在2mA至30mA之间的离子注入机。着靶束流在30mA以上的离子注入机。将氧离子高浓度地注入圆片内部，以形成二氧化硅绝缘层的强流离子注入机。卧式离子注入机horizontalionimplanter整个光轴或质量分析器后的光轴部分沿水平方向放置的离子注入机。整个光轴或质量分析器后的光轴部分沿垂直方向放置的离子注入机。聚焦离子束注入机focusedbeamionimplanter由场致发射离子源、聚焦透镜、质量分析器和离子束偏转系统等构成的，在电子计算机控制下以微细聚焦离子束直接按输入图形数据，在圆片内制作掺杂图形的离子注入机。电子束掺杂机electronbeamdopingsystem利用聚焦高能电子束扫描轰击涂有掺杂剂层的圆片表面，对圆片指定区域进行扩散掺杂的设备。激光掺杂机laserdopingsystem利用高功率密度的脉冲激光束辐照涂有掺杂剂层的圆片表面，对圆片指定区域进行扩散掺杂的圆片经过氧化、扩散、外延、离子注入、蒸发电极等工艺后，用于退火热处理以消除晶格缺陷和晶格损伤的热处理设备。加热炉体、工艺炉管及承载圆片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均水平放置的退火炉。加热炉体、工艺炉管及承载圆片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均垂直放置的退火炉。一种能将圆片温度迅速上升到设定工艺温度并快速降温的退火设备。注：快速退火炉升温或降温速率比常规退火炉快，反应室温度加热至高温(例如1100℃)仅需数秒时间。常压退火炉atomosphericpressureannealingfurnace石英管反应室气体为常压的退火炉。石英管反应室气体为负压(通常在1.01×10+Pa～1.01×10⁵Pa)的退火炉。利用脉冲或连续波大功率激光束扫描的方法，使圆片表层瞬时加热，以实现再结晶的退火炉。利用高能量密度的聚焦电子束扫描轰击的方法，使圆片表层瞬时加热，以实现再结晶的退火炉。快速热处理设备rapidthermalprocessingequipment以适当加热源对圆片等材料进行快速加热与冷却的短时高温处理，以完成快速退火、快速热氧化、在中高温下通入特定气体，使圆片表面发生氧化反应，生成二氧化硅薄膜的热处理设备。加热炉体、工艺管反应室及承载圆片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均水平放置的氧化炉。加热炉体、工艺管反应室及承载圆片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均垂直放置的氧化炉。常压氧化炉atomosphericpressureoxidationfurnace石英管反应室内气体为常压的氧化炉。高压氧化炉highpressureoxidation在不锈钢管反应室内输入高压稀有气体和高压氧化气体，在高压下(通常在1.01×10°Pa～2.02×10⁶Pa)完成氧化工艺的氧化炉。负压氧化炉lowpressureoxidationfurnace石英管反应室气体为负压(通常在1.01×10¹Pa～1.01×10⁵Pa)的氧化炉。8薄膜淀积设备物理气相淀积设备physicalvapordepositionequipment利用热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等物理过程，将物质原子从源物质转移至衬底材料表面，并在衬底表面淀积形成均匀薄膜的工艺设备。真空蒸镀设备vacuumevaporator在真空条件下，加热固体材料使其汽化或升华后凝结淀积到特定温度的衬底表面，形成均匀薄膜的GB/T40577—2021电阻加热真空蒸镀设备resistanceheatingvacuumevaporator利用电阻加热方式使源材料汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备。电子束真空蒸镀设备electronbeamvacuumevaporator利用高能电子束轰击源材料，使之受热汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备。高频感应加热真空蒸镀设备highfrequencyinductionheatingvacuumevaporator利用高频感应加热，使源材料汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备。激光加热真空蒸镀设备laserheatingvacuumevaporator将激光束聚焦在源材料上，使源材料受热汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备。离子束真空蒸镀设备ionbeamvacuumevaporator使源材料蒸发、电离形成离子束，并以低能离子束直接在衬底表面淀积形成均匀薄膜，或以低能聚焦扫描离子束直接在衬底表面淀积形成均匀薄膜的真空镀膜设备。溅射淀积设备sputteringdepositionequipment利用电场加速带电离子并轰击源材料靶，入射离子在与靶表面原子碰撞过程中，将靶表面原子溅射出来并在衬底表面淀积形成均匀薄膜的设备。直流物理气相淀积设备directcurrentphysicalvapordepositionequipment靶材作为阴极，衬底作为阳极。在直流高压作用下，靶材与衬底之间的工艺气体(通常为氩气)电离形成等离子体，等离子体在电场中加速后轰击靶材，使靶原子溅射出来并淀积到衬底上形成均匀薄膜的设备。射频物理气相淀积设备radiofrequencyphysicalvapordepositionequipment采用射频电源作为激励源，可以溅射导体和非导体靶材，并在衬底上淀积形成均匀薄膜的物理气相淀积设备。磁控溅射淀积设备magnetronsputteringdepositionequipment在靶材(阴极)背面安置磁体，磁体与直流电源(或交流电源)系统形成磁控溅射源的物理气相淀积设备。直流平面磁控溅射淀积设备DCplanarmagneticsputteringdepositionequipment在阴极背面安置磁体，利用磁场控制电子飞行轨迹，以提高离化率，降低溅射电压的直流物理气相淀积设备。射频平面磁控溅射淀积设备RFplanarmagnetronsputteringdepositionequipment在非对称的两块平行板电极上，将面积较小的阴极通过隔直电容与射频电源耦合而产生自偏置负电位，源材料靶与阴极相连，衬底置于接地阳极上的磁控溅射淀积设备。圆柱形磁控溅射淀积设备cylindricalmagnetronsputteringdepositionequipment由内部设有电磁铁的圆柱形阴极和与其同轴的圆筒形阳极组成的磁控溅射淀积设备。空心阴极磁控溅射淀积设备hollowcathodemagnetronsputteringdepositionequipment由圆柱形阳极和与其同轴的圆筒形空心阴极组成的磁控溅射淀积没备。S型枪磁控溅射淀积设备Sgunmagnetronsputteringdepositionequipment在外部设有环状永磁体的圆环形阴极和中心阳极间加上直流或射频电压以形成环状等离子体的磁控溅射淀积设备。三极溅射淀积设备triodesputteringdepositionequipment在二极溅射系统中增加一个电极，控制靶和衬底之间的阻抗，使溅射在较低电压下发生的溅射淀积设备。吸气剂溅射淀积设备getterspatteringdepositionequipment利用溅射薄膜对杂质气体具有极强吸附作用的特性，先向无需溅射薄膜的衬底周围区域溅射适当材料的薄膜，使之吸附杂质气体，净化溅射气体，然后再对衬底溅射淀积所需材料，以制备纯净薄膜的溅射淀积设备。非对称交流溅射淀积设备asymmetricACsputteringdepositionequipment在阴、阳二电极之间加有正负大小不同的交流电压，以使杂质气体原子从淀积薄膜中逸出的纯净薄膜射频二极溅射淀积设备。等离子体溅射淀积设备plasmasputteringdepositionequipment用热阴极发射的电子或高频激励等方法使低压惰性气体放电，形成等离子体的低压、低能、高离子电流溅射设备。反应溅射淀积设备reactivesputteringdepositionequipment在惰性气体中混入适当比例的反应气体或仅用反应气体进行溅射的设备。离子束溅射淀积设备ion-beamsputteringdepositionequipment以从独立的氩离子源引出的荷能离子束轰击源材料靶面，使源材料溅射并均匀淀积到衬底表面的溅射淀积设备。反应离子束溅射淀积设备reactiveion-beamsputteringdepositionequipment用荷能氩离子束轰击源材料靶的同时，将反应气体添加到衬底附近，或直接用含有反应离子和氩离子的荷能离子束轰击源材料靶，以在衬底表面淀积源材料反应物薄膜的溅射淀积设备。将从靶材上溅射出来的金属原子通过不同方式使之等离子化，通过调整加载在衬底上的偏压，控制金属离子的方向与能量，以形成均匀薄膜的溅射淀积设备。化学气相淀积设备chemicalvapordeposition(CVD)equipment通过混合化学气体并发生化学反应，从而在衬底表面淀积薄膜的工艺设备。常压化学气相淀积设备atmosphericpressurechemicalvapordeposition(APCVD)equipment在反应气体压力接近大气压力的条件下，将气态反应源匀速喷射至加热的固体衬底表面，使反应源在衬底表面发生化学反应，反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备。低压化学气相淀积设备lowpressurechemicalvapordeposition(LPCVD)equipment在加热和反应气体压力处于7.6Pa～760Pa的条件下，利用气态原料在衬底表面发生化学反应，反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备。等离子体增强化学气相淀积设备plasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD)equipment气态前驱物在等离子体作用下发生离子化，形成激发态的活性基团，活性基团扩散到衬底表面并发生化学反应，反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备。管式等离子体增强化学气相淀积设备tubularplasmaenhancedchemicalvapordeposition(T-PECVD)equipment反应器形状为管状，外绕有射频加热线圈，线圈两端有环形带状电极的等离子体增强化学气相淀积平板式等离子体增强化学气相淀积设备plateplasma-enhancedchemicalvapordeposition(P-PECVD)equipment将射频功率输送到位于反应器内的两块对称平行平板上，基片放于靠电阻或红外灯辐射加热的接地电极上的等离子体增强化学气相淀积设备。微波等离子体增强化学气相淀积设备microwaveplasmaenhancedchemicalvapordeposition(M-PECVD)equipment等离子体发生的频率对应于微波频率范围的等离子体增强化学气相淀积设备。射频等离子体增强化学气相淀积设备radiofrequencyplasma-enhancedchemicalvapordeposition等离子体发生的频率对应于射频频率范围的等离子体增强化学气相淀积设备。高密度等离子体增强化学气相淀积设备highdensityplasma-enhancedchemicalvapordeposition(HD-PECVD)equipment以较高能量的离子化的原子或分子，轰击衬底，引起溅射，从而有效地消除薄膜淀积过程中形成的悬垂结构，形成对沟槽及孔隙自下而上填充的等离子体增强化学气相淀积设备。利用反应性气体辉光放电等离子体的热能引发反应剂气体的化学反应，在热衬底上淀积薄膜的低压化学气相淀积设备。圆筒形等离子体化学气相淀积设备cylindricplasmachemicalvapordepositionequipment石英圆筒形反应器外绕有射频加热线圈，线圈两端有环形带状电极的等离子体化学气相淀积设备。微波等离子体化学气相淀积设备microwaveplasmachemicalvapordepositionequipment利用微波激发气体放电所产生的化学活性物质在低温、低压下发生化学反应的等离子体化学气相淀积设备。金属化学气相淀积设备metalchemicalvapordepositionequipment采用含金属的前驱物通过化学反应实现金属薄膜淀积的设备。热反应金属化学气相淀积设备thermalreactionmetalchemicalvapordepositionequipment金属前驱物与其他气体(或金属前驱物自身)通过托盘加热激发化学反应(或热分解)实现金属薄膜淀积的设备。等离子体增强金属化学气相淀积设备plasmaenhancedmetalchemicalvapordepositionequipment通过等离子体离子化分解前驱物与加热结合激发化学反应，实现低温低杂质的金属薄膜淀积的设备。原子层淀积设备atomiclayerdeposition(ALD)equipment通过稀有气体的吹扫隔离交替通过衬底表面的两种(或多种)前驱物，使得前驱物仅在衬底表面通过化学吸附发生反应，以准单原子层形式周期性生长，从而在衬底上实现薄膜淀积的设备。利用适当波长的光辐照对特定反应气体的光分解、光敏化反应或热分解作用，实现薄膜生长的化学气相淀积设备。激光化学气相淀积设备laserassistchemicalvapordeposition(LA-CVD)equipment利用激光的作用使气体发生化学反应，在衬底上实现薄膜生长的化学气相淀积设备。电子回旋共振等离子化学气相淀积设备electroncyclotronresonanceCVDequipment将特定频率微波通过波导管引入等离子共振腔，共振腔由磁场线圈环绕，微波能量被吸收，产生电子回旋共振，气体大量电离，产生很高的等离子体浓度，进而在衬底上实现薄膜生长的化学气相淀积设备。金属有机化合物化学气相淀积设备metalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)equipment用金属有机化合物和氢化物作为反应源的化学气相淀积设备。电子辅助化学汽相淀积设备electronassistedchemicalvapordepositionequipment用基座上施加的正偏压对衬底上方热丝所发射的电子进行加速以促进成膜反应的低压化学气相淀积设备。以热能激励适当反应剂发生化学反应，或直接以半导体元素作为原材料，在衬底上按照衬底晶向生长单晶薄膜的工艺设备。气相外延系统vaporphaseepitaxy(VPE)system使气态化合物经过化学反应，在衬底表面形成与衬底具有相同(或相似)晶格排列的单晶薄膜的外延设备。注：气相外延系统通常用于化合物半导体外延材料的生长，如GaAs,GaN等。金属有机化合物气相外延系统metalorganicvaporphaseepitaxy(MOVPE)system使气态金属有机化合物发生化学反应，在衬底表面形成与衬底具有相同(或相似)晶格排列的单晶薄膜的外延设备。注：通常用于复杂结构的化合物半导体材料生长，如Ⅲ-V族半导体和Ⅱ-VI族半导体等。它可以精确控制各种化前应用最广泛的化合物半导体外延设备。以砷烷(AsH₃)、氨气(NH₃)等氢化物作为反应原材料，外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料的外延设备。反应室内气体压力低于0.1MPa的气相外延系统。液相外延系统liquidphaseepitaxy(LPE)system将半导体材料和掺杂剂溶于低熔点金属溶剂中，并呈饱和或过饱和状态，使溶液与单晶衬底接触，通过逐渐降温控制溶质析出，在衬底表面形成与衬底相似晶体结构及晶格常数的单晶薄膜的外延设备。微处理机控制的液相外延炉microcomputercontrollingliquidepitaxysystem用微处理机代替程序，对炉温进行闭环控制，对石英舟和炉体进行开环控制的液相外延系统。分子束外延系统molecularbeamepitaxy(MBE)system在超高真空条件下，将半导体和掺杂元素以原子束或分子束形式喷射到加热的衬底表面，在衬底上进行吸附、迁移而沿着衬底晶轴方向生长单晶薄膜的外延设备。化学束外延系统chemicalbeamepitaxysystem在超高真空条件下，将Ⅲ族元素烷基化合物、V族元素氢化物和掺杂剂元素以分子束形式喷射到受热的衬底表面，使其在衬底表面发生化学反应并沿着衬底晶轴方向生长化合物单晶薄膜的外延设备。注：相对于MBE不同的是，化学束外延使用的原材料从元素形式变为气态化合物形式，其余离子团束外延系统ionclusterbeamepitaxy(ICBE)system使源材料蒸气在高真空条件下喷射形成松散的原子团，利用加速电子轰击原子团使原子团部分离子化，通过加速电极控制其速度，使其与衬底撞击时碎裂成单个低能原子，在衬底表面形成致密薄膜的外延设备。利用强流离子源产生成膜材料，经加速聚焦成束，用质量分析器从离子束中分离出所需的离子，然后再次聚焦、偏转、减速(由高能变为低能)和中和(由低能离子变为中性原子或分子),在衬底表面形成均匀薄膜的外延设备。9清洗设备干法清洗设备drycleaningequipment在气态环境中去除前一道工序在圆片上产生的微尘颗粒、有机物及金属等异物和沾污的设备。等离子体清洗机plasmacleaningmachine利用等离子体产生的活性粒子与圆片表面异物发生化学反应从而去除异物的清洗设备。蒸气态清洗机vaporphasecleaningmachine利用汽化的清洗剂去除圆片表面异物的清洗设备。低温喷雾清洗机cryogenicaerosolcleaningmachine将气液并存态的稀有气体经高压喷头喷入相对低压的反应室，使其转化为结晶态的烟雾，与圆片表面异物发生作用而去除异物的清洗设备。超临界流体清洗机supercriticalfluidcleaningmachine在临界温度和临界压力下，使用具有液体和气体中间特性状态的流体作为清洗剂，去除圆片表面异物的清洗设备。湿法清洗设备wetcleaningequipment采用特定的化学药液和去离子水，对圆片表面进行无损伤清洗，以去除制造工艺过程中产生的颗槽式清洗机bench-typecleaningmachine将圆片置于化学药液槽体、去离子水槽体中进行清洗的设备。多槽清洗机multiplebathcleaningmachine具有多个槽体，不同清洗工序在不同槽体中完成的槽式清洗机。单槽清洗机singlebathcleaningmachine多个清洗工序均在同一个槽体中完成的槽式清洗机。单片湿法清洗机singlewaferwetcleaningmachine对圆片逐个进行清洗，以去除圆片表面颗粒、有机物、自然氧化层、金属杂质等污染物的设备。纳米喷射单片清洗机nanospraysinglewafercleaningmachine利用高压气体，辅助液体微雾化成极微细的液体粒子，并将其喷射至圆片表面以完成清洗的设备。超声清洗机ultrasoniccleaner利用超声波在液体介质中产生的声波振荡清洗圆片或掩模表面污染物的设备。兆声清洗机megasoniccleaner利用频率20倍于超声波的声波在液体介质中产生的振荡清洗圆片或掩模表面污染物的设备。单片刷洗机singlewaferscrubber对圆片逐个进行清洗，以去除圆片表面颗粒为主要工艺目的的设备。10封装设备圆片键合机waferbonder通过化学或物理反应将圆片与圆片、玻璃或者其他材料永久结合起来的工艺设备。为了进行减薄及其他一系列工艺处理，将圆片临时键合至刚性承载(玻璃或圆片)衬底上，再通过化学分解、光分解、热分解等使临时键合的圆片分离的工艺设备。圆片减薄机wafergrinder利用安装在空气静压电主轴上的金刚石磨轮，磨削吸附在吸盘上的圆片，使圆片厚度变薄的设备。可用同时完成圆片减薄和抛光工艺的设备。在制有完整集成电路芯片的半导体圆片表面按预定通道刻划出网状沟槽，以将其分裂成单个芯片的设备。砂轮划片机dicingsaw利用高速旋转、镀有金刚石磨料的砂轮沿圆片的划切片通道进行切割或开槽的设备。半自动砂轮划片机semi-automaticdicingsaw被切割圆片的安装与卸载作业需手动操作，仅切割工序以自动化方式进行的砂轮划片机。从圆片装载、位置校准、切割、清洗/干燥到卸载的全部工序以自动化方式进行的砂轮划片机。激光划片机lasersaw利用高能激光束照射在圆片表面或内部，通过固体升华或蒸发等方式进行切割或开槽的设备。干式激光划片机drylasersaw加工用激光束通过非水介质或不通过介质直接传导至被划切圆片上的激光划片机。湿式激光划片机wetlasersaw融合激光束和水刀的混合切割工艺，通过水射流将激光束引导至被划切圆片上的激光划片机。加工用激光束通过高压微水柱作为导引介质传导至被划切圆片上的激光划片机。加工用激光束在进入微水柱之前是采用光纤耦合方式完成传导的微水导激光划片机。被切割圆片的安装与卸载作业需手动操作，仅切割工序以自动化方式进行的激光划片机。从圆片装载、位置校准、切割、清洗/干燥到卸载的全部工序以自动化方式进行的激光划片机。以外力使划片后的圆片按裂片沟槽开裂，将连为一体的多个芯片分成独单个芯片的设备。植球机ballmountingmachine为了实现芯片与外部电路相连接，用于制造芯片凸点的工艺设备。芯片键合机diebonder将芯片安装固定在封装基板或外壳预定位置的工艺设备。利用导电引线连接封装内部芯片焊区和引脚的焊接工艺设备。依靠超声振动能量转换成的热能使金属引线与封装内部芯片焊区和引脚连接的键合机。采用楔形劈刀进行压焊的超声引线键合机。金丝球焊机goldwireballbonder在适当温度和压力下，使烧成球形的细金丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备。热声金丝球焊机thermosonicgoldwireballbonder压丝劈刀附加有超声振动源的金丝球焊机。焊接后焊点不留尾丝的金丝球焊机。铝丝球焊机Alwireballbonder在适当温度和压力下，使烧成球形的细铝丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备。铜丝球焊机Cuwireballbonder在适当温度和压力下，使烧成球形的细铜丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备。使芯片正面朝下，芯片上的凸点直接与封装基板、引线框架或圆片上的焊盘连接的键合设备。通过热回流，进行0级封装的倒装芯片锡凸点焊接或者1级封装的器件表面贴装焊接的设备。用于清洗芯片凸点回流焊接、特殊芯片凸点倒装焊接器件的助焊剂的设备。塑封机plasticmoldingmachine利用模塑技术对集成电路芯片进行塑料封装的工艺设备。冲切成型机trimandformingmachine打标机markingmachine为了识别和追溯，在封装好的集成电路模块表面制作标识(包括制造商的信息、产地及芯片代码等信息)的设备。油墨打标机inkmarkingmachine利用油墨在集成电路模块表面制作标识的打标设备。激光打标机lasermarkingmachine利用激光束使表层物质发生化学物理变化而刻出痕迹，或者使表层物质蒸发而露出深层物质，或者通过光能烧蚀掉部分物质，在集成电路模块表面制作标识的打标设备。平行缝焊机parallelseamweldingmachine在适当压力下，以电阻加热方法使矩形金属管壳与管座的边沿逐点焊接的气密封装设备。在适当压力下，以电阻加热方法使圆形金属管壳与管座边沿进行一次性焊接的气密封装设备。玻璃陶瓷封装机glassceramicpackagingmachine将载有管芯的管座熔焊到玻璃陶瓷管壳上的气密封装设备。激光布线机laserpantography采用选择性金属激光化学气相淀积及二氧化硅的淀积与选择刻蚀，直接在计算机控制下，按输入的设计数据对通用集成电路芯片制作特定双层金属互连图，以完成专用集成电路芯片制造的设备。合金炉alloyingfurnace把材料加热到一定温度并维持一段时间，然后自然冷却，以实现金属电极和半导体欧姆接触的一种热处理设备。11检测设备晶片检测设备slicetestingandmeasuringequipment在材料制备过程中，对经切割、研磨、抛光或外延加工的晶片按相应规范进行机械、电气参数检查测量的设备。利用电感、电容或其他测量原理，对切割、研磨后的晶片的厚度和总厚度变化进行检测的仪器。弯曲度测试仪bowtester利用电感或其他测量原理，对单晶片、研磨片、抛光片或外延片的弯曲度进行检测的仪器。以电容探针作测量传感器，通过两电极间电容与标准电容的比较进行平面度等参数测量的仪器。用以测量抛光晶片表面平面度的入射光束掠射角大于零度的光学干涉仪。激光扫描平整度测试仪laserscanningflatnesstester利用激光扫描方法，对置于真空吸盘上的晶片或铬板等不透明样品进行平面度、弯曲度及表面粗糙度快速无接触测量的仪器。掩模检查设备maskinspectionequipment利用适当方法检查、测量集成电路掩模或中间掩模图形缺陷、线宽及套准精度的仪器设备统称。掩模比较仪maskcomparator采用双光学台面结构分离视场显微镜，用光学比较测量的方法检测掩模或中间掩模套准精度的仪器。表面层缺陷检查系统subsurfacedefectdetectionsystem采用热波技术对圆片或掩模表层缺陷进行检测的分析仪器。表面缺陷和污染检测仪surfacedefectandcontaminationdetector利用精确聚焦的激光束在圆片或者掩模版表面扫描，根据缺陷和污染物产生的激光散射光信息判别缺陷类型、缺陷位置和尺寸的仪器。掩模缺陷检查仪maskdefectinspector以适当的比较测量方法检测掩模或中间掩模图形缺陷的类型、位置及尺寸的仪器。掩模线宽测量仪masklinewidthmeasurementequipment利用光学或非光学成像测量原理，测量光掩模或芯片上集成电路图形尺寸的设备。掩模自动检查系统automaticmaskinspectionsystem在表面缺陷和污染检测仪基础上发展起来的一种综合性自动化掩模缺陷检测和掩模精度检测的仪器。注：利用对比和直接测量的方法对中间掩模版和精缩掩模版图形缺陷的类型、位置及尺寸进行自动检测，并存储记录检测数据，为掩模修补提供依据。掩模关键尺寸测量系统maskcriticaldimension(CD)measurementsystem用于关键尺寸图形线宽检测的仪器设备。注：掩模关键尺寸测量系统亦可用于检测整块掩模版或整个圆片上所有芯片图形中关键尺寸图形的线宽均匀性及线宽精度，通过分析发现关键尺寸图形的线宽均匀性问题及线宽精度误差的规律，以指导工艺技术的改进，控制光刻工艺或者掩模制造工艺的质量。激光差动共焦显微镜laserdifferentialconfocalmicroscope;LDCM以激光为光源，将光源、样品和探测器三者置于相互共轭的位置，利用差动共焦原理提高轴向探测灵敏度的显微镜。工艺检测设备metrologyandinspectionequipment应用于集成电路制造工艺中的测量类设备和缺陷(含颗粒)检查里设备的统称。利用椭圆偏振光在薄膜/基片界面反射时，其反射光偏振态与薄膜物理参数有关的特性，测量薄膜厚度及折射率的仪器。利用透明介质膜双表面反射光所形成的干涉光谱分析计算出圆片上透明介质膜厚度的无损检测显微镜。利用受电子轰击材料表面原子自电离所产生的低穿透能力的俄歇电子，对半导体材料成分进行薄层或逐层分析的仪器。离子探针ionprobe利用聚焦离子束轰击试样，使其受激而产生能反映试样特征的二次离子，并通过质谱仪对二次离子进行检测以获得试样分析结果的装置。电子探针electronprobe利用聚焦电子束轰击试样表面，使其受激而发射X射线，并根据X射线的光谱和强度对试样进行定性与定量分析的仪器。霍尔系数测量仪Hallcoefficientmeter利用霍尔效应来测量霍尔系数的仪器。直流四探针电阻率测量仪DCfour-pointresistivityprober用四根金属探针同试样表面等距离接触，在给外侧两撒探针通以直流电流后，测量中间两根探针间的电压降，以换算出试样电阻率的薄层电阻测量仪器。利用测量蒸金所形成的二极管结电容的方法，测量外延层电阻率的仪器。测量圆片或器件局部区域掺杂浓度的C-V绘图测量仪器。扩散深度测试仪diffusiondepthtester测量杂质扩散或注入进圆片表层深度的设备。掺杂断面轮廓仪dopingprofiler利用测量反偏结C-V数据以分析圆片或器件杂质分布状况的设备。刻蚀终点检测仪etchingendpointdetector利用顶层材料与底层材料界面上光、电特性的突变来监控顶层材料被刻蚀完毕的检测仪器。光学图形扫描仪opticalimagescanner用光束扫描图形线条，经光电接收器探测线条边缘处的光强变化信号，以测得图形线宽的仪器。剪切显微镜shearingmicroscope利用双向目镜成像原理，将与显微镜对准的被测图形的像在垂直于被测线条长度方向连续微动一个图形宽度，使像的一条边与图形的另一条相反边相切，由数显系统读出的实际距离即为被测线宽的测量显微镜。通过检测器分别接收平行激光束在被测线条两个边缘处的散射光，经光电处理后由线性编码器测出微小尺寸绝对值的仪器。超声显微镜ultrasonicmicroscope利用材料对超声波的吸收、散射、反射及传播速度的差别来检查图形表面特征的仪器。相干光束测量仪coherentbeammeasurer利用相干光束的衍射和干涉效应进行线宽测量的仪器。套刻误差测量设备overlaym测量圆片上相邻层图形结构中心之间的平面距离的设备。光学显微成像系统opticalmicroimagingsystem首先通过设备获取两层套刻目标图形的数字化图像，然后基于数字图像处理算法，分别提取每一层的套刻目标图形的边界位置，再进一步计算每一层图形的中心位置，从而获得套刻误差的一种测量系统。光学衍射系统opticaldiffractionsystem使用特定的光栅目标图形和光强传感器，将一束单色平行光照射到两个不同层上的套刻目标光栅上，利用一对光强传感器分别测量由光栅反射至不同空间方向的第一衍射射束的强度，通过测量两个第一衍射射束强度的不对称性来确定套刻误差的设备。扫描电子显微镜系统scanningelectronmicroscopesystem通过电子束扫描试样表面产生放大图像的一种仪器。注：该仪器用细聚焦的高能电子轰击试样表面，通过电子与