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文档简介
纳米技术石墨烯相关二维材料的层数测量光学对比度法国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会IGB/T40071—2021本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国科学院提出。本文件由全国纳米技术标准化技术委员会纳米材料分技术委员会(SAC/TC279/SC1)归口。技术大学。石墨烯相关二维材料(层数不多于10的碳基二维材料,包括石墨烯、双层石墨烯、少层石墨烯、氧化石墨烯等)具有优异的电学、光学、力学、热学等性能,在学术及工业界都引起了人们广泛的兴趣。石墨烯相关二维材料的层数是影响其性能的关键参数。准确测量层数是研究、开发和应用石墨烯相关二维材料的核心问题。光学对比度法作为一种快速、无损和高灵敏度的测量方法,已经被广泛应用于测量石在利用光学对比度法测量层数的过程中,测量结果会受到硅(Si)衬底表面二氧化硅(SiO₂)层的厚1GB/T40071—2021纳米技术石墨烯相关二维材料的层数测量光学对比度法警示——使用本文件的人员应该有正规实验室工作的实践经验。本文件并未指出所有可能的安全问题。本文件规定的一些试验过程可能会导致危险情况,使用者有责任采取适当的安全和健康措施,并保证符合国家有关法规规定的条件。本文件规定了光学对比度法(包括反射光谱法和光学图片法)测量石墨烯相关二维材料的层数的仪本文件适用于利用机械剥离法或化学气相沉积法(CVD:chemicalvapordeposition)制得的晶体质、层数不多于5的石墨烯薄片及石墨烯薄膜的层数测量。其他方法制得的石墨烯薄片及石墨烯薄膜可参照本文件执行。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T30544.13纳米科技术语第13部分:石墨烯及相关二维材料GB/T30544.13界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1层数不多于10的碳基二维材料。3.2石墨烯薄片grapheneflake由石墨烯层构成的纳米片。3.3石墨烯薄膜graphenefilm由石墨烯层构成的纳米薄片。3.4层数numberoflayers〈二维材料>构成二维材料的层的数目。2GB/T40071—2021〈二维材料>空白衬底区域的反射光强度与衬底上样品所处区域的反射光强度的相对差异,见公式 (1)式中:C——光学对比度值;Isubstrate——空白衬底区域的反射光强度;Isample——样品所处区域的反射光强度。G通道对比度值Gchannelcontrastvalue绿通道对比度值〈二维材料>利用光学显微图片中空白衬底区域的G通道数值与衬底上样品所处区域的G通道数值的相对差异来表示的光学对比度值(3.5),见公式(2)。式中:CG——G通道对比度值;Gsubstrate——光学显微图片中空白衬底区域的G通道数值;Gsample——光学显微图片中样品所处区域的G通道数值。注1:衬底上的样品通常为石墨烯薄片(3.2)或石墨烯薄膜(3.3)。注2:红通道(R通道)对应的波长范围约为590nm~720nm,绿通道(G通道)对应的波长范围约为520nm~590nm,蓝通道(B通道)对应的波长范围约为435nm~520nm。〈二维材料>利用光学对比度值(3.5)判定特定衬底上纳米片、纳米薄片的层数(3.4)的方法。4.1理论基础如图1a)所示,(从上至下)由石墨烯薄片或石墨烯薄膜、SiO₂层、Si层形成一个多层膜结构。由于二维材料自身的光吸收以及多层薄膜干涉效应的影响,Isample和Isubstrate存在差异,利用公式(1)可计算得到衬底与样品之间的光学对比度值C。理论计算及实验结果均证明,石墨烯薄片或石墨烯薄膜的层数不同时,C亦不相同,层数与C存在一一对应关系,因此可利用C判定石墨烯薄片或石墨烯薄膜的层数。理论上不同入射光波长下均可以使用光学对比度法。当入射光为连续波长的白光时,反射光强度的大小依赖于波长。设波长为λ时的反射光强度为I(λ),则根据公式(3)可得 (3)式中: 波长为λ时的光学对比度值。当波长λ取一系列连续值时,C(λ)也称作光学对比3Isubstrate(λ)——波长为λ时,空白衬底区域的反射光强度。当波长λ取一系列连续值时,Isustrae(λ)也称作衬底的反射光谱;Isample(λ)——波长为λ时,样品区域的反射光强度。当波长λ取一系列连续值时,Iample(λ)也称作样品的反射光谱。0.1400500600700800rmFo20空气样品硅C薄膜的理论光学对比度谱图1光学对比度法原理示意图4.2常用光学对比度法的测量原理图1b)所示即为理论计算所得的不同层数的石墨烯薄片或石墨烯薄膜在300nmSiO₂/Si衬底上的光学对比度谱C(λ),其中波长λ的范围为400nm~800nm,光学显微图片的B、G、R通道对应的波a)不同层数的石墨烯薄片或石墨烯薄膜所对应的光学对比度谱C(λ)不同,波长λ相同时层数越多则C(λ)也越大;b)不同层数所对应的光学对比度谱C(λ)在可见光波长范围内(约为435nm~720nm)存在一个峰(极大值),将该峰值记为Cp,并将Cp对应的波长值记为λp;c)不同层数对应的光学对比度峰值Cp之间的差异最大,最适宜用于判定样品的层数。因此,可利用Cp测量石墨烯薄片或石墨烯薄膜的层数。如图1b)所示,当石墨烯薄片或石墨烯薄膜层数为1~5时,虽然其各自的λp存在一些差异,但均处于光学显微图片的G并利用公式(2)得到样品与衬底之间的G通道对比度值Cc。G通道对比度值的理论值为光学对比度谱在通道对应波长范围内的积分平均值。由图1b)可知,石墨烯薄片或石墨烯薄膜的层数不同时,Cg亦不相同,层数与Cc存在一一对应关系,因此也可以用Cc测量石墨烯薄片或石墨烯薄膜的层数。需要注意的是,在应用光学图片法测量层数前,先基于已知层数的样品建立起“G通道对比度值CG——层数对应关系”表(如表2所示)。建立起该表后,在相同的测试条件下,可用光学图片法快速、准确地测量层数。5.1显微光谱仪:用于反射光谱法,含光栅分光光谱仪及光学显微装置,具有反射光谱测量功能。其4GB/T40071—2021中,光谱仪扫描范围为400nm~800nm,光谱分辨率优于2nm。测量前,应按相关技术规范对显微光谱仪进行校准,并按相关测试规范进行测试。5.2光学显微镜:用于光学图片法,配备白光光源(如卤素灯或氙灯),100倍物镜(数值孔径不小于6样品准备6.1本文件使用的衬底应为表面具有300nm±5nm厚的SiO₂层的Si衬底(以下称为300nmSiO₂/Si衬底)。6.2对于机械剥离于300nmSiO₂/Si衬底的石墨烯薄片样品,可直接使用,无需进一步处理。6.3对于CVD制备的石墨烯薄膜样品,需将样品转移至300nmSiO₂/Si衬底上(具体步骤可参考附6.4在显微镜下观测样品,测试区域内应无明显杂质。7测量步骤7.1反射光谱法测量步骤7.1.1选择测量区域利用光学显微镜观测样品,确定样品测量区域。该区域需同时包含空白衬底和样品。7.1.2采集反射光谱7.1.2.1对测量区域进行聚焦以观测到清晰的石墨烯薄片或薄膜边沿。7.1.2.2测量衬底的反射光谱,波长扫描范围为400nm~800nm,调节入射光强或积分时间使得波长为570nm时信号光强度为背景信号(即暗环境下的信号)强度的10倍以上。7.1.3获得光学对比度谱7.1.4获得光学对比度谱峰值对5个光学对比度谱C(i)(λ)的峰值取算术平均值,见公式(4),计算得到样品的光学对比度谱峰值C,(保留至小数点后2位):式中:注意,单一测量值与算术平均值的偏差不应大于10%,否则进行重新测量。同时,若Cp对应的波长值λp>600nm,则不应采用本方法测量层数。7.1.5判定样品层数根据表1,由光学对比度谱峰值Cp得到样品层数。5GB/T40071—2021表1光学对比度谱峰值Cp——层数对应关系Cp参考范围C典型值层数0.06<Cp≤0.1710.17<Cp≤0.2620.26<C≤0.3430.34<C,≤0.4040.40<Cp≤0.465测试样例详见附录B。7.2光学图片法测量步骤7.2.1选取已知层数样品建立“G通道对比度值Cc——层数对应关系”表7.2.1.1选取3个已知层数为n(其中n=1,2,3,4,5,6)的由机械剥离法制备的样品。样品准备过程参照第6章。对于n=1,2,3,4,5,6,分别重复步骤7.2.1.4~7.2.1.7。7.2.1.2在100倍物镜下放置一块标准白板,聚焦后进行白平衡校准。7.2.1.3选择一个无样品覆盖的空白衬底区域,调节数字相机图像处理软件的伽马(gamma)值,使得图片颜色与显微镜目镜所视颜色基本一致(gamma值的不同会导致G通道对比度值的不同,调节完成后请勿变动),然后调节亮度使图片灰度值为125~135。7.2.1.4按照7.1.1选择测量区域。7.2.1.5拍摄光学图片的步骤如下:a)确保待测样品处于观测窗口的中心位置,对测量区域进行聚焦以观测到清晰的石墨烯薄片或薄膜边沿。拍摄1张样品光学显微图片。品覆盖的空白衬底区域上,拍摄3张光学显微图片。7.2.1.6获得G通道对比度值图像的步骤如下:a)分别提取3张衬底光学显微图片和样品光学显微图片的每一个像素点的G通道数值。b)对于衬底,每一个像素点的G通道数值由3张衬底光学显微图片相同位置的G通道数值求均值得到。c)针对每一个对应的像素点,按照公式(2)计算其G通道对比度值,获得G通道对比度值图像。7.2.1.7获得已知层数样品的G通道对比度典型值的步骤如下:a)在7.2.1.6c)获得的G通道对比度值图像中,在样品区域随机选取5个位置分别得到5个G通道对比度值,求得其算术平均值(单一测量值与平均值的偏差不应大于10%),此值即为该已知层数样品的G通道对比度值。对于3个层数同为n的样品,其G通道对比度值分别记为CG¹)(n),CG2)(n),CG3)(n)。b)计算CG¹)(n),CG²)(n),CG³)(n)的算术平均值,得到Am。A,即为层数为n的样品的G通道对比度值Cc的典型值(保留至小数点后2位)。注意,单一测量值与算术平均值的偏差不应大于10%,否则重新进行测定。7.2.1.8利用A1,A2,…,A6建立“G通道对比度值Cg——层数对应关系”表(见表2)。6表2G通道对比度值Cc——层数对应关系CG参考范围Cg典型值层数0.5×A1<CG≤A1+0.5×(A2—A1)Al1A2—0.5×(A2—Al)<CG≤A2+0.5×(A3—A2)A22A3—0.5×(A3—A2)<CG≤A3+0.5×(A4—A3)A33A4—0.5×(A4—A3)<CG≤A4+0.5×(A5—A4)A44A5—0.5×(A5-A4)<CG≤A5+0.5×(A6—A5)A55A667.2.2判定未知样品的层数7.2.2.1确保光学显微镜观测条件、拍摄条件与7.2.1中观测条件相同。7.2.2.2按照7.2.1.4选择测量区域。7.2.2.3按照7.2.1.5拍摄光学图片。7.2.2.4按照7.2.1.6获得G通道对比度值图像。7.2.2.5获得未知样品的G通道对比度值。在G通道对比度值图像中的待测样品区域内随机选取5个位置分别得到5个G通道对比度值CG),其中i=1~5。根据下述公式(5)求得其算术平均值Cc(保留至小数点后2位)。单一测量值与算术平均值的偏差不应大于10%,否则重新进行测定。7.2.2.6查阅表2,根据Cg所处的参考范围得到待测样品的层数。7.2.3测试样例测试样例详见附录C。8测试报告测试报告应包括以下信息:——测试日期;——测试编号;——测量者;——样品来源及信息;——测量所用方法;——测试仪器的类型、品牌、型号;——如基于光学图片法进行层数测量,应附上“G通道对比度值Cg——层数对应关系”表;——必要时,误差分析。7(资料性)样品转移操作样例CVD生长铜基石墨烯薄膜样品的转移操作步骤A.1将一滴聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,简称PMMA)以3000r/min的转速旋涂到CVD生长的铜基石墨烯薄膜样品(即GR2M/Cu/GR2M多层膜)表面,形成PMMA/GR2M/Cu/GR2MA.2用0.5mol/L的过硫酸铵[(NH₄)₂S₂O₈]溶液对样品的Cu基底进行轻度腐蚀,并用超纯水反复清洗。此过程中,PMMA/GR2M/Cu/GR2M多层膜结构将漂浮在(NH₄)₂S₂O₈溶液表面,底部的Cu/GR2M层将被溶解,而顶部的PMMA/GR2M层则保持未反应状态,从而能清除Cu底部的GR2M,得到PMMA/GR2M/Cu结构。具体腐蚀和清洗步骤为:a)在(NH₄)₂S₂O₈溶液中漂浮3min,然后在超纯水中漂浮5min;b)反复执行步骤a)3~5次。A.3用(NH₄)₂S₂O₈溶液完全腐蚀掉Cu层,得到PMMA/GR2M多层膜结构。该步骤的处理时间取A.4在超纯水中漂浮30min(此步骤可操作多次)。每个超纯水浴应在各自独立的容器中准备。A.5用300nmSiO₂/Si衬底捞起超纯水表面漂浮的PMMA/GR2M样品。将其放在80℃的加热板上10min以除去水分,然后放置在180℃的加热板上15min使PMMA膜松弛。A.6将PMMA/GR2M/300nmSiO₂/Si浸泡在丙酮中,静置10h使PMMA层溶解。之后将GR2M/300nmSiO₂/Si依次放入无水乙醇和超纯水中浸泡各10min。取出后用高纯氮气吹干即可得到洁净的GR2M/300nmSiO₂/Si样品。A.7如上述步骤处理后样品表面不洁净,可适当延长腐蚀或超纯水清洗的时间和次数,或使用50℃的丙酮溶解PMMA层。以下步骤可作为参考:a)提高或降低(NH₄)₂S₂Os溶液的浓度以提高或降低腐蚀速度。低腐蚀速度有利于保持样品在腐蚀过程中的完整性。c)选择其他有机物作为转移支撑层,如聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,简称PDMS)等。d)利用氧(O₂)等离子体处理PMMA/GR2M/Cu/GR2M多层膜结构的背面,腐蚀时间为3min~5min,将Cu底部的GR2M腐蚀掉,然后再进行A.2和后续步骤。采用此方法可适当减少A.2步骤中(NH₄)₂S₂O₈溶液腐蚀和超纯水清洗的次数。A.8CVD生长铜基石墨烯薄膜转移后拍摄的光学图片示例见图A.1。8GB/T40071—2021图A.1CVD生长铜基石墨烯薄膜转移后拍摄的光学图片(衬底为300nmSiO₂/Si)(示例)9(资料性)测试样例1基于反射光谱法的层数测量B.1选择测量区域参照7.1.1,利用光学显微镜观测样品(该样品为机械剥离法获得的石墨烯薄片),确定测量区域(见图B.1中方框)。该区域应同时包含空白衬底和样品。图B.1选择测量区域B.2采集反射光谱参照7.1.2,对测量区域进行聚焦以观测到清晰的石墨烯薄片或薄膜边沿。在相同的观测条件下,依次采集衬底及样品的反射光谱Isubstrate(λ),Isample(λ),其中i=1~5。相相对反射强度光学对比度GB/T40071—2021300nmSiO,Si40000200000石墨烯B.3获得光学对比度谱参照7.1.3,由衬底及样品的反射光谱Iistrate(λ),I(ple(λ),得到光学对比度谱Ci)(λ),其中i=1~5(示例见图B.3)。0.300.300.250.200.150.100.050.00-0.05400波长nm600B.4获得光学对比度谱峰值参照7.1.4,如图B.3所示,C(¹)(λ)的峰值C(1)为0.28(保留小数点后2位)。按照类似的步骤,可得C(2)至C(5)。根据公式(4),得到样品的光学对比度谱峰值Cp为0.28(此值为示例值)。根据表1,光学对比度谱峰值Cp为0.28时对应的层数为3。GB/T40071—2021(资料性)测试样例2——基于光学图片法的层数测量首先选取已知层数为1~6层(采用其他方法,例如拉曼光谱法、原子力显微镜法等测量得到层数)的由机械剥离法制备的样品(每个层数各3个,共18个),按照7.2.1所述步骤得到“G通道对比度值表C.1G通道对比度值Cg——层数对应关系(示例)Cc参考范围Cc典型值层数0.03<CG≤0.090.0610.09<CG≤0.140.1120.14<Cc≤0.180.1630.18<Cc≤0.230.2040.23<Cc≤0.270.2550.296C.3采集3张衬底光学显微图片(如图C.1所示)和1张样品光学显微图片(如图C.2所示)。过程参图C.1衬底光学图片(示例)图C.2样品光学图片C.4获得G通道对比度值图像(如图C.3所示)。过程参照7.2.2.4。GG通道对比度值图像0.350.25X,Y]:[1222931]0.150,050图C.3G通道对比度值图像C.5获得待测样品的G通道对比度值CG。参照7.2.2.5,在G通道对比度值图像中的待测样品区域内随机选取5个位置分别得到5个G通道对比度值CG),其中i=1~5。如CC¹)=0.07,C(²)=0.06,C(³)=0.06,C(4
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