微纳米金属烧结体电阻率试验方法：四探针法_第1页
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文档简介

1微纳米金属烧结体电阻率测试方法四探针法本文件规定了第三代半导体器件封装用微纳米金属烧结体的电阻率测封装烧结材料在不含被连接件连接基体情况下，单独完成烧结工艺后形成的部件结24.1凯尔文电桥测试电路凯尔文电桥原理如图1所示，其中R为待测电阻，RI1基本没有任何分流，只要电流源和电压表足够精确，计算出的电阻值也是准确的。直线四探针测试是指将四根排成一条直线且等间距的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面3I——探针（1、4）流过的电流值；F(D/S)——样品直径修正因子；F(W/S)——样品厚度修正因子；Fsp——探针间距修正系数，由探针供应商提供。1）仪器由主机、样品台、探针、探针架、计算机等部4接弹赛和外部引线与任何其他探针或装置任一部分之间绝缘电阻大于109Ω;探针尖端应成等间距直探针架和样品台用于固定探针和样品，通过操纵杆能使探针几乎无横向移动地下降到样品表面5.2尺寸测量仪器5f)估计测试样品的测量范围，确定测试的电流量程I；如无法确定，可先选择一个较小电流初始h)改变电流方向，重复上述测量步骤。（为进一步消除由于接触电势和热电势引起的测量误差，j)根据公式计算待测样品正向、反向电阻率值；c)

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