《薄膜材料与薄膜技术》复习题_第1页
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文档简介

55.56.如何用磁控溅射制备形状记忆薄膜NiTi？57.纳米材料有那些特殊性能？58.举出三种59.三族元素氮化物的特性如何？谈谈主要应用领域。60.什么是巨磁电阻和庞磁电阻？巨磁电阻薄膜有什么应用？填空题〔每题5分〕1.热蒸发时沉积速率的大小与、、等因素有关。在合金材料蒸发时，为了保证蒸发膜组分与源的一致，可采用、2.分子泵是泵〔有油、无油〕，常用，等低真空泵的作其前级泵；分子泵正常使用时，腔体真空度必须到达时才能与分子泵连通。在分子泵停止转动后，冷却水和机械泵可以关闭。3.核形成有两种主要理论：和。但凡自发的相变都应伴随者体系能的降低。写出外延沉积Si薄膜的三种化学反响：、、；用Si3N4薄膜可用以下反响生成：。5.Pa，Torr，atm都是真空的量度单位。1N/m2=Pa；1atm=Pa；1Torr=mmHg=Pa。、、、等。X射线衍射峰的极大值满足布拉格公式，它的形式为：，式中，θ为与的夹角；利用谢乐公式：由X射线谱可计算晶粒的大小，其中B为衍射峰。、、、、等主要工艺过程。9.机械泵是低真空泵，常用作，等高真空泵的前级泵；为了防止油对样品的污染，常用，等无油泵作高真空泵；在扩散泵停止后，应当保持冷却水畅通，在分钟后可以关闭冷却水和机械泵。10、、、、、等。11.溅射率的大小与、、等因素有关。常用的溅射角在范围，常用的溅射能量在范围。12.化学气相沉积必须具备的三个条件是：、、13的沉积速率〔高或低〕、的样品温度〔高或低〕、静电场〔加或不加〕和沉积〔倾斜或垂直〕。14、、；、、；二、概念题〔每题10分〕表达电离规测量真空度的原理和电离规的使用本卷须知。溅射率与那些因素有关？对一定的溅射材料，如何选择适宜的溅射条件得到最大的溅射率？3.4.简要表达薄膜的主要生长过程。5.什麽是化学镀？它与电镀成膜的主要差异什麽？6.金刚石薄膜与类金刚石薄膜的主要结构差异是什么？在其制备过程中原子H起什么作用？7.表达热偶规、电离规测量真空度的原理和本卷须知。写出CVD沉积Si、SiO2、Si3N4、GaAs薄膜的反响方程？Sol-Gel成膜技术的特点和主要工艺过程是什么？10.蒸发与溅射有什么区别？各自的成膜特点是什么？11.电镀与化学镀有何区别？有那些主要应用？12.超硬材料的组成有那些规律？13.说出APCVD、LPCVD、PECVD的原理和特点。14.金刚石薄膜与类金刚石薄膜的主要结构差异是什么？在其制备过程中原子H起什么作用？三、设计题〔每题10分〕1.优质光学透明薄膜ITO由掺8%左右Sn的In2O3构成，Sn的In2O3的熔点1913oC,3;Sn的熔点231.93oC,7.31g/cm3,用学过的知识，设计一种能制备ITO薄膜的合理工艺。2.为了制备一种La0.9Ca0.1MnO3巨磁阻薄膜，请用一种PVD技术，设计其详细工艺过程，并说明要用的材料和该设计方案的可行性。3.已经用磁控溅射技术在SiO2/Si

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