模拟电路与项目训练课件 1.2二极管伏安特性及主要参数

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二极管伏安特性及主要参数《模拟电路分析与实践》-系列微课目录二极管正向伏安特性01二极管反向伏安特性02温度对特性曲线的影响03二极管的主要参数04二极管的正向伏安特性uEiVmA

硅：0.5V

锗：0.1V导通压降死区电压锗硅：0.7V锗：0.3V硅二极管的反向伏安特性uEiVuA反向饱和电流击穿电压UBR硅锗二极管的伏安特性

1.正向特性

当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为

,相应的A(A′)点的电压称为

电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为

V,锗管约为

V,如图中OA(OA′)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很

电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为

V,锗管约为

V,如图中AB(A′B′)段。

死区死区0.50.1小0.70.3二极管的伏安特性

2.反向特性

二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常

的电阻,反向电流很

,且

反向电压而变化，此时的电流称之为

,见图中OC（OC’）段。由伏安特性看出,当反向电压超过UBR

后稍有增加时,反向电流急剧增加,这种现象称为

，UBR称为

。大不随反向饱和电流

击穿电压反向击穿小温度对特性曲线的影响

3.温度对特性的影响左减小下温度升高时，二极管正向特性曲线向

移动,正向压降

;反向特性曲线向

移动,反向电流

。增大二极管的主要参数1.最大整流电流：二极管允许通过的最大正向平均电流。超过此电流,二极管将可能因过热而烧毁。

二极管的主要参数2.最大反向工作电压：二极管允许的最大工作电压。当反向电压超过此值时，二极管可能被击穿。二极管的主要参数3.反向饱和电流：二极管未击穿时的反向电流值。二极管

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