SJ∕T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽

备案号：52039-2015代替SJ/T2658.12—1986半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽2016-04-01实施ISJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： —第8部分：辐射强度——第11部分：响应时间——第13部分：辐射功率温度系数——第16部分光电转换效率本部分按照GBT1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。本部分代替SJ/t2658.12—1986《半导体红外发光二极管测试方法峰值波长和光谱半宽度的测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下：——修改了峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图(见图)——细化了峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量步骤(见5.2)——补充了峰值发射波长和光谱辐射带宽测量方法的规定条件(见5.3)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：—SJ/T2658.12—1986。1SJ/T2658.12—2015半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.华导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则下列术语和定义适用于本文件。3.1峰值发射波长peak-emissionwavelength在规定的正向工作电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率所对应的波长。在规定的正向工作电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率的规定百分比所对应的两个波长之差。4一般要求测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1方法I——单色仪法5.1.1测量原理图采用单色仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的原理图见图1。2D₃D₂D₁十MRMGDUTALDUT-—被测器件；D₂,D₃——消除杂散光光阑；M单色仪b;RM——包括光阑D₁的辐射探测系统。注：若存在器件光谱特性空间分布不均匀，导致测量重复性差，可采用被测器件置于积分球内的形式。应尽量减少反射入被测器件内的辐射功率，以避免由于失真而影响测量准确度。b单色仪的波长分辨率和带宽应能保证足够的测试准确度；如果单色仪的光谱透过率和辐射探测系统的光谱响应度在要求的波长范围内不是常数，则应修正记录的测量数据。a)按图1连接测量系统，使正向电流为规定值；谱辐射功率，获得被测器件的光谱辐射功率分布(见图2);d)设最大辐射功率Pp的规定百分比为α%,a%·Pp所对应的波长为λ₁和λ₂,两者之差△λ即为光3SJ/T2658.12—2015光谱辐射功率波长辐射功率的比值，曲线峰值可用100%表示。5.1.3规定条件b)正向电流IF(直流或脉冲);d)最大辐射功率的规定百分比α%。5.2方法Ⅱ——光谱仪法5.2.1测量原理图采用光谱仪法测量峰值波长和光谱辐射带宽的原理图见图3。M₀——光谱仪积分球内壁测量光辐射；遮光屏为探测器屏鼓了采自被测器件的直接镉射。度、高反射系数(不小于0.8)的漫反射镀层。球和光谱仪组合应校准，应该考虑到峰值发射波长和辐射功率由于功率消耗产生的变化图3光谱仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的原理图采用光谱仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽按下列步骤进行a)按图3连接测量系统，使正向电流为规定值b)调节光谱仪在所需波段内扫描，获取被测器件的光谱辐射功率分布，最大辐射功率所对应的波c)