OLED-WET工艺设备简介

OLED-WET工艺设备简介主讲：朱义红（WET）时间：7月30日Pre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperWETWetEtchingPre-depoCLNStripperDIWCleanHFCleanH2C2O4H3PO4BasePDC100PDC200PDC400PDC500PDC300SpinCLNWET100WET300STR600EQ:全称WetEtching，即湿法刻蚀，主要是通过使用某种化学药液，利用化学腐蚀的方法，去除玻璃基板上无光阻覆盖区域膜层，留下光阻覆盖区域膜层，最终形成所需PatternWET构架：WET简介：3LayerCHDNDM1LDDILD中试线产品工艺流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDPDCDIWCLNPLNPASSRobotTRLDUNITULUNITEUVA/KF/RLDFISHI型结构，分上下两层，上层为搬送单元，下层为清洗单元

TRUNITTRLDR/B全称Pre-depoClean，即成膜前清洗，用于清洗玻璃基板表面Particle与有机物等污渍，保证Substrate成膜前表面清洁，膜层界面结合完好。

PDCDIWCleanPDC作用：设备简介：N2inN2outLampquartzSubstrate172nmEUVHousingPurpose:

toremoveOrganicObjectandremainderPRO2O3O*CxHyOzCmHnOkCmHnOk+O*/O3CO2+H2O+CO172nm172nm172nmprinciple：N2FlowRate：75~85LPMEUV:ExcimerUltra-violet

PDCDIWClean-EUVUnitBubbleJet将CDA和DIW进行混合，并利用高压喷洒到Substrate表面，产生大量的微小气泡。气泡在破裂的时候产生冲击力，可以打掉基板表面的大颗粒Particle。CDADIWBubbleCDAPressure：120~170KPaDIWFlowRate：45~65LPMFinalrinse,即最终清洗F/R:机理:工艺参数:

PDCDIWClean-F/RUnitA/kShowerSubstrate1、风刀干燥前需要预湿Shower，使Substrate表面形成均一的水膜，AirKnife干燥之后，不会留下残水。2、Upper的压力要比Lower的压力大，否则Glass容易震动。UpperKnifePressure:0.50~0.60MPaLowerKnifePressure:0.45~0.55MPaAirKnife，即干燥风刀A/K:注意事项:工艺参数:

PDCDIWClean-A/KUnit3LayerCHDNDM1LDDILD中试线产品工艺流程PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDPDCHFCLNPLNPASSM2RobotTRLDUNITULUNITEUVA/KF/RLDFISH即氢氟酸清洗，用于清洗膜层表面氧化物

TRUNITTRLDR/BPre-ILDDepoCLN&Pre-M2DepoCLNSWRHF15~30LPM（HFFlowRate）HFCLN:涉及制程:建议参数:

PDCHFClean-PDC3003LayerCHDNDM1LDDILD中试线产品工艺流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDSpin

HFCLNPLNPASSMS&O3DHFPre-ELACLN:ODOMPre-GICLN:ODODMPre-M1CLN:OM清洗流程:清洗目的:O3CLN:即臭氧水清洗，清洗后可生成氧化物DHFCLN：即氢氟酸清洗，用于去除氧化物MS：MegaSonic，即兆声清洗，可有效去除Particle

SpinHFClean3LayerCHDNDM1LDDILD中试线产品工艺流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDWetEtchingPLNPASSEUV液刀风帘干燥风刀置换液刀DIWRinseEtchingZoneInCVOutCVBufferA/KWET:WetEtching，即湿法刻蚀，用于刻蚀像素电极ITO层和反射电极ITO-Ag-ITO层设备:U型结构，WET100对应ITO刻蚀、WET300对应ITO-Ag-ITO刻蚀

WetEtching刻蚀带出药液处理风刀水洗干燥风刀PumpChemicalTank刻蚀药液:ITO刻蚀液为草酸H2C2O4，ITO-Ag-ITO刻蚀液为磷酸基混酸H3PO4+HNO3+CH3COOHITO刻蚀原理:由草酸溶解铟氧化物及锡氧化物，产生铟及锡的金属离子于溶液中，并随溶液流走。蚀刻反应式如下：H2C2O4+2H2O=2H3O++C2O4-

SnO2+4H+=Sn4++2H2OIn2O3+6H+=2In3++3H2O

Sn4++2H2C2O4=Sn(COO)2+4H+2In3++3H2C2O4=2In(COO)3+6H+工艺参数:浓度：3.4～3.8wt%

温度：44～46℃流量：45～55lpm时间：70S

WetEtching单边CDlossGlassFilmPRGlassFilmPRCDLoss:定义：

CDLoss=CDPH–CDET影响因素：

1、刻蚀时间2、药液浓度3、药液温度4、药液流量TaperAngle:定义：

膜层斜边与底边夹角影响因素：

1、过刻量（OverEtching）2、膜层界面3、添加剂4、其他因素

WetEtching-关键指标3LayerCHDNDM1LDDILD中试线产品工艺流程M2PLNITO1PASSITO2PDGIPre-DepoCLNDepoPRcoatingDevelopWetEtchStripperITOpatternAEI、CDCITO-Ag-ITOPDLSPLCDOLEDStripperPLNPASSEntranceConveyorHPStripping2HPStripping1SprayStrippingH/PAA-JetRinseAirKnifeNeutralConveyorExitConveyor12002850120017501750185011001400185017501700170070018001800900UTurnRinseStrip:光刻胶剥离设备:STR600对应中试线所有制程