1章-半导体二极管3讲解析

电流控制

输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区——iC受vCE显著控制的区域。

发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。

发射结反偏，集电结反偏。放大区——iC平行于vCE轴的区域。发射结正偏，集电结反偏。三极管开关及等效电路

例1：测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。

三极管工作状态判断

放大截止饱和4半导体三极管的参数

半导体三极管的参数分为三大类:

直流参数交流参数极限参数

值与IC的关系

在输出特性曲线上决定=（IC－ICEO）/IB≈IC/IB

vCE=const共发射极交流电流放大系数

=

IC/

IB

vCE=const

在输出特性曲线上求β（2）极间反向电流

1）集电极基极间反向饱和电流ICBO

2）集电极发射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO=（1+β）ICBO

(3)极限参数

值与IC的关系

2）集电极最大允许功率损耗PCM

PCM=ICVCB≈ICVCE

1）集电极最大允许电流ICM

3）反向击穿电压三极管击穿电压的测试电路V(BR)CEO<V(BR)CER<V(BR)CES输出特性曲线上的过损耗区和击穿区

半导体三极管的型号国家标准对半导体三极管的命名如下:3

D

G

110B

第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、

G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管

表1双极型三极管的参数

参

数型

号

PCMmWICMmAVR

CBOVVR

CEO

VVR

EBO

VIC

BO

μAf

T

MHz3AX31D1251252012≤6*≥83BX31C1251254024≤6*≥83CG101C10030450.11003DG123C5005040300.353DD101D5A5A3002504≤2mA3DK100B100302515≤0.13003DKG23250W30A4003258注：*为f

例2：某晶体管的输出特性如图。试求出该管的β、α、ICEO、V(BR)CEO和PCM第2章基本放大电路2.1放大电路的基本概念2.2共射极基本放大电路

2.3图解分析法

2.4小信号模型分析法

2.5射极偏置电路

2.6共集电极和共基极电路

2.7放大电路的频率响应放大电路的结构示意框图

放大概念示意图2.1放大电路的基本概念

基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三种基本组态放大电路。共发射极、共集电极、共基极

三种组态

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;

共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；

三极管的三种组态

(1)放大倍数

放大倍数的定义放大电路的主要技术指标

(2)输入电阻

Ri定义

输入电阻的定义(3)输出电阻Ro(4)通频带

通频带的定义(1)基本组成

三极管T——

负载电阻Rc、RL——

偏置电路VCC

、Rb——

耦合电容C1、C2——起放大作用。将变化的集电极电流转换为电压输出。提供电源，并使三极管工作在线性区。输入耦合电容C1保证信号加到发射结，不影响发射结偏置。输出耦合电容C2保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。

共发射极组态交流基本放大电路

2.2共射极基本放大电路

(2)静态和动态

静态——

时，放大电路的工作状态，也称直流工作状态。

动态——

时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态。

直流通道

交流通道

直流电源和耦合电容对交流相当于短路

能通过直流的通道。

能通过交流的电路通道。(3)直流通道和交流通道

(a)直流通道(b)交流通道(4)放大原理三极管放大作用变化的通过转变为变化的输出各点波形R