模拟电路基础教程部分习题答案

2.3.1（1）；（2）导通；（4）；（5）；（6）；（7）。2.3.2（1）；（2）；（3）。2.3.3（1）导通；（3）；（4）。2.3.4（a）不通；（b）导通；（c）不通。2.3.5（a）；（b）；（c）。2.3.6（2-a）；（2-b）。2.3.7（a-1），V；（b-1），（c-1），（d-1），2.3.8（a-1），；（b-1），2.3.13（1）4.65mA；（2）；（2）。2.3.14（1），；（2）；（3）2.4.1（1）；（2）;(3)不能稳压。2.4.2（2）；（3）不能。2.4.32.4.42.4.5（2），，3.1.3发射结正偏集电结反偏；都成立3.1.4PNP型3.1.5均是流出方向3.1.6正偏；反偏3.2.1输入、输出；基极、发射极；集电极、发射极；输入、输出3.2.3QUOTEUC3.2.4低，高。3.2.4+1对于PNP管，；对于NPN管，3.2.5A:2.8V→b,2.1V→e,8V→c,硅，NPN;B:3.0V→b,2.7V→e,7.2V→c,硅，NPN;C:3.0V→c,7.5V→b,8.2V→e,锗，PNP;D:7.0V→b,2.0V→c,7.3V→e,锗，PNP;3.2.6发射极，基极，集电极；NPN型3.2.7截止、放大、饱和三种状态；对应的电压为：发射结反偏；发射结正偏、集电结反偏；发射结正偏、集电结正偏3.2.8饱和状态下3.2.9放大状态下3.2.10开路模型对应于截止状态；恒压源模型对应于放大和饱和状态3.2.12截止与饱和状态；放大状态3.2.143.2.15按截止、放大、饱和的顺序分析；截止状态；不是截止状态；3.2.16和发射结；、、;放大状态3.2.17，;；,,,3.2.18;,3.2.19,,3.2.203.2.213.2.22,3.2.23,3.2.29使合理3.2.30两种情况均可能3.2.31(1)、(2)、(3)不安全，（4）安全3.3.123.3.133.3.14对，因为BJT的电压和电流都是单极性的，只有在一定的直流分量条件下，才能通过波动的形式对交流信号产生响应。3.3.17基极和发射极两个位置。3.4.2因为将造成，使be结电压小于死区电压，导致静态电流全部为零。3.4.33.4.53.4.73.4.8:得到恰当的基极电流和集电极电流；：得到恰当的集-射极电压。3.4.9造成输入信号短路的电路：（a）和（d）；没有基极静态电流的电路：（b）和（e）;造成BJT烧坏的电路：（a）；极性接错的电路：（c）和（e）；没有放大电压的电路：（f）。3.4.10（a）;(b);(c),;(d);(e);(f)。3.4.11（a）,,;(b);(c);(d)减小使Q点右移；（e）。3.4.12（a）减小或增加会使变大；（b）增加会使输入阻抗变大；（c）增加会使输出阻抗变大；（d）和变化将导致变化，变化将导致最大不失真输出电压幅度变化。3.4.143.4.15（a）通过调节或减小数值；（b）通过调节或增加数值；（c）减小输入信号或增加。3.4.16仅仅需要改变的极性。3.4.18（a）,;（b）当做电压源处理。3.4.19（a）正确。（b）正确。3.4.20（a）共射极放大电路，;（b）,。3.5.1对。3.5.2输入阻抗远远大于负载阻抗；输出阻抗远远小于信号源内阻；阻抗变换；（自行总结）。3.5.4（a）共集电极组态；（b）,,。3.5.5。3.5.6（a）:CE,:CB;（b）:CE,:CE;（c）:CC,:CE;（d）:CC,:CB;3.5.7(1)d和e输入阻抗较大；(2)c输入阻抗较小；(3)e源电压放大倍数最大。3.5.8（a）,,;(b),,(c)，。3.6.1，,。3.6.2,,。3.7.1,。3.7.24-1-1JFET输入电阻更大，因为它的栅极是处于反偏状态，JFET适用于电压控制信号，BJT适用于电流控制信号。4-1-2是PN结结构,不能正偏，BJT必须正偏。4-1-3（a）P沟道；（b）N沟道；箭头表示可以形成电流的方向。4-2-1（1）结型、绝缘栅型、结型场效应管。（2）栅极处于不导电状态。（4）跨导、gm4-2-2（a）N沟道耗尽型MOSFET；（b）N沟道耗尽型JFET；（c）P沟道增强型MOSFET;（d）P沟道耗尽型JFET;（e）P沟道耗尽型MOSFET;（f）N沟道增强型MOSFET；4-2-3（a）N沟道增强型MOSFET；（b）N沟道耗尽型MOSFET；（c）P沟道耗尽型JFET;（d）P沟道耗尽型MOSFET;（e）N沟道耗尽型JFET；（f）P沟道增强型MOSFET;4-3-1可以。耗尽型FET在没有栅源电压时可以形成漏极电流，可以利用该电流来设置静态工作点UGSQ4-3-2（a）因为UDS（b）因为UGS（c）因为UGS(d)因为UGS4-3-3（a）不能。因为JFET的栅源电压UGS是处于正偏，应把R（b）不能。栅极缺少上拉电阻，无法实现UGS>UT的要求。应在4-3-4（1）RS增加,导致UGS减小，gm减小，Au下降。（2）CS开路后，uGS电压减小,Au下降。R4-3-5Au=−5,R4-3-7（1）（a）共源极放大电路；（b）共漏极放大电路；（c）共栅极放大电路。（2）4-3-8（1）R1=2KΩ（2）R（3）Au=gmRd4-3-9（1）AuRi4-3-10IDQ=0.22mA,4-3-11（1）R(2)VGS4-3-13VT1为共漏极组态；VT2为共射极组态；Au=−β4-3-14(1)(2)uo5.2.5（1）；（2）。5.2.6（1）；。（2）；（3）；（4），。5.2.7（1）,;(2)（3），。5.2.8（1）,;(2)5.2.9（1）；（2））、、；（3）,。5.2.10（1）,,;(2),;(3),。5.2.11,,。5.2.12、、，。5.2.13（1）;(2)、,。5.2.14（1）,,,,,;(2);(3);(4)。5.3.1（2）。5.3.2。5.3.3 ,。5.3.4。习题参考答案6.3.3（1）4.5W;(2)0.9W;(3)24V6.3.4（1）12.25W，10.04W，22.29W，54.96%;（2）25W，6.85W，31.85W，78.5%6.3.5（1）（2），令，得时管耗最大，相应的效率为50%。6.3.6（1）输出电流的峰值为：IL=（VCC-VCES）/（R+RL）≈6/106=56.6mA，最大负载功率为Pom=IL2RL/2=0.16W；（2）R为直流负反馈电阻，可使输出点直流电位基本恒定；此外，R还起到平衡输入电阻以及负载短路下的限流作用。6.4.1（1）T1和T2组成互补功放电路，T3为输入放大管，D1、D2为）T1、T2提供静态偏置，消除交越失真；（2）静态时（即vi=0）,负载两端输出电压为零；（3）|V(BR)CEO|≥2VCC=18V，ICM≥VCC/RL=2.25A，PCM≈0.2Pomax=0.9W；（4）Pomax=(VCC-VCES)2/2RL=4.5W，PV=(2·Vom·VCC)/(π·RL)=8.598W，η=Pomax/PV=52.3%。6.4.2（1）静态时A点电位为零，若不能满足要求，一般可调节电阻R3。（2）（3）（4），每管管耗为：（5）T2和T3的参数应满足以下条件：6.4.3（1）A点电位应为VCC/2，若不能满足要求，一般可调节电阻R1。（2）各波形如下图所示：（3）C2、R3组成自举电路，当正半周输出时，可提高A点电位，以消除输出正峰的失真，从而提高输出功率。电阻R3不能省略，没有R3将失去自举作用。R4不能省略，否则互补管输出信号会产生交越失真。C3不能省略，其容量应尽量取得大些，如无C3，T3管将不能工作，C3两端的电压等于VCC/2。（4）6.4.4（1）（2），检验晶体管参数是否满足要求：故最大输出功率受器件Icm的限制不能为0.945W，应为（3）由上述计算可以看出：当D1开路时功率管将因管耗过大而损坏。6.4.5（1）R1、R2和T3组成“VBE扩大电路”。T3集电极与发射极间电压VCE3为互补对称输出电路提供偏置电压，来克服输出波形中交越失真的问题。由于T3的VBE3基本上是固定值（0.6～0.7V），若能使流过电阻R1、R2的电流远大于基极电流IB3，则因此，可通过调节电阻R1、R2的比值，来调节VCE3，进而调节功率管的工作状态。（2）恒流源I为T1和T2管的有源负载，可提高本级的电压放大倍数。（3）当正向电流过大时，VR3增大使D1导通，此时送到T4的基极电流将有一部分经D1旁路，从而使T4的输出电流受到限制。同理，当负向电流过大时，D2导通，将T5基极电流的一部分经D2旁路，限制了T5和T6的电流，故D1、D2起到了过载保护作用。6.4.6改动后的电路如下图所示：其中D1和D2是T2和T3的偏置二极管，可消除输出信号的交越失真；D3和D4是T2和T3的保护电路；C3和R6是自举电路，也可省掉C3和R6，而将RL接在R6的位置。6.5.1（1），晶体管的参数可按以下选择：（2）（3）6.5.2（1）输出三极管构成射随器，a和e同相，而b和e反相。故电阻Rf的任意一端与输出相连，如d点和e点相连，而电阻Rf的另一端则与输出的反相端相连，即c点与b点相连。（2）（3）6.5.3（1）VREF＝VCC/2＝7.5Vvo1＝vo2＝7.5V（2）最大输出功率和效率分别为（3）输入电压有效值6.5.4（1）Av1=2.5，Av2=-2.5；（2）；（3）Vip=4.8V7.1.1（1）线性；（2）加法、减法、差分；（3）反相比例运算电路；（4），1；（5）同相比例运算电路、反相比例求和电路、电容；（6）；（7）反相积分电路；（8）三角波。7.1.2同相输入端和反相输入端。7.1.3。7.1.4。7.1.5。7.1.6（1）A1同相比例，A2电压跟随器，A3反相求和电路；（2）。7.1.7。7.1.9（a）（b）（c）（d）。7.1.10。7.1.11。7.1.12（1），反相器；（2）。7.1.15（a）；（b）；（c）；（d）。7.1.16，。7.1.17A1同相比例，A2反相比例，A3反相求和电路；，，。7.3.11V。7.3.20.5V。7.3.3（a）过零比较器；（b）滞回比较器。7.3.40V，4V。7.3.5。7.3.3（a）；（b）。答案8.1.1（1）正向传输,反向传输,反馈网络,闭环；（2）,,，，；（3）负反馈，正反馈，自激；（4）反馈系数，；（5）负反馈，正反馈；（6）降低，增加，降低，增加，降低。8.1.2（1）A（2）B（3）C（4）D（5）B（6）A8.1.3（1）×（2）×（3）√（4）×8.2.1（a）正反馈；（b）电流并联负反馈；（c）电压并联负反馈。8.2.2（a）直流负反馈。（b）直流负反馈。（c）交、直流负反馈。（d）交、直流负反馈。（e）通过R3和R7引入直流负反馈，通过R6引入直流负反馈，通过R4引入交、直流负反馈。8.3．1（a）电压并联负反馈，减小，减小；（b）电流并联负反馈，减小，增加；（c）电压串联负反馈，增加，减小；（d）电流串联负反馈，增加，增加；8.4.1（a）负反馈，电压并联负反馈，交直流，；（b）正反馈，交直流。8.4.2（a）正反馈，交直流；（b）电流串联负反馈，交直流。8.4.3一级负反馈，电压并联负反馈，二级电压并联负反馈，级间为电压串联负反馈。8.4.4（1）负反馈（2）电流串联负反馈（3）8.4.5（1）负反馈（2）电压串联负反馈（3）8.4.6（1）（2）负反馈（3）电压串联负反馈（4）8.4.7（a）电流并联负反馈，，（b）电压串联负反馈，，（c）电压串联负反馈，，（d）电压串联负反馈，，8.4.9串联负反馈，根据虚短9.1.1带通滤波电路(2)带通滤波电路(3)低通滤波电路(4)有源滤波电路(5)低通滤波电路(6)带阻滤波电路(7)有源二阶带阻滤波电路(8)线性(9)0.707(10)=(11)直流电压放大倍数9.1.2(1)一阶低通滤波器(2)一阶高通滤波器(3)二阶低通滤波器(4)二阶高通滤波器(5)二阶带阻滤波器(6)二阶带通滤波器9.1.7一阶高通。9.1.8一阶高通和低通连成二阶BPF。9.1.9带阻滤波器。9.1.109.2.1一象限全正，二象限，，三象限，，四象限，。9.2.2(1)上负下正；(2)。9.2.3。9.2.4。9.2.5(1)根据已知条件，故上为负下为正。(2)9.2.69.3.11V。9.3.20.5V。9.3.3（a）过零比较器；（b）滞回比较器。9.3.40V，4V。9.3.5。9.4.1（1）√；（2）×；（3）×；（4）√；（5）×；（6）√；（7）×；（8）√；（9）×；（10）√。9.4.2（1）阻性，容性，感性；（2）阻性，感性，容性；（3）阻性。9.4.3正弦波振荡电路产生自激振荡条件,。9.4.4（a）断开反馈输入在发射极，输出在集电极，为共基极放大电路，上负下正。在变压器反馈式正弦波振荡电路中，变压器原、副边线圏的绕向必须与放大电路输出和输入的相位关系相匹配，才能满正弦波振荡的相位条件。（b）中放大电路的直流通路中晶体管的基极和集电极短路，交流通路中晶体管的集电极和发射极短路，因面不但静态工作点不合适，而且输出交流信号恒为零。不能产生正弦以振荡。9.4.5（a）能；（b）不能；（c）不能；（d）能。9.4.6文氏桥正弦波发生电路，过零比较器，反相积分器，滞回比较器。9.4.7≥。9.4.8⑧连③，⑨连④，⑤连④，⑥连①，⑦连②。9.4.9(1)，若电位器调至最大，则若电位器调至0，则，若电位器调至最大，则若电位器调至0，则，若电位器调至最大，则若电位器调至