【MOOC】微电子制造工艺-北京信息职业技术学院 中国大学慕课MOOC答案

【MOOC】微电子制造工艺-北京信息职业技术学院中国大学慕课MOOC答案第一章测验1、【单选题】第一个锗晶体管是（）年发明本题答案：【1947】2、【单选题】集成电路的英文简称为（）。本题答案：【IC】3、【单选题】8英寸硅片的直径大约（）mm。本题答案：【200】4、【判断题】微电子学的核心是集成电路。本题答案：【正确】5、【判断题】集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、MOS集成电路和BiCMOS集成电路等。本题答案：【错误】6、【判断题】纳米是长度的单位，1纳米为1微米的1000倍。本题答案：【错误】7、【判断题】CD(CriticalDimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。本题答案：【正确】8、【判断题】集成电路是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管等元器件按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。本题答案：【正确】9、【判断题】集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、MOS集成电路和BiCMOS集成电路等。本题答案：【错误】10、【填空题】摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每_____个月翻一番。本题答案：【18##%_YZPRLFH_%##十八】第二章测验1、【单选题】1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（）个。本题答案：【1000】2、【单选题】高效过滤器的英文简称是（）。本题答案：【HEPA】3、【单选题】过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（）。本题答案：【SC-1】4、【单选题】中效过滤器主要滤除大于（）um的尘粒。本题答案：【1】5、【多选题】尘埃的测量方法有（）、（）、（）。本题答案：【重量法#过滤法#计数法】6、【判断题】吸烟不会产生尘埃。本题答案：【错误】7、【判断题】风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。本题答案：【正确】8、【判断题】乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。本题答案：【错误】9、【判断题】洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。本题答案：【正确】10、【填空题】10000级是指每立方英尺空气中，0.5um大小尘埃的个数不超过10000颗≈______个/升。（四舍五入取整，1立方英尺=28.3168升）本题答案：【353】第三章半导体材料1作业1、【单选题】掺入B元素的半导体为（）型半导体本题答案：【P】2、【单选题】下列半导体属于第三代半导体的是（）。本题答案：【氮化镓】3、【单选题】半导体行业最常用的半导体材料是（）。本题答案：【硅】4、【单选题】掺入P元素的半导体为（）型半导体。本题答案：【N】5、【单选题】面心立方晶胞原子的个数是（）。本题答案：【4】6、【单选题】硅的晶体结构是（）形状。本题答案：【四面体结构】7、【单选题】硅晶体内部的空间利用率是（）。本题答案：【34%】8、【多选题】最常用的形成N型半导体的杂质有（）()和（）。本题答案：【Sb#As#P】9、【多选题】从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（）。本题答案：【100#110#111】10、【判断题】价带中含有的电子数量决定材料的导电性。本题答案：【错误】11、【判断题】由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的大。本题答案：【正确】12、【判断题】P型半导体主要靠空穴导电。本题答案：【正确】13、【判断题】100晶向垂直于100晶面。本题答案：【正确】14、【判断题】多晶的特点是长程有序，短程无序本题答案：【错误】第三章半导体材料2作业1、【单选题】电子级纯的多晶硅的纯度为（）。本题答案：【99.9999999%】2、【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。本题答案：【三氯氢硅的氢还原法】3、【单选题】单晶硅的电阻率测试采用（）。本题答案：【四探针法】4、【多选题】多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。本题答案：【要有排列标准#原子具有一定的动能，以便重新排列#排列好的原子能稳定下来】5、【多选题】硅材料的缺陷主要有（）。本题答案：【体缺陷#面缺陷#点缺陷#线缺陷】6、【判断题】温度升高会使点缺陷的平衡浓度增加。本题答案：【正确】7、【判断题】刃型位错是位错线与原子滑移方向相平行。本题答案：【错误】8、【判断题】如果掺入杂质的失配因子较大，晶格将会发生畸变。本题答案：【正确】9、【判断题】晶体在（110）方向上腐蚀速度最快。本题答案：【正确】10、【判断题】肖特基缺陷的特点是空位与填隙原子成对出现。本题答案：【错误】第四章硅平面工艺流程作业1、【单选题】MOS的中文含义是（）。本题答案：【金属氧化物半导体】2、【单选题】LDD的中文含义是（）。本题答案：【轻掺杂源漏】3、【多选题】双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。本题答案：【氧化#扩散#光刻#掺杂】4、【多选题】PMOS管的3个电极分别是（）。本题答案：【源极#漏极#栅极】5、【判断题】制作PN结最早采用的是硅平面工艺法。本题答案：【错误】6、【判断题】重掺杂用于外延的单晶衬底。本题答案：【正确】7、【判断题】阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。本题答案：【错误】8、【判断题】浅沟槽隔离属于PN结隔离方式。本题答案：【错误】9、【判断题】Bi-CMOS是同时包括双极和MOS管的集成电路。本题答案：【正确】10、【判断题】局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。本题答案：【正确】第五章薄膜制备1测验1、【单选题】要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。本题答案：【440埃】2、【单选题】以下（）选项不属于掺氯氧化的功能。本题答案：【氧化速率比在纯氧中低】3、【单选题】下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。本题答案：【水汽氧化】4、【多选题】增加热氧化速率的方法有（）。本题答案：【增加氧化剂压力#提高温度#进行掺杂#选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化】5、【多选题】二氧化硅厚度的测试方法有（）。本题答案：【比色法#光学干涉法#椭偏法】6、【多选题】氧化层表面的缺陷有（）。本题答案：【斑点#裂纹#白雾】7、【多选题】根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）。本题答案：【干氧氧化#水汽氧化#湿氧氧化#掺氯氧化】8、【判断题】桥联氧原子浓度越高，网络的强度越强。本题答案：【正确】9、【判断题】热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。本题答案：【正确】10、【判断题】热氧化的速率与晶圆的晶向有关，但与氧化剂压力无关。本题答案：【错误】11、【判断题】掺氯氧化可以减少氧化层错堆垛，吸附钠离子。本题答案：【正确】12、【判断题】氧化速率随着氧化层厚度的增加（氧化时间的增加）而下降。本题答案：【正确】13、【判断题】二氧化硅是一种介质材料，具有一定的导电性。本题答案：【错误】14、【判断题】氧化层有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。本题答案：【正确】15、【判断题】利用不同厚度的SiO2膜对白光反射得到不同的干涉色彩的现象可以判断膜厚。本题答案：【正确】第五章薄膜制备1作业1、【单选题】热氧化0.6μm氧化层，硅片增厚了（）μm。本题答案：【0.336】2、【单选题】线性速率常数是（）。本题答案：【B/A】3、【判断题】氧化层密度排序：干氧湿氧水汽本题答案：【正确】4、【判断题】比色法比椭偏法测量精度高。本题答案：【错误】5、【判断题】在线性阶段，(111)晶向的氧化速率将比(100)晶向稍慢。本题答案：【错误】第五章薄膜制备2作业1、【单选题】通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。本题答案：【化学气相淀积】2、【单选题】LPCVD的含义是（）。本题答案：【低压化学气相淀积】3、【多选题】薄膜的生长包括（）（）（）（）。本题答案：【岛生长#连续成膜#晶核形成#桥联】4、【多选题】介质薄膜有（）。本题答案：【SiO2#Si3N4】5、【判断题】薄膜是指某一维尺寸远小于另外两维上尺寸的固体物质。本题答案：【正确】6、【判断题】薄膜淀积时，衬底不要求是单晶的。本题答案：【正确】7、【判断题】CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。本题答案：【错误】8、【判断题】如果hgks，CVD速率对温度特别敏感。本题答案：【正确】9、【判断题】二氧化硅薄膜只能采用APCVD方法制备。本题答案：【错误】10、【判断题】如果hgks，CVD速率受质量输运控制。本题答案：【正确】第五章薄膜制备3作业1、【单选题】TEOS的中文含义是（）。本题答案：【正硅酸乙酯】2、【单选题】CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。本题答案：【硅烷】3、【单选题】金属钨的CVD方法中要用到的气体源是（）。本题答案：【WF6】4、【单选题】以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。本题答案：【气相外延】5、【多选题】氮化硅的CVD制备方法有（）。本题答案：【LPCVD#PECVD】6、【多选题】外延层测量电阻率的方法有（）。本题答案：【三探针法#四探针法#电容-电压法】7、【判断题】分子束外延能生长极薄外延层，厚度可薄至?量级。本题答案：【正确】8、【判断题】异质外延存在晶格失配的问题。本题答案：【正确】9、【判断题】外延时要求衬底必须是单晶的。本题答案：【正确】10、【判断题】Si3N4可以掩蔽Ga、In、ZnO。本题答案：【正确】第五章薄膜制备4作业1、【单选题】通过加热，使待淀积的金属原子获得足够的能量，脱离金属表面蒸发出来，在飞行途中遇到硅片，就淀积在硅表面，形成金属薄膜，该工艺过程是（）。本题答案：【蒸镀】2、【单选题】1Torr等于（）Pa。。本题答案：【133】3、【单选题】蒸镀的方式除了电阻丝加热蒸镀还有（）蒸镀方式。本题答案：【电子束蒸镀】4、【单选题】铝的蒸发温度是1250℃，这时它的平衡蒸汽压是（）Pa。本题答案：【1.33】5、【多选题】真空蒸镀成膜的过程是包括：（）。本题答案：【吸附#成核#连片#生长】6、【多选题】真空蒸镀台阶覆盖特性的改善方法有（）。本题答案：【衬底加热#衬底旋转#衬底支架设计为半球形】7、【多选题】下面（）薄膜制备方法是PVD。本题答案：【蒸镀#磁控溅射】8、【判断题】PVD是物理过程，淀积的薄膜台阶覆盖差，适合淀积金属。本题答案：【正确】9、【判断题】电离规用于低真空度测量。本题答案：【错误】10、【判断题】磁控溅射可以提高氩气的离化率，并将二次电子束缚在靶周围的区域，提高溅射的效率。本题答案：【正确】第六章光刻技术1作业1、【单选题】传统常规的光刻的光源最主要采用的是（）。本题答案：【紫外光】2、【单选题】光刻工艺是按照下列（）流程顺序进行操作。本题答案：【气相成底膜、涂胶、软烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、检查】3、【多选题】光刻技术中的紫外光源主要包括（）。本题答案：【准分子激光#汞灯】4、【判断题】光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。本题答案：【正确】5、【判断题】涂胶前处理（加HMDS）是为了去除粘附在硅片表面的尘埃。本题答案：【错误】第六章光刻技术1测验1、【单选题】软烘的温度是（）℃。本题答案：【90~100】2、【单选题】气相成底膜的工艺步骤是：①硅片清洗、②硅片成底膜、③脱水烘焙，以下选项排列正确的是（）。本题答案：【①③②】3、【单选题】哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。本题答案：【分辨率】4、【单选题】哪个是表征光刻胶对光敏感度的性能指标（）。本题答案：【灵敏度】5、【单选题】涂胶的基本步骤包括：a旋转铺开、b溶剂挥发、c分滴、d旋转甩掉多余的胶，请选出正确的涂胶顺序（）。本题答案：【cadb】6、【多选题】光刻胶由（）组成。本题答案：【树脂#感光剂#溶剂】7、【判断题】负性光刻后，与掩膜版上图形相同的图形复制到硅片表面。本题答案：【错误】8、【判断题】涂胶前处理（加HMDS）是为了提高光刻胶粘附力的作用。本题答案：【正确】9、【判断题】在涂胶工艺中胶的厚度可以通过旋涂的速度来控制。本题答案：【正确】10、【判断题】软烘的目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使硅片表面的胶固化。本题答案：【正确】第六章光刻技术2作业1、【单选题】套准容差大约是关键尺寸的（）。本题答案：【1/3】2、【单选题】已知k=0.6，NA=0.45，λ=193nm，则分辨率R等于（）。本题答案：【257nm】3、【单选题】准分子激光器的材料为KrF时，产生波长是（）nm。本题答案：【248】4、【多选题】光刻工艺曝光的光源有（）。本题答案：【汞灯#准分子激光】5、【多选题】影响分辨率的参数有（）。本题答案：【波长#数值孔径#工艺因子】6、【多选题】光学增强技术包括（）。本题答案：【PSM#OPC#OAI#添加衬线】7、【判断题】数值孔径用来衡量透镜收集衍射光的能力。本题答案：【正确】8、【判断题】焦深增大会导致分辨率减小。本题答案：【正确】9、【判断题】接触式光刻机容易导致掩膜版损坏，但可一次完成曝光。本题答案：【正确】10、【判断题】I线光刻胶曝光后烘焙的目的是提高粘附性并减少驻波。本题答案：【正确】第七章掺杂技术1作业1、【单选题】本题答案：【图（a）、（b）都是限定源扩散】2、【单选题】2、扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸____，这是____效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。本题答案：【大，横向扩散】3、【单选题】方块电阻的测量方法是（）。本题答案：【四探针法】4、【单选题】替位式扩散的杂质原子一般与硅原子的直径差不多，因此扩散的速度（）。本题答案：【较慢】5、【单选题】方块电阻的单位是（）。本题答案：【Ω/□】6、【单选题】遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源，硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为（）。本题答案：【恒定源表面扩散】7、【多选题】根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为（）。本题答案：【填隙式扩散#替位式扩散】8、【多选题】热扩散的条件是（）。本题答案：【浓度梯度#温度】9、【判断题】扩散的目的是通过定域、定量扩散掺杂改变半导体导电类型、电阻率、或形成PN结。本题答案：【正确】10、【判断题】气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物，这些气体的毒性很大，且易燃易爆，操作上要十分小心。本题答案：【正确】第七章掺杂技术2作业1、【单选题】以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。本题答案：【离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。】2、【多选题】抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。本题答案：【衬底的预非晶化处理（破坏表面结晶层）#偏转注入或倾斜硅片#在衬底表面制作掩膜氧化薄层（非结晶材料），使入射离子进入硅晶体前无序化】3、【多选题】离子注入设备主要包括以下（）组成部分。本题答案：【离子源#加速管#扫描系统和终端靶室#吸收电极（即吸极）和质量分析器】4、【多选题】离子注入最主要的缺点是（）。本题答案：【沟道效应（或通道效应）存在#会对晶体结构产生损伤#离子注入设备复杂且昂贵】5、【判断题】离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。本题答案：【正确】第七章掺杂技术2测验1、【单选题】能够挑选出唯一需要注入离子的部分是（）。本题答案：【磁分析器】2、【单选题】磁分析器挑选出来的离子，为了达到所需要的能量，通过要经过（）。本题答案：【加速器或者加速管】3、【单选题】离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离，称为（）。本题答案：【离子射程】4、【单选题】空间电荷中和解决了（）问题。本题答案：【离子束膨胀】5、【单选题】能够使注入的离子偏转，中性原子被收集的是（）。本题答案：【中性束流陷阱】6、【单选题】离子注入后，杂质的浓度分布基本符合（）。本题答案：【高斯函数】7、【单选题】作为掺杂的几种方式中，适合低温工艺并不受固溶度限制的是（）。本题答案：【离子注入】8、【多选题】退火的作用是（）。本题答案：【激活杂质#修复晶格损伤】9、【判断题】离子注入通过扫描系统时，必须注意硅片表面的充电情况，因为它导致电荷积累，会氧化层发生击穿现象。本题答案：【正确】10、【判断题】离子注入与扩散工艺相比，具有很好的均匀性，注入杂质纯度比较高，并且杂质浓度更容易控制。本题答案：【正确】第八章金属化与平坦作业1、【单选题】双大马士革工艺中，采用（）代替刻蚀。本题答案：【CMP】2、【单选题】平坦化时，先填充一层牺牲材料，再进行高处刻蚀的方法是（）。本题答案：【反刻】3、【单选题】采用离心力来填充图形地处，温度比较低，能够获得表面形貌的平滑效果的平坦化技术是（）。本题答案：【SOG】4、【单选题】下列选项中（）不属于传统平坦化技术范畴。本题答案：【CMP】5、【多选题】IC采用铝互连系统时，下列（）（）方法可以避免Al-Si的尖楔现象。本题答案：【在淀积的铝膜中掺入约1%的Si；#在淀积铝之前先淀积一层阻挡层；】6、【多选题】CMP工艺中，常用的终点检测方法有（）。本题答案：【电动机电流终点检测#光学干涉终点检测】7、【判断题】反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。本题答案：【错误】8、【判断题】CMP后要进行清洗，主要采用去离子水进行冲洗。本题答案：【正确】9、【判断题】CMP既有机械研磨又有化学作用。本题答案：【正确】10、【判断题】平坦化就是一种去除表面凹凸，使晶片表面保持平整平坦的工艺。本题答案：【正确】阶段考试1（第一章~第三章）1、【单选题】8英寸硅片的直径大约（）mm。本题答案：【200】2、【单选题】第一块集成电路（）年发明。本题答案：【1958】3、【单选题】过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（）。本题答案：【SC-1】4、【单选题】1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（）个。本题答案：【1000】5、【单选题】下列半导体属于第三代半导体的是（）。本题答案：【氮化镓】6、【单选题】掺入P元素的半导体为（）型半导体本题答案：【N】7、【单选题】高效过滤器的英文简称是（）。本题答案：【HEPA】8、【单选题】体心立方晶胞原子的个数是（）。本题答案：【2】9、【单选题】当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。本题答案：【CZ法】10、【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。本题答案：【三氯氢硅的氢还原法】11、【多选题】尘埃的测量方法有（）。本题答案：【重量法#过滤法#计数法】12、【多选题】从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（）。本题答案：【111#110#100】13、【多选题】最常用的形成N型半导体的杂质有（）。本题答案：【Sb#As#P】14、【多选题】多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。本题答案：【要有排列标准#原子具有一定的动能，以便重新排列#排列好的原子能稳定下来】15、【多选题】单晶硅的单参数测试包括（）。本题答案：【导电类型#少子寿命#载流子迁移率#电阻率】16、【判断题】微电子是研究电子在半导体和集成电路中的物理现象、物理规律及其应用的学科。本题答案：【正确】17、【判断题】CD(CriticalDimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。本题答案：【正确】18、【判断题】乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。本题答案：【错误】19、【判断题】由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的小。本题答案：【错误】20、【判断题】单晶生长过程中使用到的籽晶的作用是作为排列的标准。本题答案：【正确】阶段测验21、【单选题】MOS的中文含义是（）。本题答案：【金属氧化物半导体】2、【单选题】LDD的中文含义是（）。本题答案：【轻掺杂源漏】3、【单选题】要产生1000埃厚度的二氧化硅，需要消耗（）厚度的硅。本题答案：【440埃】4、【单选题】以下（）选项不属于掺氯氧化的功能。本题答案：【氧化速率比在纯氧中低】5、【单选题】下面氧化方式中（）氧化方式的氧化速率最快。本题答案：【水汽氧化】6、【单选题】热氧化法生成二氧化硅线性速率常数是（）。本题答案：【B/A】7、【单选题】通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。本题答案：【化学气相淀积】8、【单选题】CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。本题答案：【硅烷】9、【单选题】PECVD的含义是（）。本题答案：【等离子体增强化学气相淀积】10、【单选题】以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。本题答案：【气相外延】11、【多选题】增加热氧化速率的方法有（）。本题答案：【增加氧化剂压力#提高温度#进行掺杂#选用合适的氧化方法，例如湿氧氧化】12、【多选题】双极型集成电路制造过程中包括（）等基本工艺。本题答案：【氧化#扩散#光刻#掺杂】13、【多选题】氧化层表面的缺陷有哪些？本题答案：【斑点#裂纹#白雾】14、【多选题】外延层厚度的测量方法有（）。本题答案：【称重法#层错法#磨角法#红外干涉法】15、【多选题】可用于制备二氧化硅薄膜的CVD方法有哪些？本题答案：【APCVD#LPCVD#PECVD】16、【判断题】阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。本题答案：【错误】17、【判断题】局部场氧化工艺的缺陷是在氮化硅下面的氧化物生长形成鸟嘴形状。本题答案：【正确】18、【判断题】热氧化反应一般发生在硅和二氧化硅的界面。本题答案：【正确】19、【判断题】薄膜淀积时，衬底必须是单晶的。本题答案：【错误】20、【判断题】如果hgks，CVD速率受质量输运控