混合集成电路装调工题库（初级工）

中国兵器工业集团职业技能等级认定

混合集成电路装调工种初级工

理论知识试题库

一、选择题

1.厚膜HIC的主要制造工艺包括：（。

）A制版、网印、调阻、健合、封盖、测试

B成膜、调阻、组装（粘片、键合或表面贴装）、封装

C光绘制版、网印烧结、激光微调、粘片键合、平行缝焊、测试筛选

2.下列材料中属于厚腴HIC用直接材料的是：（）

A陶瓷基片、厚膜浆料、导电环氯、芯片、硅铝丝、外壳。

B网版、基片、浆料、探针、环氧、电容、芯片、金丝、瓷盖、引线。

C基片、浆料、酒精、氟油、环氧树脂、片式电容、IC芯片、金丝、外壳。

3.首件三检的主要目的是：（）。

A保证所加工的第1只电路的正确性

B使人、机、料、法、环处于受控状态

C防止产品出现批次性质量问题

4.对于厚膜HIC用的有限寿命材料•，（）。

A达到规定的有效贮存期限，就不能再投入使用

B虽超过了有效贮存期限，但没有变坏，就可以继续使用下去

C虽达到有效贮存期限，但经过一次及时的过期复验且是合格的，则可以适度延长其

使用期限

5.厚膜HIC工艺线中，有暗室或避光要求的工作间有：（）。

A制版、网印、键合、测试

B光绘、制版、激光、中测

C筛选评价、制版、激光、键合、SMT

6.厚膜HTC工艺线中，有防静电要求的工艺包括：（）

A筛选评价、有源微调、粘片键合、表面贴装、中测成测。

B光绘、直描、网印、键合、测试

C筛选评价、网印烧结、激光调阻、粘片键合、SMTo

7.在工艺加工或之前，发现了产品在上一工序的质量问题时，（）。

A应及时送交上一工序的检验员或操作员，让其进行有效的处理或挑选剔除不合格品

后，再继续或开始本工序的加工

B应停止或不进行加工，靖线组长来协调处理

C应停止或不进行加工并填写产品''质量信息单”交质管员，等待处理意见

8.浅腔盖板式金属外壳封装厚膜HIC的简要组装、封装加工流程一般为：（）o

A粘片一键合一封盖一测试

B外贴元器件与基片粘接一内引线键合一电路衬底与外壳粘接一外引线键合一中间测

试一平行缝焊一细、粗检漏一成品测试。

C清洗基片、外壳一基片与外壳粘接一粘片一内、外引线键合一修片一平行缝焊一电

测试一七室筛选。

9.测某一电路时需要60V的直流电源，但实验室只有两台输出电压最大为35V的直流电源。

应将这两台电源（）使用以获得60V的直流电源。

A并联B串联C串联或并联

1（）.在检修电子设备时.，通过测量电路中各晶体管三个甩吸对地电压来判别管子的工作状态。

请选出下列哪个管子（NPN管）工作在放大区（）。

AVb=2.73V、Ve=2.0V\Vc=2.3VBVb=2.73V、Ve=2.0V\Vc=10.OV

CVb-2.73V,Vc-3.DV、Vc-15VDVb-2.73V,VL2.73V、Vc-5V

11.正弦交流信号的有效值等于峰值的（）倍。

A1/2B0.707C9/10

12.厚膜HIC工艺加工依据的主要文件资料是：（）o

A工艺规程和检验规程

B产品图册、工艺文件、检验文件、工艺规程、检验规程

C版图、工艺流程图、详细规范、工艺规程、检验规程

13.厚膜HIC包装要求做到的四防主要是：（）。

A防摔、防火、防潮湿、防泄漏

B防震、防潮、防腐蚀、防静电

C防混装、防丢失、防松动、防损伤

14.操作过程中，防止污染和损伤产品外观的最有效方法是：（）。

A取片前净手

B带上干净的乳胶指套或白色汗布手套操作

C用不锈钢镣子央取电路

15.GJb548A中规定，与元件脱离基板相反的方向是：（）。

AXI方向BY1方向CY2方向

16.厚膜HIC工艺加工的“受控环境”是指：（）。

A除最大允许相对湿度（RH）不超过65%外，与1000级洁净环境要求相符合的环境

B通高纯度氮气的封闭环境

C温度、湿度、洁净度受控且有防静电措施的环境

17.型号为CT41G-X7R-0805-50VT03-J片式电容器的容直、容差（精度）分别为:（）

AlX103pF.±5%。BlOOOOpF.±10%。C0.01±5%o

18.厚膜HIC包装要求做到的四防主要是：（）o

A防摔、防火、防潮湿、防泄漏B防震、防潮、防腐蚀、防静电

C防混装、防丢失、防松动、防损伤

19.用HZ2790型LCR数字电桥测试1PF以上电解电容时，电桥的频率档位和串、并联设置

分别为：（）

A100Hz.串联B100Hz、并联C1kHz、串联

20.在电路参数均相同的情况下，试比较共射、共集、共基三种基本电路的高频性能（）。

A共射电路高频性能最好B共集电路高频性能最好C共基电路高频性能最好

21.当对PCb金属化孔质量有疑义时，除开镜检外，要用万用表（）档来测量。

A直流电压B交流电压C电流D电阻

22.PCb表面布线，导线断裂宽度不超过（）线宽可接收。

A50%B25%C75%

23.立式元件插装，元件底部应离焊盘高度在（）

A0.5〜1.5mmB1.0〜2.0mmC0.4〜1.5mm

24.立式元件插装倾斜度不超过15°或器件底面和板子面最小距离不小于（）,最大距离

不大于（）o

A0.3,1.0mmB1.0,3.0mmC0.25,2.0mm

25.厚膜电阻激光切割后，功率电阻有效宽度晅与设计宽度W相比W（）WK

AW121/2WBW1WI/2WCW-1/2W

26.人在相对■湿度为10〜20%的地毯上行走，会产生大约（）V电压。

A35000B12000C6000

27.芯片镜检是集成电路生产过程中（）内容之一。

A技术管理B生产管理C质量管理

28.按GJB548A—96方法2010A规定，半导体芯片镜检（外来物质除外）显微镜放大倍数为

倍（）。

A30-60B75〜130C160-300

29.中测打点印迹暴裂脱落其原因为烘片时间（）O

A过长或温度过高B不够或温度过高C过长或温度不够

30.二进制无符号数（10101）转换成十进制数为（）.

A11B21C31

31.塑料封装属于（）封装。

A非气密性封装B半气密性封装C气密性封装

32.静电电场的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象是（）＜,

A静电B静电放电（ESD）C静电敏感度D静电敏感器件（SSD）

33.表面电阻在108~1014。/口之间的材料是以下哪种材料（）。

A静电导体B抗静电材料C导电材料D绝缘材料

34.静电敏感器件安全电压为（）V。

A100B200C300

35.中测时大圆片上针迹过大或过深是由于（）.

A针尖离圆片表面太远或针尖过粗B针尖离圆片表面太近或针尖过粗

C针尖离圆片表面太近或针尖过细

36.成品电路测试工艺规范规定，高（或低）温测试时，从高（或低）温箱中逐个取出的电

路应在（）秒内测试完毕。

A15B20C30

37.成品电路测试工艺规范规定，高（或低）温测试时，电路应在高（或低）温箱中恒温（）

分钟才能测试。

A20B30C40

38.成品电路内包装要求做到的四防主要是：（）

A防摔、防火、防潮湿、防泄漏B防震、防潮、防腐蚀、防静电

C防混装、防丢失、防松动、防损伤

39.电路测试过程中的“受控环境”是指：（）

A与10000级洁净环境要求相符合的环境。

B通高纯度氮气的封闭环境。

C温度、湿度、洁净度与要求相符合，且采取防静电措施的环境。

40.关于测试注意事项，下列叙述不正确的是：（）

A测试仪器、设备外壳应可靠接地，工作台面应铺防静电胶垫。

B测试仪表不用时应将其量程及旋钮均置于最小档位。

C测试内含CMOS芯片的电路，应配戴可靠接地的防静电腕带。

41.要测试电路的工作电流，一般电流表接在（）

A电源和电路电源端之间B电源和电路输入端之间C电源和电路输出端之间

42.在公称单位中，除基本单位外，常用一个字母加基本单位的方式代表不同级别的单位，

以卜.字母按由大到小量级排列顺序正确的是：（）

Ak,G,m,M,n,P,p

BG,k,M,m,n,u,p

CG,k,m»M,n,u,p

I）G,M,k,m,,n,p

43.平行缝焊属于（）封装。

A非气密性封装B半气密性封装C气密性封装

44.场效应管中用来调控沟道电阻的电极（）。

A栅B集电极C漏I）源

45.科研项目和工艺课题等项目在鉴定（验收）后的（）个工作口内完善文件材料的修改，

并按归档要求办理完毕档案“预立卷”的移交手续，档案部门应在30个工作日内完成档案

组卷、上架等工作。

A20B30C60D10

46.试样产品需要编制技术要求或技术协议书、采购清单、电路原理图和版图、工艺指导书

等文件外，还包括（）：

A详细规范B老炼文件C测试规程I）检验文件

47.表面电阻在105〜10EQ/口范围的物体是（）

A静电导体B抗静电材料C导电材料D绝缘材料

48.体电阻率不大于108Q・cm或者表面电阻在1X105Q/口以下的材料是（

A静电导体B抗静电材料C导电材料D绝缘材料

49.以下哪种封装形式的电路需要做密封试验（）

A塑封B环氧树脂灌封C平行缝焊封装D前面三种都不需要

50.以下哪个是频率的单位（）

AABSCVDHz

51.PN结的温度特性为随着温度升高，PN结的正向电压减小，其温度系数为（）。

ATmV/℃左右B-2mV/℃左右C-3仙/℃左右D-4mV/℃左右。

52.晶体三极管具有放大作用的外部条件是（）。

A发射结、集电结均正偏B发射结正偏、集电结反偏

C发射结反偏、集电结正偏【）发射结、集电结均反偏

53.场效应管除了具有输入电阻大以外，还具有一种特殊性质，该特殊性质指的是（）。

A零温度特性B负温度特性C正温度特性

54.试比较NPN三极管反向击穿电压BVCBO、BVEBO、BVCE0的大小（）,.

ABVCBO^BVEBO^BVCEOBBVEBO^BVUEO^BVCBO

CBVCEO^BVCBO>BVEBODBVCBO>BVCEO^BVEBO

55.在电路参数均相同的情况卜，试比较共射、共集、共基三种基本电路的高频性能（）。

A共射电路高频性能最好B共集电路高频性能最好C共基电路高频性能最好。

56.在检修电子设备时，通过测量电路中各晶体管三个电吸对•地电压来判别管子的工作状态。

请选出下列哪个管子（NPN管）工作在放大区（）。

AVb=2.73V>Ve=2.0V\Vc=2.3VBVb=2.73V、Ve=2.0V>Vc=10.0V

CVb=2.73V、Ve=3.0V、Vc=15VDVb=2.73V、Ve=2.73V、Vc=5V

57.某一运算放大器的开环增益为105倍，用db（公贝）表示，等于（）db0

A100B200C300

58.测某一电路时需要6（）V的直流电源,但实验室只有两台输出电压最大为35V的直流电源。

应将这两台电源（）使用以获得60V的直流电源。

A并联B串联C串联或并联

59.正弦交流信号的有效值等于峰值的（〉倍。

A1/2B0.707C9/10

60.运算放大器电路的-3db带宽实际上是使增益下降至直流增益的（）倍时的频率。

A0.5B0.607C0.707

61.在运算放大器应用中，负反馈的共同特点是（工

A反相端输入信号B反馈接在反相端C反馈网络由线性元件组成

62.二阶高通滤波器的幅频特性中，带外衰减值为（）。

A+40dB/+倍数B+20dB/+倍数C-40dB/+倍数D-20dB/+倍数

63.示波器探头中的微调电容可用于调节信号高频特性补偿量，使用时，可用示波器自身输

出的良好的示波信号加到示波器，若补偿良好，应显示下图波形（）。

64.（）比例放大电路中集成运算放大器的反相输入端为虚地点。

A相同B反相

65.下列器件中，有源器件是（）。

A电阻B电容C晶体管

66.放大电路中输出的电压和电流是（）提供的。

A电源的能量B有源器件

67.下列数字代码中，何种代码不是双极性代码。（）

ABCD码B偏移二进制码C2的补码

68.在采样定埋中，采样频率fs与最大信号频率fimax的关系为（）。

Afs=fimaxBfsW2fimaxCfs^2fimax

69.在T型网络D/A转换器中，网络电阻是由下列两种电阻组成。（）

AR与RBR与2RCR与3RI）2R与3R

70.8位D/A转换器的分辨率为（）。

A1/8B1/16C1/255D1/256。

71.在数字系统中，经常要用到可以存放数码的部件叫什么？（）

A数码寄存器B移位寄存器C缓冲器

72.脉冲数字电路中最基本的单元电路是什么？（）

A逻辑门电路B三极管开关电路C放大电路

73.数字电路是利用晶体管的那种特性？（）

A截止区和放大区B截止区和饱和区C放大区和饱和区

74.有两个TTL与非门组件，请选择抗干扰能力强的组件是（）。

A关门电平为1.IV、开门电平为L3VB关门电平为0.9V、开门电平为L7V

75.电路具有通路（负载）、短路、开路（空载）三种状态，三种状态下的电源端电压分别是

（）。

AU=E-IRo,U=E,U=0BU=E-IRo,U=0,U=ECU=E,U=E-IRo,U=0

76.静电系统必须有独立可靠的接地装备，接地电阻应小于（）

AIQB10QC100QDIkQ

77.设备和工作台的接地应采用截面积不小于（）的多股敷塑导线。

A100mm2B6mm2C1.25mm2；Dlmm2

78.防静电工作区环境相对湿度不低于（）

A25%；B35%；C45%；D60%

79.导电环氧除了具有粘接（物理连接）的功效外，还具有（）功能。

A电学连接B绝缘C灌封

8（）.球形引线健合方式是

A金丝B硅铝丝C合金丝

81.电阻H星单位，1MC等于（

A10B100C1000D10000

82.PED单管测试MOS管电路时,BE间应串接（）电阻

AIMB100KC10KI)IK

83.中测对针迹的要求：不能超过压焊点宽度的（）

A四分之一B三分之一C一半D四分之三

84.成品测试工房相对湿度要求（）

A35%〜aB45%〜75%C40%〜60%D43%〜80、

85.进行高、低温测试时，将电路放入箱内恒温（）分钟后，才可进行测试。

A15B30C60D120

86.标准样片（样品电路）每（）必须进行复验。

A1个月B3个月C6个月D12个月

87.一般情况下，错材料二极管正向导通电压在（）左右

A0.3VB0.5VC0.7V1）IV

88.硅材料二极管正向导通电压在（）左右。

A0.3VB0.5VC0.7VDIV

89.电流计量单位，1A等于（）yAo

A103B106C109

90.通常情况下，二极管管芯的衬底为（）极

APBCCN

91.三极管管芯的衬底为­）极。

APBCCN

92.触发器最重要的用途之一是构成（）电路。

A开关B计算C存储D计数

93.防静电腕带对地电阻应在（）之间。

A1MQB10MQC1KQD1Q

94.电容容值换算，68nF=（）uF。

A6.8B0.0068C0.68D0.068

95、检验时，芯片表面有划伤，使得铝条宽度小于设计值的（）与为不合格。

A25B50C70D80

96.封装工艺环境洁净度的要求最低（）级

A千B万C10万D100万

97.在工艺加工或之前，发现了产品在上一工序的质量问题时，（）。

A应及时送交上一工序的检验员或操作员，让其进行有效的处理或挑选剔除不合格品

后，再继续或开始本工序的加工。

B应停止或不进行加工，请线组长来协调处理。

C应停止或不进行加工并填写产品“质量信息单”交质管员，等待处理意见。

98.原始记录填写错误后，应当：（）。

A擦除错误后重写B重新填一份记录C杠除错处，补填正确，就近签署

99.操作过程中，防止污染和损伤产品外观的最有效方法是：（）。

A取片前净手B带上干净的乳胶指套或白色汗布手套操作。

C用不锈钢镣子央取电路

100.生产现场管理的重点是：（）

A作业现场B设计室C办公室D环境

101.关键工序应由（）部门确定。

A设计B工艺C计划D质量

102.设备维修保养中的“二保”分别由（）负责。

A操作工人B维修工人C设备主管

103.生产管理的总体目标是（）

A生产优质产品B降低产品成本

C保证交货日期D实现生产合理化

104.下面哪一种器件最易受到静电伤害（）

A二极管B三极管C场效应管D电阻E电容

105.两只l（）uF和40uF电容，并联后容值是（）

A50HFB30UFCIOHFD40UF

106.两只电容的耐压值分别是16V和25V,并联使用后耐压值是（）

A16VB25VC40V

107.某恒压恒流直流电源的输出电流最大限制在10A,电压输出设为10V,若负载电阻是0.5

按下电源输出按纽后，实际输出电压应为（）

A10VB5VC0V

108.QCI是指：（）

A合格制造厂目录。B合格产品目录。C质量一致性检验。

109.“方法1010A温度循环”条件B是如下哪一种条件？（）

A-55℃〜85℃,10次B-55℃〜125℃,15次C-55c〜125C,10次

110.“方法2020A粒子碰撞噪声检测试验”的目的是用于检测空封电路腔体内是否存在

（）。

A可动多余物B不可动多余物C可动和不可动多余物

111.“方法2010A内部目检”适用于（）的内部目检。

AHICBSICCSIC和HIC

112.成品电路测试工艺规范规定，高（或低）温测试时，从高（或低）温箱中逐个取出的电

路应在（）秒内测试完毕。

A15B20C30

113.下列试验（）是破坏性试验。

AX射线照相BPINDC耐湿I）外部目检

114.对于存放成品库房的电路存放（）需对其功能进行重新检验。

A36个月B24个月C12个月

115.当质量记录出现笔误时应采取（）方式。

A粘贴B刮擦C剪除D划改

116.外部目检时，对于玻璃密封器件应在（）的放大镜下检查。

A1.5〜10倍B3〜10倍C7〜10倍

117.半导体工艺生产使用的纯水电阻率要求达（）。

A18兆欧B17兆欧

118.高纯氢气中的水含量应该是

A小于3PpMB小于2.6PPMC小于2.OPPM

119.我们一般指三相四线制交流电系统中，380V的电压是（）。

A线电压B相电压

120.通常所指的低压交流电压为380、220是指它的（）。

A平均值B有效值C最大值I）瞬时值

12L一个输出电压几乎不变的设备有载运行，当负载增大时，是指（）

A负载电阻增大B负载电阻减小C电源输出的电流增大

122.目前我国城市居民供电网提供照明用的相电压和线电压分别为（）

A220V240VB220V380VC240V220VD380V220V

123.我国规定的安全电压额定值分为几个等级？（）

A3个E4个C5个D6个

124.交流异步电动机的短路保护一般采用（）。

A热继电器B熔断器C交流接触器

125.氟碳化合物粗检漏时，加压氟碳油应该是（）。

A低沸点氟碳油B高沸点氟碳油C高沸点和低沸点氟碳油都可以

126.GJb548中规定，与元件脱离基板相反的方向是：（）

AXI方向BY1方向CY2方向

127.“方法5004A筛选程序”适用于下列哪类军品（）?

AHICBSICCMCM

128.“方法2015A耐溶剂性”属于哪类试验项目（）？

A环境试验B电学试验C机械试验

129.若无其它规定，在常温测试过程中器件温度应稳定在（）。

A20c〜28cB15℃-30℃C10℃-30℃

130.“方法5008A混合和多片微电路的试验程序”已被（）所代替。

AGJB597ABGJB548ACGJB2438A

131.对于军用IIIC,当提交做QCI的批不满足A、B、C利D组试验的任一分组时，可以对该

分组重新提交一次。重新提交的样品数应是首次检验样品数的（）倍。

A1B3C2

132.低放大倍数是指（）。

A10〜30倍B30〜60倍C20〜50倍

133.当管壳内腔体积为2。.4cm3时，进行细检漏的加压条件为（）。

A压力4Kg、时间2hB压力4Kg、时间4hC压力2Kg、时间2h

134.不能防止空翻的触发器有（

A主从触发器B维持阻塞触发器C力沿触发器DRS触发器

135.在一交流电路中，用电流表测量RC并联电路的电流，若电流表的读数R支路此同时为

4A,C支路为3A,则电路的总电流为（）。

A5AB7AC12A

136.某金属材料制成的导线长10M,对折后两端分别连接起来，其总电阻值是原阻值的（）

倍。

A1/4B4C2

137.两个额定电压为220V的灯泡，若D灯的额定功率为100W,E灯的额定功率为6

0W,两个灯串联接在电压为220V的电路中，此时构个灯的实际功率为（）。

APD>PEBPD<PECPD=PE

138.在下面电路中，若开关SI断开，S2闭合，电压表电流表的读数分别为（）。

A3V,1ABIV,3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

Sic

V

IQ2Q30

-----------------------------------

S2

3V

4----------------ifA

139.在下面电路中，若开关S1闭合，S2断开，电压表电流表的读数分别为（）。

A3V,1AB1V3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

140.在下面电路中,若开关SI、S2都断开,电压表电流表的读数分别为（）。

A3V,1ABIV,3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

141.在下面电路中,若开关SI,S2都闭合，电压表电流表的读数分别为（

A3V,1ABIV,3ACIV,1ADOV,3AE3V,3A

142.在某一电路中，如果某二点间的电压高是指（）.

A这二点的电位高B这二点的间的电位差大C这二点的电位都大于零

143.提高功率因数的目的是（）。

A增加电动机的输出功率B提高电动机的效率C减少无功功率，提高电源利

用率。

144.在单相桥式整流电路中，若有一个管子开路，则会造成电路（）»

A管子烧坏B半波输出C全波输出

145.线圈通过交流电就会产生自感电动势，这个电动势的方向永远同外加的电流方向（）。

A相同B相反

146.下图中为一交流电路,交流电压不变，而电源的频率升高，则A灯泡的亮度变化是（）。

A变亮B无变化C变暗

1

ABC

一夕0

X,

147.以下绝缘体是（）。

A.玻璃B.硫酸C.铭D.铝

148.以下导体是（）

A.纸张B.硫酸C.错D.坡境

149.以下半导体是（）。

A.纸张B.硫酸C.硅D.玻璃

150.电荷之间的相互作用是同种电荷相互（）。

A.吸引B.排斥C.无作用

151,稳压管的稳压区是其工作在（）。

A正向导通B反向截止C反向击穿

152.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A减小温漂B增大放大倍数C提高输入电阻

153.欲从信号源获得更大的电压，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。

A电压串联负反馈B电压并联负反馈

C电流串联负反馈D电流并联负反馈

154.为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。

A带阻B带通C低通D有源

155.制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（）o

ARC桥式正弦波振荡电路BLC正弦波振荡电路C石英晶体正弦波振荡电路

156.欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用（）。

A反相比例运算电路B同相比例运算电路

C积分运算电路D微分运算电路

157.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的（）o

A差模放大倍数数值增大B抑制共模信号能力增强C差模输入电阻增大

158.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负

载上可能获得的最大（）。

A交流功率B直流功率C平均R率

159.在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（）。

A输出电压约为2UDB变为半波直流C整流管将因电流过大而烧坏

160.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏

161.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）0

A耦合电容和旁路电容的存在B半导体管极间电容和分布电容的存在

C半导体管的非线性I）放大电路的静态工作点不合适

162.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。

A共射放大电路B共集放大电路C共基放大电路

163.当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大电踢的增益下降（）。

A3dBB4dBC5dBD2dB

164.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（

A电压串联负反馈B电压并联负反馈

C电流串联负反馈I）电流并联负反馈

165.已知输入信号的频率为10kHz〜12kHz,为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波

电路。

A带阻B带通C低通D有源

166.欲将三角波转换成正弦波，应选用（）。

A高通滤波电路B低通滤波电路

C带通滤波电路D带阻'滤波电路

】67.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载

上可能获得的最大（）。

A交流功率B直流功率C平均功率

168.直流稳压电源中滤波电路的目的是（

A将交流变为直流B将高频变为低频C洛交、直流混合量中的交流成分滤掉

169.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（）。

A电压串联负反馈B电压并联负反馈

C电流串联负反馈D电流并联负反馈

170.互补输出级采用共能形式是为了使（）。

A电压放大倍数大B不失真输出电压大C带负载能力强

171.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约

为（）o

A1WB0.5WC0.2W

172.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A变窄B基本不变C变宽

173.欲得到电流一电压转换电路，应在放大电路中引入（）。

A电压串联负反馈B电压并联负反馈

C电流串联负反馈D电流并联负反馈

174.功率放大电路的转换效率是指（）。

A输出功率与晶体管所消耗的功率之比

B最大输出功率与电源提供的平均功率之比

C晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

175.若要组成输出电压可调、最大输出电流为3A的直流稳压电源，则应采用（）。

A电容滤波稳压管稳压电路B电感滤波稳压管稳压电路

C电容滤波中联型稳压电路D电感滤波中联型稳压电路

176.集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）。

A指标参数准确B参数不受温度影响C参数一致性好

177.对于单管共射放大电路，当f=fL时，输出力与输入”相位关系是（）。

A+45°B-90°C-135°

••

178.对于单管共射放大电珞，当4fH时，输出力与输入4相位关系是（）。

A-45°B-135°C-225°

179.欲从信号源获取尽量大的信号电压，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）。

A电压串联负反馈B电压并联负反馈

C电流串联负反馈D电流并联负反馈

180.差分放大电路是为了（）而设置的。

A稳定AuB放大信号C抑制零点漂移

181.两级共射阻容耦合放大电路的通频带与其中任何一级的通频带相比较，两级的通频带

A更窄一些B更宽一些

C与其中较窄的一级相同I）以上都不对

182.电路如图所示，R1引入的反馈为（）。

A电压串联B电压并联

C电流串联I）电流并联

183.电路如图所示,该电路为（）滤波电路。

A低通B高通C带通D带阻

184.图示电路属于哪种功放？（）。

AOCLBOTLCBTLD以上都不对

185.射极输出器是（）,

A串联电压负反馈电路

B串联电流负反馈电路

C并联电压负反馈电路

D以上都不对

186.整流电路如图所示，变压器副边电压“的有效值是10V,若忽略滤波电感L的电阻,

则负载电压生的平均值■是（）。

187.单相半波整流滤波电路如图所示，其中C=100〃F,当开关S闭合时，直流电压表V的

读数是1（）V,开关断开后，电压表的读数是（）。（设电压表的内阻为无穷大）

A10VB12VC14.1VD4.5V

188.整流电路如图所示，设变压器副边电压有效值为6,输出电压平均值为华,则二极

管所承受的最高反向电压是（

A%B近％c4D短U°

189.测量放大电路的通频带，应用（）。

A通频带内某一频率的交流小信号

B频率很低（如10Hz）且幅值足够大的三角波或锯齿波

C固定的小幅值且足够频率范围的交流小信号

D足够幅值的阶跃信号

190.共射极放大电路的交流输出波形顶部失真时为（）失真。

A饱和B截止C交越I）频率

191.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）。

A5vB9vC12v

192.单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=（）U2。

A0.45B0.9C1.2

193.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）o

A变窄B基本不变C变宽

194.稳压管的稳压区是其工作在（）,,

A正向导通B反向截止C反向击穿

195.当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电反应为（）。

A前者反偏、后者也反偏B前者正偏、后者反偏C前者正偏、后者也正偏

196.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A增大B不变C减小

197.工作在放大区的某三极管,如果当IB从1211A增大到22nA时,IC从1mA变为2mA,

那么它的B约为（）。

A83B91C100

198.当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导且《1将（）。

A增大B不变C减小

199.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（工

A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响

200.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）o

A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性C电源电压不稳定

201.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（

A便于设计B放大交流信号C不易制作大容量电容

202.选用差分放大电路的原因是（）。

A克服温漂B提高输入电阻C稳定放入倍数

203.差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（

A差B和C平均值

204.共模信号是两个输入湍信号的（）。

A差B和C平均值

205.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的（）。

A差模放大倍数数值增大B抑制共模信号能力增强C差模输入电阻增大

206.互补输出级采用共集形式是为了使（

A电压放大倍数大B不失真输出电压大C带负载能力强

207.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。

A可获得很大的放大倍数B可使温漂小C集成工艺难于制造大容量电容

208.通用型集成运放适用于放大（）。

A高频信号B低频信号C任何频率信号

209.集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）。

A指标参数准确B参数不受温度影响C参数一致性好

210.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）0

A减小温漂B增大放大倍数C提高输入电阻

211.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。

A共射放大电路B共集放大电路C共基放大电路

212.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条