电子技术知到智慧树章节测试课后答案2024年秋沈阳职业技术学院

电子技术知到智慧树章节测试课后答案2024年秋沈阳职业技术学院绪论单元测试

半导体有三个基本特性（）。

A:光敏特性B:掺杂特性C:绝缘特性D:热敏特性

答案:光敏特性；掺杂特性；热敏特性

项目一单元测试

本征半导体的导电能力极差，掺入少量三价或五价元素后，导电能力大大增强。（）

A:对B:错

答案:对掺杂少量三价元素的杂质半导体称为N型半导体。（）

A:错B:对

答案:错在一个PN结的两端加上电极引线，外边用金属（或玻璃、塑料）管壳封装起来，就构成

了二极管。（）

A:对B:错

答案:对当温度升高时，二极管的反向饱和电流将减小。（）

A:错B:对

答案:错二极管的特性对温度并不敏感。（）

A:错B:对

答案:错P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。（）

A:错B:对

答案:错稳压二极管的正常工作区是截止区。（）

A:错B:对

答案:错单相桥式整流电感滤波电路中，负载电阻RL上的直流平均电压等于1.2U2。（）

A:对B:错

答案:错整流输出电压经电容滤波后，电压波动性减小，故输出电压也下降。（）

A:错B:对

答案:错下面哪些元件可以组成滤波电路（）。

A:电感B:电容C:二极管D:电阻

答案:电感；电容

项目二单元测试

温度升高时，晶体管的电流放大系数β将增大。（）

A:对B:错

答案:对温度升高时，晶体管的穿透电流ICEO将增大。（）

A:错B:对

答案:对温度升高时，晶体管的发射结电压UBE将增大。（）

A:错B:对

答案:错NPN型和PNP型晶体管的区别是结构不同，且工作原理也不同。（）

A:错B:对

答案:错双极型晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。（）

A:错B:对

答案:错晶体管具有两个PN结，二极管具有一个PN结，因此可以把两个二极管反向连接起来当作一只晶体晶体管使用。（）

A:错B:对

答案:错若要使晶体管工作在放大状态，应使其发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。（）

A:错B:对

答案:对晶体三极管可作为无触点的控制开关使用。（）

A:对B:错

答案:对半导体晶体管通过基极电流控制发射极输出电流，所以属于电压型控制器件。（）

A:错B:对

答案:错三极管结构上的特点是：含有两个背靠背的PN结，发射区掺杂浓度高，基区很薄且掺杂浓度低，集电结面积大等。这些特点是三极管具有电流放大作用的内部条件。（）

A:错B:对

答案:对

项目三单元测试

集成运算放大器符号中，“∞”表示放大倍数为理想条件。（）

A:对B:错

答案:对集成运算放大器符号两个输入端中，“-”表示反相输入端，电压用“u-”表示；符号“+”表示同相输入端，电压用“u+”表示。（）

A:对B:错

答案:对输出端的“+”表示输出电压为负极性，输出端电压用“uo”表示。（）

A:对B:错

答案:错集成运放看作一个理想运放时，输入为零时，输出恒为零。（）

A:错B:对

答案:对集成运放看作一个理想运放时，差模输入电阻rid＝0，差模输出电阻ro＝∞。（）

A:错B:对

答案:错理想集成运算放大器的开环差模电压增益无穷大，共模抑制比非常小。（）

A:错B:对

答案:错理想运放，无论它工作在线性状态还是非线性状态，均有“虚断”特性。（）

A:对B:错

答案:对集成运放只能放大直流信号，不能放大交流信号。（）

A:对B:错

答案:错集成运放在线性应用时，要使其工作在线性状态，并引入深度负反馈。（）

A:对B:错

答案:对在比例运算电路中的Rp是平衡电阻，用于消除失调电流、偏置电流带来的误差，一般取Rp=R1//RF。（）

A:对B:错

答案:对

项目四单元测试

逻辑变量的取值，1比0大。（）

A:对B:错

答案:对数字信号比模拟信号更易于存储、加密、压缩和再现。（）

A:对B:错

答案:对利用数字电路不仅可以实现数值运算，还可以实现逻辑运算和判断。（）

A:错B:对

答案:对基数和各位数的权是进位计数制中表示数值的两个基本要素。（）

A:对B:错

答案:对给出逻辑函数的任一种表示形式，就可以求出其他表示形式。（）

A:对B:错

答案:对在或运算中，1+1=10。（）

A:对B:错

答案:错异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（）

A:对B:错

答案:对若两个函数具有不同的真值表，则两个逻辑函数必然不相等。（）

A:对B:错

答案:对若两个函数具有不同的逻辑函数式，则两个逻辑函数必然不相等。（）

A:对B:错

答案:错当奇