1+X集成电路理论题库及答案

1+X集成电路理论题库及答案一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.平移式分选机进行料盘上料时，在上料架旁的红色指示灯亮的含义是()。A、上料机构故障B、上料架上有料盘C、上料架上有空料盘D、上料架上没有料盘正确答案：B答案解析：平移式分选机进行料盘上料时，上料架上是否有料盘可以通过上料架旁的传感器进行检测。当传感器指示灯为红色时，表明上料架上还有料盘，可以继续进行上料，当传感器指示灯为绿色时，表明上料架上无料盘，停止上料。2.打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的()大小。A、1/4~1/3B、1/3~1/2C、1/4~1/2D、1/5~1/3正确答案：A答案解析：打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的1/4~1/3大小，且墨点不能覆盖PAD点。3.若想取下蓝膜上的晶圆或晶粒，需要照射适量（），能降低蓝膜的黏着力。A、红外线B、太阳光C、蓝色光源D、紫外线正确答案：D答案解析：对需要重新贴膜或加工结束后的晶圆，需要从蓝膜上取下，此时只需照射适量紫外线，就能瞬间降低蓝膜黏着力，轻松取下晶圆或晶粒。4.在进行料盘真空包装时，需要在()上进行。A、平移式分选机B、真空包装机C、测试机D、高温烘箱正确答案：B答案解析：在进行料盘真空包装时，需要在真空包装机上进行。5.元器件的标志方向应按照图纸规定的要求，若装配图上没有指明方向，则应使标记向外易于辨认，并按照（）的顺序读出。A、从左到右、从下到上B、从左到右、从上到下C、从右到左、从上到下D、从右到左、从下到上正确答案：A6.{平移式分选机进行芯片检测时，芯片在该区域的操作完成后会进入()区域。}A、上料B、待测C、测试D、分选正确答案：D答案解析：该图红色所框区域有L字型的测压手臂，为平移式分选机设备芯片检测工艺的测试区域。测试完成后，会根据测试结果进行分选。7.当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“()”键继续吸取一次。A、SKIPB、RESTARTC、RETRYD、STOP正确答案：C答案解析：当测压手臂未吸起芯片，经检查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”键继续吸取一次。8.减薄工艺的正确流程是（）。A、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗B、清洗→压片→原始厚度测量→上蜡粘片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗C、清洗→上蜡粘片→原始厚度测量→压片→二次厚度测量→抛光→减薄→去蜡→清洗D、清洗→原始厚度测量→上蜡粘片→压片→二次厚度测量→减薄→抛光→去蜡→清洗正确答案：D9.探针台上的()处于()状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机，导致晶圆撞击探针测试卡。A、红色指示灯、亮灯B、指示灯、亮灯C、绿色指示灯、亮灯D、红色指示灯、灭灯正确答案：B答案解析：探针台上的指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作，容易引起探针台死机，导致晶圆撞击探针测试卡。其中红色指示灯表示下降，绿色指示灯表示上升，当至少有一盏指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作。10.把塑封后的芯片放到温度为175±5℃的高温烘箱内的作用是（）。A、消除内部应力，保护芯片B、测试产品耐高温效果C、改变塑封外形D、剔除塑封虚封的产品正确答案：A答案解析：注塑之后为了保护芯片，消除内部的应力，我们还需要把塑封后的芯片放到温度为175±5℃的高温烘箱内进行高温固化，一般需要8小时的固化时间。11.重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结果通过（）把结果传回分选机。A、GPIBB、数据线C、串口D、VGA正确答案：A12.下列对重力式分选描述错误的是（）。A、重力式分选机为斜背式双工位或多工位自动测试分选机B、重力式分选机的上料机构主要由上料槽、上料夹具和送料轨组成C、测试方式为夹测D、可以分选BGA封装芯片正确答案：D13.转塔式分选机设备测试环节的流程是：()。A、测前光检→测后光检→测试→芯片分选B、芯片分选→测前光检→测后光检→测试C、测前光检→测试→测后光检→芯片分选D、测前光检→测后光检→芯片分选→测试正确答案：C答案解析：转塔式分选机设备测试环节的流程是：测前光检→测试→测后光检→芯片分选。14.激光打字在打标前需要调整（）的位置。A、显示器和收料架B、场镜和光具座C、场镜和收料架D、光具座和显示器正确答案：B15.{以串行测试为例，假设A,B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯片移动的路线是（）。}A、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D合格轨道→分选梭4→不良品料管；B、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管；C、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C不合格轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管D、A测试轨道→分选梭1→B测试轨道→分选梭2→C测试轨道→分选梭3→D不合格轨道→分选梭4→不良品料管正确答案：D答案解析：重力式分选机进行串行测试时，A,B轨道测试合格，C轨道测试不合格，芯片移动的路线是：分选梭1将A轨道测试合格的芯片送入B测试轨道，B轨道测试合格后，分选梭2将芯片送人C测试轨道，C轨道测试不合格后，分选梭3将芯片送入D不合格轨道，分选梭4将芯片放入不良品料管中。16.编带外观检查的步骤正确的是()。A、检查外观→归纳放置→固定卷盘→编带回料→编带固定B、归纳放置→固定卷盘→检查外观→编带回料→编带固定C、固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料→编带固定D、编带固定→固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料正确答案：B答案解析：编带外观检查的步骤：归纳放置→固定卷盘→检查外观→编带回料→编带固定。17.装有晶圆的花篮需要放在氮气柜中储存的主要目的是()。A、防氧化B、合理利用生产车间的空间C、作为生产工艺的中转站D、防尘正确答案：A答案解析：氮气柜主要是利用氮气来降低湿度和氧含量。将装有晶圆的花篮放在氮气柜中的主要目的是防氧化。18.以下不属于模拟集成电路的是（）。A、稳压器B、功率放大器C、运算放大器D、锁相环正确答案：D19.使用重力式分选机设备进行芯片检测，当遇到料管卡料时，设备会()。A、继续操作B、会自动处理C、停止运行并报警D、只进行报警正确答案：C答案解析：重力式分选机进行芯片检测时，如果遇到料管满管或者卡料时，会出现设备自动停测并报警提示。20.解决铝尖刺的方法有（）。A、在合金化的铝中适当地添加铜B、采用三层夹心结构C、在合金化的铝中适当地添加硅D、采用“竹节状”结构正确答案：C答案解析：解决铝尖刺的方法有在合金化的铝中适当地添加硅。21.“对刀”操作时，点击显示屏上主菜单的（）按钮，使承载盘真空从关闭状态转为开启状态。A、θ角度调整B、开始C、WorkSetD、ManualAlign正确答案：C答案解析：点击显示屏上主菜单的“WorkSet”（设置）按钮，使承载盘真空从关闭状态转为开启状态。点击显示屏上的“ManualAlign”（手动对位）按钮，界面跳转到“切割道调整界面”。点击“22.芯片检测工艺中，管装装内盒时，在内盒上贴有（）种类型的标签。A、4B、3C、2D、1正确答案：C23.第一次在keil软件上写完程序编译时应当点击（）。A、3B、2C、234D、1E、4正确答案：B24.重力式分选机进行芯片检测时，上料的第一步是()。A、设置参数B、吸取芯片C、装料D、上料夹具夹持正确答案：C答案解析：装料是上料的第一步。装料是将待测料管放入上料槽内。装料完成后由上料夹具夹持上料。25.在AltiumDesigner软件设计完电路图后，设计制作样品电路需要用到的文件是（）。A、BOMB、PCBC、ICTD、Gerber正确答案：A26.晶圆切割的作用是（）。A、对晶圆边缘进行修正B、将完整的晶圆分割成单独的晶粒C、在完整的晶圆上划出切割道的痕迹，方便后续晶粒的分离D、切除电气性能不良的晶粒正确答案：B答案解析：晶圆切割将整片晶圆切割成一颗颗独立的晶粒，用于后续集成电路的制造。27.下列对芯片检测描述正确的是（）。A、集成电路测试是确保产品良率和成本控制的重要环节B、所有芯片的测试、分选和包装的类型相同C、测试完成后直接进入市场D、测试机分为数字测试机和模拟测试机正确答案：A28.晶圆检测工艺中，在进行打点之后，需要进行的操作是()。A、加温、扎针调试B、扎针测试C、烘烤D、外检正确答案：C答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。29.低压化学气相淀积的英文缩写是（）。A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正确答案：C答案解析：APCVD是常压化学气相淀积；PECVD是等离子体增强型化学气相淀积；LPCVD是低压化学气相淀积；HDPCVD是高密度等离子体化学气相淀积。30.若进行打点的晶圆规格为5英寸，应选择的墨盒规格为？（）A、8milB、10milC、30milD、5mil正确答案：D31.如果焊接面上有（），不能生成两种金属材料的合金层。A、阻隔浸润的污垢B、氧化层C、没有充分融化的焊料D、以上都是正确答案：D32.元器件的引线直径与印刷焊盘孔径应有（）的合理间隙。A、0.1~0.3mmB、0.2~0.4mmC、0.1~0.4mmD、0.2~0.3mm正确答案：B33.在使用J-link驱动连接单片机是需在魔法棒按钮的（）中设置（）。A、Debug；地址范围B、Debug；工作频率C、Output；地址范围D、Output；工作频率正确答案：A34.干-湿-干氧化过程中，第一次干氧氧化的目的是（）。A、形成所需的二氧化硅膜厚度B、获得致密的二氧化硅表面C、提高二氧化硅和光刻胶的黏附性D、改善二氧化硅和硅交界面的性能正确答案：B答案解析：干-湿-干氧化中，第一次干氧是为了获得致密的SiO2表面，从而提高对杂质的阻挡能力。干氧氧化和湿氧氧化各有自己的特点，在实际生产中往往将这两种方式结合起来，采用干-湿-干的氧化方式，既保证二氧化硅的厚度及一定的生产效率，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。第一次干氧是为了获得致密的二氧化硅表面，从而提高对杂质的阻挡能力。湿氧主要用来形成所需的二氧化硅膜的厚度，提高生产效率；第二次干氧，是为了改善二氧化硅和硅交界面的性能，同时使二氧化硅表面干燥，提高二氧化硅和光刻胶的粘附性。35.芯片检测工艺通常在（）无尘车间内进行。A、百级B、千级C、十万级D、三十万级正确答案：B答案解析：芯片检测工艺是对完成封装的芯片进行电性测试，其芯片为非裸露状态，通常在常规千级无尘车间内进行，其温度为22±3℃，湿度为55±10％。36.“5s”中第4个s是（）。A、整顿B、清扫C、清洁D、安全正确答案：C答案解析：“5S”中第1个S是整理，第2个S是整顿，第3个S是清扫，第4个S是清洁，第5个S是修养。37.以下函数的功能是（）。A、防抖B、延时C、计数D、无限循环正确答案：B38.芯片外观检查前为了防止静电击穿损坏，工作人员必须佩戴（）。A、绝缘服B、绝缘手套C、防静电护腕D、无纺布手套正确答案：C39.下列选项中，（）是封装工艺中不涉及的工序。A、第一道光检B、第二道光检C、第三道光检D、第四道光检正确答案：A答案解析：封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出现废品（崩边等情况）。引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型之后需要进行第四道光检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。二、多选题（共26题，每题1分，共26分）1.在单片机程序装载中，使用SW串口下载程序需注意（）。A、需要在魔法棒按钮的output中设置生成hex文件B、需要在魔法棒按钮的debug中选setting设置地址范围C、需要在魔法棒按钮的outout中设置生成batch文件D、需要在魔法棒按钮的debug中选择sw串口而不是j-link正确答案：BC2.以下属于抽真空质量不合格的情况的是()。（多选题）A、防静电铝箔袋破损B、防静电铝箔袋褶皱C、防静电铝箔袋周边存在空气残留D、防静电铝箔袋外形整齐正确答案：ABC答案解析：如果发现真空包装好的卷盘不整齐或不光滑，有弯曲、变形现象或铝箔袋周边存在明显的空气残留、褶皱、破损等现象，需要重新抽真空。3.以下说法正确的是（）。A、外观检查中发现有不良芯片，要对有缺陷的芯片进行修复，若不能修复则作为外观不良进行处理B、中有不良品或放反芯片，右手先戴上手套，再用刀片将编带槽的上、左、右各割开三分之一盖带，用镊子将该芯片取出并放入不良品收料袋中，然后用零头盒内的合格芯片替换，并用透明粘胶带从替换芯片的右侧，贴至替换芯片的左侧C、不合格的芯片需要用镊子取出，用合格零头进行替换D、当载带设置数量到达极限，无法包装一卷或观察载带没有足够多的数量，不足包装一盘时，可以包装完载带，再更换新的载带正确答案：AB4.封装工艺中，晶圆划片机显示区可以进行（）、（）等操作。A、给其他操作人员发送消息B、设置参数C、切割道对位D、操作过程中做笔记正确答案：BC5.IC制造中用的光刻胶一般由（）组成。A、感光剂B、增感剂C、溶剂D、去离子水正确答案：ABC6.进入芯片封装工艺过程中塑封之后的工序车间必须穿戴的是（）和（）。A、防静电帽或发罩B、眼罩C、口罩D、无尘衣E、防静电服F、一次性橡胶手套正确答案：AE答案解析：塑封工序之后芯片已经被包裹起来，处于非裸露状态，故进入车间前必须要穿戴的是防静电帽子或发罩以及防静电服。7.新建keil环境下工程目录需要添加文件，把Windows目录内的文件一一对应添加到新建的Keil目录内如（）文件。A、HeadersB、CoreC、SrcD、User正确答案：ABCD8.单晶硅生长是将电子级纯的多晶硅转化为单晶硅锭，要实现这一条件需满足三个条件：A、原子具有一定的动能B、要有一个排列标准C、排列好的原子能稳定下来D、不能含有任何杂质正确答案：ABC答案解析：单晶硅生长是把电子级纯的多晶硅转化成单晶硅锭，要实现这一条件必须满足：①原子具有一定的动能，以便重新排列；②要有一个排列标准；③排列好的原子能稳定下来。9.晶圆制造过程中，检测刻蚀质量的好坏，一般通过以下几个方面体现出来：（）。A、刻蚀均匀性B、图形保真度C、刻蚀选择比D、刻蚀的洁净度正确答案：ABCD10.转塔式分选机的上料机构主要由()和()组成。A、振动料斗B、吸嘴C、气轨D、主转塔正确答案：AC答案解析：转塔式分选机的上料机构主要由振动料斗和气轨组成。11.以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是（）。A、注入均匀性B、离子注入剂量C、离子射程D、束流密度正确答案：ABCD12.下列情况中，需要更换点胶头的有（）。A、更换银浆类型B、点胶头堵塞C、点胶头损坏D、点胶头工作超过2小时正确答案：ABC13.晶圆切割机主要由（）、（）和（）三部分组成。A、切割区B、显示区C、清洗区D、气枪正确答案：ABD14.CMP工艺的三大关键因素是()。A、抛光机B、抛光液C、抛光盘D、抛光垫正确答案：ABD答案解析：抛光机、抛光液和抛光垫是CMP工艺的三大关键因素,平坦化前根据研磨的材料以及抛光机性能，选择合适的抛光垫固定在旋转盘上，以及合适的抛光液、清洗液。15.单晶硅生长过程中，无位错正常生长的标志有()、()。A、晶棱随细颈转为宽平B、有反光或细颈某一侧向外鼓起C、长出规定尺寸的细颈D、界面出现抖动的光圈正确答案：AB答案解析：晶棱随细颈缩小转为宽平，并可见有反光或细颈某一侧面向外鼓起，这都是无位错单晶正常生长的标志。长出规定尺寸的细颈是缩颈这一过程。界面出现抖动的光圈是在引晶的过程中，籽晶与多晶硅液面熔接后会出现的情况，熔接后出现抖动的光圈说明温度太高。16.平移式分选机在芯片进入测试环节时，下列是不会在测试区遇到的故障有：()。A、芯片位置放置不正确B、测压手臂未吸取芯片C、吸嘴未吸起芯片D、待测料盘无芯片正确答案：CD答案解析：平移式分选机在芯片进入测试环节时，可能会出现测压手臂未吸起芯片、芯片位置放置不正确等情况，此时分选机界面会显示“异常停止”。平移式分选机的测试区没有吸嘴和待测料盘。17.表征光刻胶的性能指标包括（）。A、灵敏度B、分辨率C、黏附性D、留膜率正确答案：ABCD答案解析：表征光刻胶性能指标包括灵敏度、分辨率、黏附性、抗蚀性、留膜率等。18.抑制通道效应的方法有（）。A、破坏表面硅原子的排列（预先浅注入）B、将晶圆倾斜一定的角度C、表面铺一层非结晶材质SiO2D、进行快速热退火正确答案：ABC答案解析：快速热退火使为了消除晶格损伤。19.以下对重力式分选设备进行并行测试的描述正确的是（）。A、可选择多SITES进行测试B、单项测试且连接一个测试卡C、只能是2SITES进行测试D、多项测试且连接多个测试卡正确答案：AB20.防静电铝箔袋的作用是（）。A、防静电B、防电磁干扰C、防潮D、防水正确答案：ABCD答案解析：防静电铝箔袋具有防静电、防电磁干扰、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特点，可以最大程度地保护静电敏感元器件免受潜在静电危害。21.在LED灯闪烁的任务中，不是点亮8个灯的程序语句是（）。A、PB->OUTEN=0xff00;B、PB->OUTEN=0x00ff;C、PB->OUT=0xff00;D、PB->OUT=0x00ff;正确答案：ABD22.为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）。A、衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖B、用两步外延法C、低压外延法D、降低外延生长温度正确答案：ABC答案解析：降低外延生长温度可以减少外扩散现象，减少外延层的自掺杂现象可采取以下措施：①衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖；②用两步外延法；③低压外延法。23.电子CAD文档一般指原始PCB设计文件，文件后缀一般为（）。A、.SchDocB、.PcbDocC、.DrcD、.GerberDoc正确答案：AB24.晶圆切割完成后需要先经过（）和（）工序，方可进入芯片粘接工序。A、晶圆清洗B、晶圆抛光C、第一道光检D、第二道光检正确答案：AD答案解析：晶圆切割之后需先经过晶圆清洗将切割过程中产生的硅粉尘清除，以及第二道光检将切割过程产生的不良品剔除，方可进入芯片粘接工序25.通常情况下，以下()封装形式的芯片采用重力式分选机设备进行测试。A、LGAB、DIPC、SOPD、QFN正确答案：BC答案解析：通常情况下，DIP封装和SOP封装采用重力式分选机进行测试，LGA封装采用转塔式分选机进行测试，QFN封装采用平移式分选机进行测试。26.以下对重力式分选机设备进行并行测试的描述正确的是()。A、单项测试且连接一个测试卡B、多项测试且连接多个测试卡C、可选择多SITES进行测试D、只能是2SITES进行测试正确答案：AC答案解析：并行测试一般是进行单项测试，可根据测试卡的数量进行1site/2sites/4sites测试。三、判断题（共35题，每题1分，共35分）1.74HC04是反相器。A、正确B、错误正确答案：A2.集成电路测试包括逻辑功能测试和交/直流参数测试。A、正确B、错误正确答案：A3.PB->OUTEN=0x00ff;中I/O设置为0表示输出；1表示输入。A、正确B、错误正确答案：B4.外观检查中发现有不良芯芯片，要对有缺陷的芯片进行修复，若不能修复则作为外观不良进行处理。对于不合格的芯片可以戴上手套取出，用合格零头进行替换。（）A、正确B、错误正确答案：B5.使用重力式分选机进行芯片测试过程中，测试完成后，测试的结果会从测试机传到分选机内，分选机依据测试结果控制分选梭将芯片放入相应的位置。合格芯片由红色透明料管进行收料，而不合格芯片则由白色透明料管进行收料。（）A、正确B、错误正确答案：B6.经转塔式分选机测试的芯片都需要进行编带。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：TO封装的芯片不需要进行编带。7.氮化硅薄膜作为集成电路芯片的钝化保护层，可以保护芯片避免划伤，降低芯片对外界环境的敏感性。A、正确B、错误正确答案：A8.若晶圆贴膜后产生了气泡，则需要将晶圆剔除，否则存在划片时脱膜的风险。A、正确B、错误正确答案：B9.热氧化的层错的形成是在含氧的气氛中，由表面和体内某些缺陷先构成层错的核，然后在高温下核运动加剧，形成了层错。A、正确B、错误正确答案：A10.输出高电平电压测试方法是设置控制端G1、G2G2B为高电平，给定输出管脚-4000uA的电流测量芯片的高电平电压。测试代码如下。（）VOL[0]=cy->_pmu_test_iv(output[0],4,4000,2)；A、正确B、错误正确答案：B11.在使用串口助手烧入程序时会用到Hex文件，keil中的hex不需要设置，程序编译完成后自动生成。A、正确B、错误正确答案：B12.塑封工艺中塑封料的颜色必须是黑色的。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：根据用户需要，环氧塑封料可制成各种不同颜色，一般使用黑、红、绿三种颜色，其中黑色最为常见。13.调整扎针位置时，需利用要摇杆的“粗调”档位进行位置的确定。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：调整扎针位置时，需利用要摇杆的“微调”档位进行位置的确定。14.硅片倒角按其边缘轮廓可分为R型倒角和T型倒角，通常以R型倒角最为常见。A、正确B、错误正确答案：A15.如果发现编带抽真空质量不合格，可以将原标签撕下，贴在新的防静电铝箔袋上。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：如果发现编带抽真空质量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前，需要重新贴标签，新的标签需要重新打印。16.进入芯片检测车间前需要换上无尘衣、发罩等。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：芯片检测工艺通常在常规千级无尘车间内进行，进入车间前穿戴防静电服和发罩即可，无需穿无尘衣。17.导片是在核对晶圆与晶圆测试随件单上的信息一致后，将同一批次的晶圆按片号依次放入常温花篮的过程。A、正确B、错误正确答案：A18.重力式分选机进行手动装料时无需注意芯片管脚方向。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：重力式分选机进行手动装料时，要求芯片引脚朝下，从而保证后续测试顺利进行。19.切筋和成型是属于两道工序，但一般都是在一个设备上一起完成。A、正确B、错误正确答案：A20.防静电铝箔袋中，干燥剂、湿度卡要随料管一起放入。A、正确B、错误正确答案：A21.DIP封装和SOP封装的芯片分选结束后，塞上蓝色塞钉即可。A、正确B、错误正确答案：B答案解析：DIP封装的芯片无需编带，只需要塞上蓝色塞钉直接进入外观检查环节；而SOP封装的芯片要进行编带，为使编带上料时方便，不用塞钉，而是用的是红色气