集成电路制造工艺原理知到智慧树章节测试课后答案2024年秋中山大学

集成电路制造工艺原理知到智慧树章节测试课后答案2024年秋中山大学第一章单元测试

集成电路产业包括三大组成部分，分别是（）

A:集成电路封装B:集成电路设计C:集成电路制造D:集成电路测试

答案:集成电路封装；集成电路设计；集成电路制造衡量集成电路制造工艺先进水平的最主要指标是（）

A:成本B:集成度C:材料D:线宽

答案:线宽集成电路制造产业的两大技术路线是（）

A:高性能化B:等比例缩小C:多样化定制化D:高产出

答案:等比例缩小；多样化定制化1946年美国宾州大学制造的第一台计算机所采用的开关器件是（）

A:场效应晶体管B:双极型晶体管C:继电器D:真空电子管

答案:场效应晶体管产业界采用的晶体管结构类型包括（）

A:叉指型晶体管B:平面型晶体管C:FIN型晶体管D:环栅型晶体管

答案:平面型晶体管；FIN型晶体管；环栅型晶体管

第二章单元测试

提高光学光刻分辨率的方法包括（）

A:增加工艺因子，增加波长，减小数值孔径B:减小工艺因子，增加波长，增加数值孔径C:减小工艺因子，减小波长，增加数值孔径D:增加工艺因子，减小波长，减小数值孔径

答案:减小工艺因子，减小波长，增加数值孔径浸没式光刻工艺的采用液体填充透镜与硅片之间的空间，从而提高分辨率，其主要是改变了哪一个参数（）

A:数值孔径B:光的衍射C:工艺因子D:光波长

答案:数值孔径决定电子束光刻分辨率的最关键因素是（）

A:束斑直径B:电流C:电压D:电子波长

答案:束斑直径X射线光刻工艺最大的优点是（）

A:设备成本低B:穿透深度大C:曝光面积大D:分辨率高

答案:穿透深度大下列光刻方式中，哪种方式需要掩膜的是（）

A:步进扫描投影式光学光刻B:电子束光刻C:X射线光刻D:极深紫外光刻

答案:步进扫描投影式光学光刻；电子束光刻；极深紫外光刻影响电子束光刻分辨率的主要因素包括（）

A:数值孔径B:机械像差C:掩模精度D:色差E:电子像差F:临近效应

答案:机械像差；色差；电子像差；临近效应极深紫外光刻（EUV）技术中，由于极深紫外光波长极短，导致光学系统必须重新设计，与普通紫外光刻技术相比，以下哪些是极深紫外光刻机特有的技术（）

A:反射镜光学聚焦系统B:真空腔体C:反射型掩模D:准分子激光光源E:移相掩模

答案:反射镜光学聚焦系统；真空腔体；反射型掩模极深紫外光刻是现阶段分辨率最高的光刻技术，该技术在原有深紫外光刻技术上进一步开发而成。请问以下技术能否沿用至极深紫外光刻机上？（）

A:步进扫描曝光技术B:浸没式光刻技术C:高数值孔径透镜组D:移相掩膜技术

答案:步进扫描曝光技术；移相掩膜技术邻近效应存在于电子束光刻和X射线光刻。（）

A:对B:错

答案:对影响光刻分辨率的三大因素是：波长、数值孔径和焦深。（）

A:错B:对

答案:错

第三章单元测试

为了提高CF4刻蚀Si对SiO2的选择比，应加入如下哪种比例的气体（）

A:12%H2B:20%H2C:12%O2D:20%O2

答案:12%O22哪种气体可以用于刻蚀Si的各向异性干法刻蚀工艺（）

A:H2B:HFC:CF4D:H2O2

答案:CF43干法刻蚀铝电极应选择哪种气体？（）

A:CF4B:Cl2C:SF6D:HBr

答案:Cl24下面关于刻蚀过程的描述正确为（）

A:在刻蚀过程中，不同方向的刻蚀特性明显相同，称为各向异性刻蚀。B:在刻蚀过程中，不同方向的刻蚀特性明显不同，称为各向同性刻蚀。C:在刻蚀过程中，掩膜和衬底没有参与反应,不会被刻蚀D:湿法刻蚀与干法刻蚀的区别是前者刻蚀剂是溶液，而后者刻蚀剂是气体。

答案:湿法刻蚀与干法刻蚀的区别是前者刻蚀剂是溶液，而后者刻蚀剂是气体。5化学机械抛光工艺用于抛光铜金属布线层所采用的抛光液是（）

A:H2O2+silicaB:KOH+aluminaC:HNO4+aluminaD:NaOH+silica

答案:HNO4+alumina6铝具有成熟的镀膜与刻蚀工艺，是集成电路芯片常见的金属布线材料，请问用如下哪种气体可以有效对铝进行刻蚀？（）

A:SiCl4B:SF6C:CF4;D:Cl2E:BCl3

答案:SiCl4；Cl2；BCl37采用干法刻蚀SiO2的可以选用的气体选择（）

A:C4F8B:CHF3C:CF4D:Cl2E:BCl3

答案:C4F8；CHF3；CF48避免刻蚀过程中出现负载效应（loadingeffect）的措施可以是：（）

A:增加振动B:提升溶液浓度C:提高温度D:提高真空度

答案:增加振动；提高温度；提高真空度9等离子体是用于干法刻蚀工艺的重要载体，请问等离子体里的气体形态包括：（）

A:离子B:活性基团C:中性气体D:电子

答案:离子；活性基团；中性气体；电子10下列关于晶格结构的说法中，正确的是（）

A:硅单晶的晶格结构属于闪锌矿结构B:硅单晶的<111>晶面具有双层密排面C:硅单晶的<100>晶面具有双层密排面D:硅单晶的晶格结构属于金刚石结构

答案:硅单晶的<111>晶面具有双层密排面；硅单晶的晶格结构属于金刚石结构

第四章单元测试

1，以下四种沉积工艺中，台阶覆盖能力最佳的工艺是（）

A:等离子增强化学气相沉积B:常压化学气相沉积C:磁控溅射D:低压化学气相沉积

答案:等离子增强化学气相沉积2铜互连导线的大马士革工艺中，实现铜导线沉积的方法是（）

A:热蒸发B:电镀C:电子束蒸发D:磁控溅射

答案:电镀3粒子质量选择器（MassAnalyzing）常用于哪些工艺设备中？（）

A:电感耦合等离子刻蚀；B:离子注入C:磁控溅射；D:PECVD；E:电子束蒸发；F:磁过滤真空弧镀膜；

答案:离子注入；磁过滤真空弧镀膜；4对于高深宽比的微结构，在镀膜过程中由于薄膜台阶覆盖能力不足，普遍存在存在孔洞堵塞问题，请问如下哪些方法可以解决此问题？（）

A:刻蚀-再沉积B:衬底加热C:准直溅射（加准直栅网）D:高压坍塌

答案:刻蚀-再沉积；衬底加热；准直溅射（加准直栅网）；高压坍塌5溅射法镀膜是采用高能电子轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来沉积在衬底上形成薄膜。（）

A:对B:错

答案:错6,磁控溅射工艺中，入射能量处在什么范围时溅射产额出现饱和现象。（）

A:能量低：打出二次电子B:能量很低，反射C:能量中等，打出原子D:能量高，离子注入

答案:能量高，离子注入

第五章单元测试

1下列哪种沉积方法最适用于钨W金属镀膜工艺（）

A:电子束蒸发B:热蒸发C:等离子增强化学气相沉积D:磁控溅射

答案:等离子增强化学气相沉积2，以下哪几种镀膜工艺必须在真空下进行（）

A:热蒸发B:热化学气相沉积C:原子层沉积D:磁控溅射E:等离子增强化学气相沉积

答案:热蒸发；原子层沉积；磁控溅射；等离子增强化学气相沉积3以下哪几种材料可以采用化学气相沉积工艺制备（）

A:Al铝B:PolySi多晶硅C:Graphene石墨烯D:W钨E:SiO2二氧化硅

答案:PolySi多晶硅；Graphene石墨烯；W钨；SiO2二氧化硅4，化学气相沉积的薄膜沉积速率主要由质量传输限制沉积阶段和反应速度限制沉积阶段决定，其中，化学反应只发生在反应速度限制沉积阶段。（）

A:错B:对

答案:错5，低温沉积SiO2的生长温度低，制备方便，但是膜致密性差，耐潮和抗离子轰击能力较差。（）

A:对B:错

答案:对6,采用CVD方法沉积Si3N4过程中发现薄膜的沉积速率过慢，请问为了提高沉积速率，可通过控制哪些参数以实现调控？（）

A:温度B:生长时间C:气体流量D:气压

答案:温度；生长时间；气体流量；气压

第六章单元测试

1，硅片基于热氧化工艺生成较厚的SiO2的厚度随时间的变化满足（）关系

A:线性B:指数C:抛物线

答案:抛物线2，热氧化工艺中对氧化速率产生影响的因素（）

A:初始氧化层厚度B:温度C:掺杂浓度D:硅片晶向

答案:初始氧化层厚度；温度；掺杂浓度；硅片晶向3热氧化工艺是高温工艺对温度敏感，以下参数会随温度升高而增加的是（）

A:氧化剂的质量输运系数B:杂质缺陷的数量C:氧化剂的扩散系数D:硅和氧的反应速率

答案:氧化剂的质量输运系数；氧化剂的扩散系数；硅和氧的反应速率4湿法氧化工艺中通入H2O的工艺方法包括（）

A:氢气氧气反应生成H2OB:炉中放置水容器C:蒸发水蒸气法D:鼓泡法

答案:氢气氧气反应生成H2O；鼓泡法5硅片表面氧化生成SiO2后，整个硅片的厚度会变厚。（）

A:错B:对

答案:对6干法氧化的氧化速率比湿法氧化更快。（）

A:错B:对

答案:错

第七章单元测试

1、预沉积扩散阶段的杂质浓度分布呈现（）分布

A:高斯B:指数C:余误差

答案:余误差2推进扩散阶段的杂质浓度分布呈现（）分布

A:指数B:高斯C:余误差

答案:高斯高温扩散工艺经过了推进步骤后，硅片中的杂质总量（），表面杂质浓度（），结深（）。

A:增加B:都不是C:不变D:减少

答案:增加；不变；减少4离子注入工艺中，为了避免沟道效应的出现，常采取的方法包括（）

A:非晶化硅片表面B:倾斜硅片角度C:硅片表面氧化SiO2薄层D:热退火

答案:非晶化硅片表面；倾斜硅片角度；硅片表面氧化SiO2薄层5高温扩散工艺中，推进扩散后硅片表面的杂质浓度下降，杂质总剂量不变。（）

A:对B:错

答案:对6高温扩散工艺中，预沉积扩散后硅片表面的杂质浓度不变，杂质总剂量增加。（）

A:对B:错

答案:对7高温扩散工艺中，空位交换模式是替位杂质的主要扩散机制。（）

A:对B:错

答案:对8采用离子注入技术，晶格损伤与注入的能量、质量、靶温、剂量率及靶材料等有着密切的关系。（）

A:错B:对

答案:对9离子注入过程中，大量离子注入硅片，容易在硅片表面形成电荷堆积，其解决方法是（）

A:使入射离子中和成中性原子B:高温热退火C:在硅片附近增加电子中和器，D:硅原子重新结晶

答案:使入射离子中和成中性原子；在硅片附近增加电子中和器，10离子注入过程中，大量高能离子注入硅片，容易导致硅片表面晶格损伤，其解决方法是（）

A:在硅片附近增加电子中和器，B:高温热退火C:硅原子重新结晶D:使入射离子中和成中性原子

答案:高温热退火；硅原子重新结晶

第八章单元测试

1，器件隔离LOCOS工艺中，鸟嘴效应的危害是（）

A:氧原子的侧向氧化扩散B:侵蚀有源区C:杂质再分布D:工艺难度增加

答案:氧原子的侧向氧化扩散；侵蚀有源区；杂质再分布在LOCOS局域氧化隔离工艺中，氧化过程中的氧气横向扩散导致了以下哪种效应的出现（）

A:短沟效应B:鸟嘴效应C:白带效应D:热载流子效应

答案:鸟嘴效应为了避免出现寄生晶体管触发的情况，在器件PN结隔离工艺时常采取的措施是（）

A:减小氧化层厚度B:降低隔离区掺杂浓度C:增加氧化层厚度D:提高隔离区掺杂浓度

答案:增加氧化层厚度；提高隔离区掺杂浓度4浅沟槽隔离（STI）工艺中的氧化隔离层的制备方法是（）

A:化学气相沉积B:原子层沉积C:热氧化D:物理气相沉积

答案:化学气相沉积5深沟道隔离（DTI）的沟道深度的范围（）

A:1-100mmB:1-100nmC:1-100μmD:1-100cm

答案:1-100μm6以下可以用于制作SOI硅片的工艺技术包括（）

A:Silicon-On-Sapphire(SOS，阳极焊接)B:Smart-Cut(智能切割)C:SeparationbyImplantedOxygen(SIMOX，氧离子注入隔离)D:Dielectricisolation(DI，绝缘隔离)

答案:Silicon-On-Sapphire(SOS，阳极焊接)；Smart-Cut(智能切割)；SeparationbyImplantedOxygen(SIMOX，氧离子注入隔离)；Dielectricisolation(DI，绝缘隔离)7STI浅沟道隔离工艺中，增加CMP工艺后可以减少一次光刻和刻蚀工艺。（）

A:错B:对

答案:对

第九章单元测试

1，金属布线按比例缩小会引起的互连延迟问题，避免该问题的方法可以是（）

A:减小电容B:增加电容C:减小电阻D:增加电阻

答案:减小电容；减小电阻2，金属布线按比例缩小会引起的互连延迟问题，为了避免该问题的恶化而提出的解决方案是（）

A:采用高K介质提高绝缘能力B:采用钨降低电阻C:采用铜降低电阻D:采用低K介质减低电容

答案:采用铜降低电阻；采用低K介质减低电容3，在器件尺寸等比例缩小的制造技术升级过程中，出现了低K绝缘介质层材料，其主要作用是（）

A:降低金属层间电容B:减低栅极寄生电容C:降低金属线间电容D:提高栅极绝缘能力

答案:降低金属层间电容；降低金属线间电容3，低k介质用于层间介质以降低层间电容；高k介质用在替代栅氧化层以提高绝缘性能。（）

A:对B:错

答案:对4，为了形成欧姆接触，要对Al互连线和Si衬底进行高温处理，该过程容易出现铝元素溶入硅衬底，导致出现铝钉现象，破坏器件结构。（）

A:对B:错

答案:错5，金的功函数是5.47eV，N型硅的功函数是4.85eV，他们之间形成的金半接触是肖特基接触。（）

A:对B:错

答案:对6如果N型半导体具有比金属更高的功函数，则其金半接触一定是欧姆接触。（）

A:错B:对

答案:对7欧姆接触要求N型半导体必须具有比金属更高的功函数。（）

A:对B:错

答案:错8如果N型半导体的功函数比金属更低，则其金半接触一定不是欧姆接触。（）

A:错B:对

答案:错9.实现肖特