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核磁共振H谱（化学位移）
1/11目录12345化学位移产生化学位移表示方法影响化学位移原因常见基团化学位移例题分析2/111、化学位移产生电子屏蔽效应氢核周围存在不停运动着电子，在外磁场作用下，运动着电子产生一个会与外磁场方向相反感应磁场，抵消了部分外磁场作用，使核受到外磁场作用减小，起到屏蔽作用。在有机化合物中，氢核受核外电子屏蔽作用，使其共振频率发生改变，即引发共振吸收峰位移，这种现象称为化学位移。（不一样氢核，所处化学环境不一样，化学位移值也不相同。）3/112、化学位移表示方法如定义中所提到，不一样氢核，所处化学环境不一样，出峰位置也不一样，其峰位置不便准确测定，故在试验中采取某一标准物质作为基准，以基准物质（通常以TMS作为基准物质）谱峰位置作为核磁谱图坐标原点。计算方程式抗磁屏蔽：原子核外电子在外加磁场感应下产生抗磁场，使原子核实受磁场稍有降低，故此屏蔽称为抗磁屏蔽。设以固定电磁频率扫描磁场强度方式作图，横坐标由左至右表示磁场强度增加方向。若某一官能团氢核抗磁屏蔽较大，则所需磁场强度更强，故可推断出此谱线在其它官能团谱线右方（即相对高场位置）。即谱线为场强为右高左低4/113、影响化学位移原因3.1、诱导效应与质子相连元素电负性越强，吸电子作用越强，质子周围电子云密度越小，屏蔽作用减弱，信号峰在低场出现。诱导效应是经过成键电子沿键轴方向传递，取代基距离越远，诱导效应越弱。多取代基对化学位移影响。5/113、影响化学位移原因3.2、S-P杂化从SP3（碳碳单键)到SP2（碳碳双键）S电子处罚从25%增加到33%，键电子更靠近碳原子，因而对相连氢原子有去屏蔽作用，即共振位移移向低场。3.3、磁各向异性屏蔽区：感应磁场与外磁场方向相反区域；去屏蔽区：感应磁场与外磁场方向相同区域。如图，双键H处于去屏蔽区，故其处于低场。化学位移为4.5-5.16/113、影响化学位移原因3.3、磁各向异性如图，三键是直线构型，H所处感应磁场方向与外磁场方向相反，处于屏蔽区，故其处于高场。化学位移为2-3.如图，苯上六个π电子产生较强感应磁场，H位于去屏蔽区，处于低场。化学位移为6.8-8.7/113、影响化学位移原因3.4、氢键影响键合在杂原子（N、O等）上质子易形成氢键。氢键质子相比于没有形成氢键质子有较小屏蔽效应，共振吸收峰出现在低场。3.5、温度影响3.6、溶剂效应温度：大多数信号共振位置受温度影响很小，但-OH、-NH和-SH在升高温度时形成氢键程度降低，化学位移移向高场。溶剂效应：溶剂磁各向异性和溶质与溶剂之间形
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