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文档简介
第12章集成逻辑门电路12.1
半导体器件的开关特性12.1.1双极型晶体管的开关特性数字电路中常用双极型晶体管和场效应管(MOS)做开关,当输入信号加载到一个输入端时,使另外两端变成开路或短路,电路中就产生了两个电压级别,分别表示二进制的0和1。晶体管开关构成了二进制系统的硬件基础。12.1
半导体器件的开关特性
三极管这种在外加电压作用下,截止和饱和后的稳态模型,它反映了三极管的静态开关特性。
如果三极管工作在截止状态,管子截止,相当于开关断开。
如果三极管工作在饱和状态,管子饱和导通,相当于开关接通。12.1
半导体器件的开关特性1.开关特性a.三极管开关电路图
Rc
Vcc
RB
V11V
V22V
uO10k+-1k
uI+-S5V
动态时,晶体管在截止与饱和两种状态间转换。由于晶体管内部电荷的建立和消散都需要时间,所以集电极电流的变化滞后于基极电压的变化,即iC和uO的变化不能瞬时完成,而是需要时间的。12.1
半导体器件的开关特性b.三极管开关电路波形图ooouoiC
ICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoff
V2
V1ttt
uIa)开关时间延迟时间td——从uI上跳开始到iC上升到0.1ICS所需要的时间12.1
半导体器件的开关特性ooouoiC
ICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoff
V2
V1ttt
uI上升时间tr——iC从0.1ICS上升到0.9ICS的时间接通时间ton——td与tr之和12.1
半导体器件的开关特性ooouoiC
ICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoff
V2
V1ttt
uI存储时间tS——iC从ICS下降到0.9ICS的时间12.1
半导体器件的开关特性ooouoiC
ICS0.9ICS0.1ICSVCCtontoff
V2
V1ttt
uI关断时间toff——ts与tf之和下降时间tf——iC从0.9ICS下降到0.1ICS的时间12.1
半导体器件的开关特性三极管的接通时间ton、关断时间toff,统称为开关时间。开关时间越短,开关速度也就越高。管子的结构工艺,外加输入电压的极性及大小。b)影响开关时间的因素c)提高开关速度的途径制造开关时间较小的管子,设计合理的外电路。12.1
半导体器件的开关特性(a)电路图;(b)电路符号
通常toff>ton、ts>tf。因此控制三极管的饱和深度,减小ts是缩短开关时间,提高开关速度的一个主要途径。
给三极管的集电结并联一个肖特基二极管(高速、低压降),限制三极管的饱和深度,可以大大缩短开断时间。
将三极管和肖特基二极管制作在一起,构成肖特基晶体管,提高电路的开关速度。12.1
半导体器件的开关特性2.三极管反相器
RB1
uo6.8k+-(A)(L)
uI+-
RC330
RB222k
VBB5V+VCC(+5V)反相器工作原理:a.当uI高电平时晶体管饱和导通输出uO0b.当uI低电平时晶体管截止输出uO
VCC12.1
半导体器件的开关特性BJT工作状态uI
uO
低截止高
饱和非门电平表
反相器的输出与输入关系可表示为高低12.1
半导体器件的开关特性12.1.2场效应管的开关特性1.MOS场效应管(MOSFET)的开关特性MOS管的输入电阻很大,电路功耗很小,且MOS管的面积比单极型晶体管要小,可以使复杂的数字系统占用很小的硅片面积,大规模地提高集成电路的集成度。数字电路中普遍采用增强型的MOSFET12.1
半导体器件的开关特性(当漏源电压uDS较高时)b.当uGS大于UT,管子工作在变阻状态,电压uDS较小,相当于开关接通。a.栅源电压uGS小于开启电压UT时,iD=0,管子处于截止状态,相当于开关断开。增强型NMOSFET的工作原理:gsduGSuDSiD12.1
半导体器件的开关特性
在NMOS管的栅极加上电路的最高电压VDD,使管子很好导通。
如果输入电压uI在0V到VDD之间变化,输出电压uO被限制在0V和VDD-UTN之间,输出电压达不到电源值。结论:NMOS传输一个强逻辑0,传输弱逻辑1
PMOS传输一个强逻辑1,传输弱逻辑0
数字电路中,逻辑0的理想电平为0V,逻辑1的理想电平为电源电压。12.1
半导体器件的开关特性2.CMOS反相器PMOS和NMOS在电气和逻辑特性上互补,可以很方便的组成逻辑电路,称之为CMOS电路。
一个NMOS和一个PMOS组成一个互补对12.1
半导体器件的开关特性
uIT1T2+-g2g1s2d2
uO+-d1s1+VDDa.当uI为低电平时输出电压为高电平UOH≈VDD由于MOSFET在截止时,其漏源极间的等效电阻109Ω以上,而导通时,其等效电阻仅几千欧。T1管截止,T2管导通。输出为逻辑112.1
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