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文档简介
2025高考化学复习难题速递之晶胞的计算(2025年4月)
选择题(共20小题)
1.(2025•渝中区校级二模)钻氨配合物对现代配位化学理论的发展有重要意义,[C。(NH3)6]C12的晶胞
结构如图所示,该面心立方晶胞的边长为acm。下列说法错误的是()
A.配合物中心离子C02+的配位数是6
B.该晶体属于混合型晶体
C.配体中H—N—H键角〉NH3分子
4X232Q
D.该晶体的密度为二-/cm3
35
NAxa
2.(2025•江西模拟)二氧化锦(CeO2)可作脱硝催化剂,其立方晶胞如图甲所示。CeO2催化脱硝时,能
在Ce4+和Ce3+之间改变氧化状态,将NO氧化为NO2,并引起氧空位的形成,得到Ce8Oi5(图乙)。下
列有关说法错误的是()
A.CeO2晶胞中,填充在ce,+形成的四面体空隙中
B.若CeO2理想晶胞边长为anm,则CeO2晶胞中Ce“+与最近的O?一的核间距为一anm
4
C.CesOis中n(Ce4+):n(Ce3+)=3:1
D.已知Ce3+占据原来Ce4+的位置,若得到n(CeO2):n(Ce2O3)=8:1的晶体,则此晶体中O?一的
空缺率为10%
3.(2025•河南三模)错酸锢主要用于玻璃、陶瓷工业,可用碳酸锅(SrCO3)和二氧化错(ZrO2)在高温
下反应制得,同时有二氧化碳生成。二氧化错的立方晶胞(图1)、错酸银的立方晶胞(图2)结构如图
所示。设NA为阿伏加德罗常数的值,下列有关说法正确的是()
图1图2
A.CO2属于非极性分子,大it键可表示为it[
5。
90
OQ
B.图2晶胞沿Z轴方向的投影图为DD
C.若a点的原子分数坐标为&3,则b点的原子分数坐标为。1)
一。V23I2277
D.若图2晶体的密度为dg,cm3,则相邻0原子之间的最短距离为三xJ――-x107nm
4.(2025•泸州模拟)一种含镁、银、碳3种元素的超导材料,镁原子和银原子一起构成立方最密堆积(见
图甲,部分原子省略),碳原子只填充在由银原子构成的八面体空隙中。该立方晶胞在xy、xz、yz平面
投影相同(见图乙),◎为。•两种原子投影的重合,晶胞棱长为apm。下列说法错误的是()
B.组成该晶体的化学式为MgNi3c
z,J.3o
C.该晶体的密度为=__r—^75-cm-3
330
NAxaxlO~
D.每个Ni原子周围与其等距且最近的Ni原子数为8
5.(2025•台州二模)化合物W是一种第四周期金属元素M的氧化物,其晶胞类型I在1000C高温下煨
烧时会转换成类型II(晶胞棱夹角均为90°),两种晶胞的体积比Vi:Vu=65:32o下列说法正确的
是()
A.化合物w的类型i与类型n化学式不相同
B.类型i与类型n均为分子晶体
C.类型I与类型n的晶体密度之比为64:65
D.两种类型中的所有原子均有d轨道参与成键
6.(2025•南昌二模)碑化钱的立方晶胞结构如图1,将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其结构
如图n所示。下列说法错误的是()
A.碎化像晶胞中Ga的配位数是4
B.稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为5:32
4V3
C.若图I中Ga-As键的键长为npm,则晶胞边长为飞―Tipm
(5a+27匕+32c)xl021
D.若Mn、Ga、As的相对原子质量分别为a、b、c,则稀磁性半导体材料的密度为
3—g-
8N4xm
一
cm3
7.(2025•达州模拟)氧化亚铜(CU2O)是一种重要的无机化工原料,可应用于陶瓷、玻璃和有机合成催
化剂等领域。有研究表明,CU2O/H2O体系可以很好地催化叠氮和端焕的反应,反应机理如图1所示(含
氮五元环为平面结构)。催化剂立方CU2O晶胞如图2所示。下列说法正确的是()
•Cu
__+_口Cu,0Oo
图1C4O/H2O体系催化反应机理示意图图2立方C^O晶胞示意图
A.N、O、Cu的第一电离能从大到小的顺序是O>N>Cu
B.由图1,该反应前后,2号氮原子的杂化轨道类型同sp2转化sp3
C.由图2,Cu+的配位数为2
144x2
303
D.由图2,若不同微粒间的最小核间距为apm,则晶体密度为——-X105/cm
8.(2025•湖北模拟)某种含乳超导材料的晶胞结构及晶体结构俯视图如图,晶胞参数为xnm、xnm、ynm
(x<y)o下列叙述错误的是()
.Cs
•vCO
Osb
A.基态V原子核外电子的空间运动状态有13种
B.晶体中与Cs原子距离最近的Cs原子有6个
C.该晶体的化学式为CsV3sb5
一,M1
D.若该含帆超导材料的摩尔质量为Mg・molI则该晶体密度为丁x2yxl()-2i9,cnT
9.(2025•承德二模)氧化错(ZrO2)的立方晶胞如图甲所示,La"替代氧化精晶体中部分Zr4+的位置可
得到一种高性能的催化剂,但由于二者离子半径和化合价不同,会导致部分。2一脱离形成“氧空位”以
保证晶体的电中性,如图乙结构单元。ZrO2的摩尔质量为晶胞参数为apm,NA为阿伏加
甲:ZrC)2晶胞乙:La取代Zr后的基本单元
A.La"所带电荷n=3
B.图乙表示的物质化学式为La2Zr2O7
4Mo
C.ZrO晶体的密度为^-cm-3
2330
NAxaxlO-
D.图甲中与Zd+最近且等距的Z/+有6个
10.(2025•宁波三模)CuFeS2中嵌入Na*后形成的化合物X可以用作二次电池正极材料。X的晶胞投影图
如图1、图2所示。己知X晶体中Fe、Cu原子个数比为1:1,下列说法不正确的是()
B.该晶胞中与硫离子距离最近且等距离的钠离子有6个
C.充电时,Na+从X晶体中脱嵌,X发生氧化反应
D.X在空气中加热可能生成Cu2O和Fe3O4
11.(2025春•重庆期中)我国科学家合成了富集nB的非碳导热材料立方氮化硼晶体,晶胞结构如图所示。
下列说法正确的是()
A.该晶胞中含有14个B原子,4个N原子
B.该晶体属于分子晶体
C.该晶体的熔点比晶体硅低
D.B原子周围等距且最近的N原子数为4
12.(2025春•重庆期中)ZnS是一种优良的锂离子电池负极材料。在充电过程中,负极材料晶胞的组成变
化如图所示。
下列说法不正确的是()
A.基态Zn位于周期表第四周期HB族
B.ZnS晶胞中S?一的配位数为4
1
C.LixZnyS晶胞中,Li+和Zn2+之间最近的距离是5apm
5.25x1()32
D.LixZnyS晶胞的密度为---;-----g,cm3
3
aNA
13.阅读下列材料,完成8〜10题:铁及其化合物性质多样,用途广泛。气态氯化铁主要以二聚体形式存
在,用作化工生产催化剂;FeS常用作废水处理剂等;FeS2可用于制备重要的化工原料(NH4)2Fe(SO4)
2;Fe3O4可用作锂离子电池的电极材料,电池工作时Li+嵌入其中生成LiFe3O4;铁氟化钾{K3[Fe(CN)
6]}遇Fe2+反应生成深蓝色沉淀,常用于检验Fe2+。
下列说法正确的是()
A.K3[Fe(CN)6]中提供空轨道形成配位键的是Fe?+
B.FeS处理废水中的Hg2+:FeS+Hg2+=Fe2++Hg+S
C.Fe3O4晶体中嵌入Li+形成LiFe3O4时,部分Fe3+转化为Fe?+
C1\尸
/eFe
一/X\
D.可用如图表示Fe2c16的结构:ClClC1
14.(2025春•苏州期中)铳的某种氧化物MnxOy的晶胞如图所示,而[BMIM/B跖是MnxOy晶型转变的
诱导剂。下列说法正确的是()
A.锅位于元素周期表第4周期VB族
B.该氧化物化学式为Mn2O3
C.当MnxOy晶体有O原子脱出时,出现O空位,Mn元素的化合价升高
D.B方为正四面体构型,且存在配位键
15.(2025•江西模拟)Cui常用于有机合成催化剂、人工降雨剂和加碘盐的碘来源。它的一种制备原理为
2CuSO4+5KI—2CuII+2K2sO4+KI2,Cui的晶胞如图所示。下列叙述错误的是()
y-CuIp-CuIa-CuI
A.等数目的0—Cui、y—Cui晶胞的质量之比为1:2
B.Kl3中阴离子(耳)的中心原子价层电子对数为5
C.a—Cui中1个Cu+与12个Cu+等距离且最近
D.上述反应中,被氧化的物质与被还原的物质的物质的量之比为5:2
16.(2025•湖南模拟)已知石墨是层状结构,Li+可插入石墨层间形成插层化合物。
某石墨插层化合物的晶体结构如图甲所示,晶体投影图如图乙所示。若该化合物的密度为pg/cm3,同
层Li+的最近距离为apm。下列说法错误的是()
A.石墨层中每个六元碳环实际占有2个碳原子
B.该石墨插层化合物的化学式为LiC6
C.石墨中碳碳键的键长为0.5apm
7.9X1031
D.碳层和锂层的最短距离d为pm
Ma?pNA
17.(2025•渭南模拟)硫代硫酸盐是一类具有应用前景的浸金试剂。硫代硫酸根离子。2。手,结构如图1)
可看作是SO厂中的一个氧原子被硫原子取代。MgS2O3-6H2O(M=244g/mol)的晶胞形状为长方体,
边长分别为apm、bpm、cpm,结构如图2所示,设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是()
A.1个[Mg(H2O)6产+中。键的数目为12
976
B.晶体的密度为-7—X1()32.-3
abcN^cm
C.SO歹和S2O歹的键角均为109°28,
D.浸金时与Au+配位,52。歹的1号S原子可作配位原子
18.(2025•皇姑区二模)CaF2、PbO、PtS、ZnS晶胞结构之间的关系如图。在CaF2晶胞结构中所有四面
体空隙(用口表示)都被占据,PbO、Pts、ZnS晶胞看做占据的四面体空隙的数量减半,下列说法正确
A.PbO晶体中Pb与Pb的最短距离和CaF2中Ca与Ca的最短距离相等
B.PbO、PtS、ZnS晶体密度相同
C.PbO、PtS、ZnS晶胞中阳离子的配位数都是4
一一1
D.PtS晶胞中Pt与Pt的最短距禺为一a
2
19.(2025春•荔湾区期中)碳化镁(Mg2C)具有反萤石结构,熔融碳化镁具有良好的导电性。下列叙述
,Q
正确的是()OA«B
A.图中A表示碳元素
B.碳化镁属于共价晶体
C.碳的配位数为8
D.若晶胞中M的坐标为(0,0,0),则P的坐标为得,
20.(2025•沧州二模)近日,科学家研究利用CaF2晶体释放出的Ca?+和F一脱除硅烷,拓展了金属氟化物
材料的生物医学功能。CaF2晶体的晶胞结构如图,下列说法错误的是()
A
Oca2•F~
A.F、Si、Ca元素电负性依次减小,原子半径依次增大
B.OF2与SiO2中含有的化学键类型和氧原子杂化方式均相同
C.图中A处原子坐标参数为(0,0,0),则B处原子坐标参数为弓,
D.脱除硅烷的反应速率依赖于晶体提供自由氟离子的能力,脱硅能力BaF2<CaF2<MgF2
2025高考化学复习难题速递之晶胞的计算(2025年4月)
参考答案与试题解析
一.选择题(共20小题)
题号1234567891011
答案BDDACDCDDBD
题号121314151617181920
答案DCDDCBCCD
一.选择题(共20小题)
1.(2025•渝中区校级二模)钻氨配合物对现代配位化学理论的发展有重要意义,[C。(NH3)6]C12的晶胞
结构如图所示,该面心立方晶胞的边长为acm。下列说法错误的是()
A.配合物中心离子Co?+的配位数是6
B.该晶体属于混合型晶体
C.配体中H—N—H键角>NH3分子
4x2R2
D.该晶体的密度为-----3-g/cm
NAxa
【答案】B
【分析】A.配合物中心离子C(?+有6个NH3配体;
B.该晶体由阳离子和阴离子相互作用而形成;
C.由于孤对电子对成键电子对的排斥力较大,氨气分子中氮原子含有一对孤对电子,而配离子中氮原
子的孤对电子与CO?+形成配位键;
D.氯离子全部在晶胞中,共计是8个,配离子为:8x^+6x2=4,该立方晶胞的边长为acm,[Co
oZ
(NH3)6]C12的相对分子质量是232。
【解答】解:A.配合物中心离子C(?+有6个NH3配体,故A正确;
B.该晶体由阳离子和阴离子相互作用而形成,属于离子晶体,故B错误;
C.由于孤对电子对成键电子对的排斥力较大,氨气分子中氮原子含有一对孤对电子,而配离子中氮原
子的孤对电子与C02+形成配位键,所以配体中H—N—H键角>NH3分子,故C正确;
11
D.该立方晶胞的边长为acm,氯禺子全部在晶胞中,共计是8个,配禺子为:8x号+6x3=4,[Co
oZ
4x2329
(NH3)6]C12的相对分子质量是232,则该晶体的密度为------g/cm3,故D正确;
3
NAxa
故选:Bo
【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。
2.(2025•江西模拟)二氧化电市(CeO2)可作脱硝催化剂,其立方晶胞如图甲所示。CeCh催化脱硝时,能
在Ce4+和Ce3+之间改变氧化状态,将NO氧化为NO2,并引起氧空位的形成,得到Ce80i5(图乙)。下
列有关说法错误的是()
A.CeO2晶胞中,填充在ce,+形成的四面体空隙中
B.若CeO2理想晶胞边长为anm,则CeC>2晶胞中Ce4+与最近的O2的核间距为一anm
4
C.CesOis中n(Ce4+):n(Ce3+)=3:1
D.已知Ce3+占据原来Ce4+的位置,若得到n(CeO2):n(Ce2O3)=8:1的晶体,则此晶体中O?一的
空缺率为10%
【答案】D
【分析】A.在CeO2晶胞中,-填充在ce4+形成的四面体空隙中;
B.晶胞中Ce4+与最近的。2的核间距为体对角线的四分之一;
C.O元素为-2价,根据电中性原则可知;
D.当n(CeCh):n(Ce2O3)=8:1时,Ce个数为10个,O为2X8+1X3=19,当为CeO2时,10
个Ce对应20个O原子。
【解答】解:A.在CeO2晶胞中,填充在ce4+形成的四面体空隙中,故A正确;
B.晶胞中Ce’+与最近的一的核间距为体对角线的四分之一,若CeO2理想晶胞边长为anm,晶胞的
体对角线为百a,则CeO2晶胞中Ce’+与最近的O?一的核间距为Janm,故B正确;
4
C.O元素为-2价,根据电中性原则,Ce80i5中n(Ce4+):n(Ce3+)=3:1,故C正确;
D.当为CeO2时,10个Ce对应20个O原子,当n(CeO2):n(Ce2O3)=8:1时,Ce个数为10个,
20—19
O为2X8+1X3=19,(J2-的空缺率为------x100%=5%,故D错误;
20
故选:D。
【点评】本题考查晶体结构,侧重考查学生晶胞计算的掌握情况,试题难度中等。
3.(2025•河南三模)错酸锅主要用于玻璃、陶瓷工业,可用碳酸锅(SrCO3)和二氧化错(ZrO2)在高温
下反应制得,同时有二氧化碳生成。二氧化错的立方晶胞(图1)、错酸银的立方晶胞(图2)结构如图
所示。设NA为阿伏加德罗常数的值,下列有关说法正确的是()
【答案】D
【分析】A.CO2分子属于直线形,分子中正负电荷重心重合;分子中碳原子提供1个电子,2个氧原
子分别提供1个电子、1对电子形成大TT键,分子有2个三原子4电子大TT键;
B.图2晶胞沿z轴方向的投影,投影图中正方形内部只有白色球灰色球重合在中心位置,其它位置没
有白色球;
上、下底面面心的白色球与体心灰色球投影重叠在正方形的中心,其它4个面心白色球投影在正方形棱
心;
C.若a点的原子分数坐标为4,i,3,则左、下、前定点为坐标原点,结合几何知识可知,b点原
133
子距离左侧面、前平面、下底面距离分别为棱长的二、->
444
D.相交的两个面的面心氧原子距离最近,由几何知识可知,其距离等于晶胞棱长的(|xV2)倍,均
摊法计算晶胞中各原子数目,计算晶胞质量,再结合“质量=密度X体积”计算棱长。
【解答】解:A.CO2分子属于直线形,分子中正负电荷重心重合,属于非极性分子;分子中碳原子提
供1个电子,2个氧原子分别提供1个电子、1对电子形成大n键,分子有2个三原子4电子大it键,
大7T键可表示为海,故A错误;
B.图2晶胞沿z轴方向的投影,上、下底面面心的白色球与体心灰色球投影重叠在正方形的中心,其
它4个面心白色球投影在正方形棱心,选项中投影不符合,故B错误;
C.若a点的原子分数坐标为》,则左、下、前定点为坐标原点,结合几何知识可知,b点原
133133
子距离左侧面、前平面、下底面距离分别为棱长的二、->则b点原子分数坐标为(;、故C
444444
错误;
D.相交的两个面的面心氧原子距离最近,由几何知识可知,其距离等于晶胞棱长的(|xV2)倍,晶
胞中Zr原子数目为8x!=1、Sr原子数目为1、氧原子数目为6x^=3,晶胞相当于有1个"SrZrO3
“,设晶胞棱长为anm,则(88+91+16x3?/7noz=刻义10,em)3义dg・cm解得a=,底率xlO,,
则相邻。原子之间的最短距离为(工XA/5)X(3B^X1O7)nm=(―xJ^-X1O7)nm,故D
2^d-NA2y]d-NA
正确;
故选:D。
【点评】本题考查晶胞结构与计算等,掌握均摊法进行晶胞有关计算,需要学生具备扎实的基础、一定
的空间想象能力与数学计算能力。
4.(2025•泸州模拟)一种含镁、银、碳3种元素的超导材料,镁原子和银原子一起构成立方最密堆积(见
图甲,部分原子省略),碳原子只填充在由银原子构成的八面体空隙中。该立方晶胞在xy、xz、yz平面
投影相同(见图乙),◎为O•两种原子投影的重合,晶胞棱长为apm。下列说法错误的是()
ONi
•Mg
•C
图甲图乙
A.银原子位于立方体的体心和面心
B.组成该晶体的化学式为MgNi3c
213
C.该晶体的密度为…°g
330
NAxaxlO-
D.每个Ni原子周围与其等距且最近的Ni原子数为8
【答案】A
【分析】A.由题意可知,该晶胞结构为'
B.均摊法计算晶胞中各原子数目,进而确定化学式;
C.结合晶胞含有原子数目,计算Imol晶胞的质量,并计算Imol晶胞的体积,再根据密度=等计算;
体积
D.以上底面面心的Ni分析,与之等距且最近的Ni原子处于晶胞4个立面面心位置,而每个面为2个
晶胞共用。
【解答】解:A.碳原子只填充在由银原子构成的八面体空隙中,结合立方晶胞在xy、xz、yz平面投
影(图乙)相同,可知该晶胞结构为'O'"*,镇原子位于立方体的面心,而体心为碳
原子,故A错误;
B.晶胞中位于体心的碳原子个数为1,位于顶点的镁原子个数为8X!=1,位于面心的银原子个数为6x
O
方=3,故该晶体的化学式为MgNi3C,故B正确;
C.Imol晶胞的质量为lmolX(24+59X3+12)g/mol=213g,Imol晶胞的体积为(aX10-10cm)3X
213,cm3
NA,则晶体密度=-----3—=------------------------in3g->故C正确;
iU
(axlOcm)XNANAx(axlO)
D.以上底面面心的Ni分析,与之等距且最近的Ni原子处于晶胞4个立面的面心位置,而每个面为2
个晶胞共用,则每个Ni原子周围与其等距且最近的Ni原子数为4X2=8,故D正确;
故选:Ao
【点评】本题是考查晶胞结构与计算,关键是明确原子在晶胞中位置,需要学生具备扎实的基础、一定
的空间想象能力与数学计算能力。
5.(2025•台州二模)化合物W是一种第四周期金属元素M的氧化物,其晶胞类型I在1000℃高温下煨
烧时会转换成类型II(晶胞棱夹角均为90°),两种晶胞的体积比Vi:Vn=65:32o下列说法正确的
是()
A.化合物W的类型I与类型II化学式不相同
B.类型I与类型n均为分子晶体
C.类型I与类型n的晶体密度之比为64:65
D.两种类型中的所有原子均有d轨道参与成键
【答案】c
【分析】A.类型I、类型II晶胞中每个M原子周围都有6个O原子、每个氧原子周围都有3个M原
子;
B.晶胞类型I在iooo℃高温下煨烧时会转换成类型n,可知它们的熔点高于iooo℃;
C.结合M、O的配位数,确定化学式,均摊法两种晶胞中M原子数目,进而计算两种晶胞的质量关
系,而晶胞的体积比V"Vn=65:32,再根据密度=察计算判断;
体积
D.氧原子没有d轨道。
【解答】解:A.类型I、类型II晶胞中每个M原子周围都有6个O原子、每个氧原子周围都有3个M
原子,二者化学式相同,故A错误;
B.晶胞类型I在1000℃高温下煨烧时会转换成类型II,可知它们的熔点高于1000℃,它们不可能是
分子晶体,故B错误;
C.两种晶胞中M、O的配位数之比为都是6:3=2:1;化学式都是MO2,类型I晶胞中M原子数目
=8xi+4xi+1=4,类型H晶胞中M原子数目为l+8x!=2,则晶胞质量关系:mi=2mn,而晶胞的
ozO
21
体积比Vi:Vn=65:32,贝Upi:pn=^:—=64:65,故C正确;
D.氧原子没有d轨道,不可能有d轨道参与成键,故D错误;
故选:Co
【点评】本题考查晶胞计算,掌握均摊法进行晶胞有关计算,需要学生具备扎实的基础、一定的数学计
算能力与灵活运用知识的能力。
6.(2025•南昌二模)碑化像的立方晶胞结构如图1,将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其结构
如图II所示。下列说法错误的是()
A.碑化镂晶胞中Ga的配位数是4
B.稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为5:32
4^3
C.若图I中Ga-As键的键长为npm,则晶胞边长为飞―几pzn
(5a+27匕+32c)xl021
D.若Mn>Ga>As的相对原子质量分别为a、b、c,则稀磁性半导体材料的密度为
3~9•
8N4xm
一
cm3
【答案】D
【分析】A.以上底面面心的Ga原子分析,其周围最近且等距离的As原子在上、下两层各有2个;
B.均摊法计算图H结构单元中Mn、As原子数目,进而计算二者数目之比;
1
C.由几何知识可知,Ga-As键的键长等于晶胞体对角线长度的二,而体对角线长度等于晶胞边长的遮
4
倍;
D.均摊法计算图II结构单元中Mn、As、Ga原子数目,计算Imol结构单元中原子总质量、Imol结构
单元的体积,再利用密度公式计算。
【解答】解:A.以上底面面心的Ga原子分析,其周围最近且等距离的As原子在上、下两层各有2
个,即碑化线晶胞中Ga的配位数是4,故A正确;
1155
B.图II结构单元中,Mn原子数目为一+-=-,As原子数目为4,Mn、As的原子个数比为-:4=5:
2888
32,故B正确;
1
C-由几何知识可知,Ga-As键的键长等于晶胞体对角线长度的7而体对角线长度等于晶胞边长的日
倍,设彼边长为a,则75ax/=npm,解得a=\^npm,故C正确;
D.图H结构单元中,Mn原子数目为1,Ga原子数目为7X^+5X=*As原子数目为4,Imol结
527
构单元的质量为(-a+-^-b+4c)g,Imol结构单元的体积为NAX(mX1010cm)3,则晶体密度=
8。
(初+各+4c)g_(51+27b+32c)xl()30
-g*cm3,故D错误;
W3
NAx(mxlO~cm)38NAxm
故选:Do
【点评】本题考查晶胞计算,掌握均摊法进行晶胞有关计算,需要学生具备扎实的基础、一定的空间想
象能力与一定的数学计算能力。
7.(2025•达州模拟)氧化亚铜(CU2O)是一种重要的无机化工原料,可应用于陶瓷、玻璃和有机合成催
化剂等领域。有研究表明,CU2O/H2O体系可以很好地催化叠氮和端焕的反应,反应机理如图1所示(含
氮五元环为平面结构)。催化剂立方CU2O晶胞如图2所示。下列说法正确的是()
•Cu
RF+,+书_D个cu小?oR2—qXOO
图1C4O/HQ体系催化反应机理示意图图2立方C^O晶胞示意图
A.N、0、Cu的第一电离能从大到小的顺序是0>N>Cu
B.由图1,该反应前后,2号氮原子的杂化轨道类型同sp2转化sp3
C.由图2,Cu+的配位数为2
144x2
303
D.由图2,若不同微粒间的最小核间距为apm,则晶体密度为——-x105/cm
NA,a
【答案】c
【分析】A.N元素第一电离能比氧元素大;
B.2号N原子价层电子对数为2;
C.Cu+周围有2个氧原子;
D.不同微粒间的最小核间距为apm,即Cu与0之间距离,由几何知识可知,晶胞棱长=4apm,均摊
法计算晶胞中Cu、0原子数目,计算Imol晶胞质量与体积,再根据密度=署计算。
体积
【解答】解:A.N、O都是活泼非金属,而Cu是金属元素,Cu的第一电离能最小,N元素原子2p
轨道为半满稳定状态,N元素第一电离能比氧元素大,则第一电离能:N>O>Cu,故A错误;
B.由结构可知,2号N原子价层电子对数为2,反应前2号N原子采取sp杂化,故B错误;
C.由图可知,Cu+周围有2个氧原子,即Cu+的配位数为2,故C正确;
D.不同微粒间的最小核间距为apm,即Cu与。之间距离,由几何知识可知,晶胞棱长=4apm,晶胞
中,Cu原子数目为4、。原子数目为l+8x^=2,Imol晶胞含有2moicU2O,Imol晶胞质量为21noiX
O
144g/mol,Imol晶胞体积为(4aX10一/m)3XNA,则晶体密度=27nM*什俨=
(4axl0lucm)
2X144,3.kfr口
-------------------ng/cm3,故D错厌;
^x(4axlO-10)
故选:Co
【点评】本题考查晶胞结构与计算,掌握均摊法进行晶胞有关计算,注意同周期主族元素第一电离能变
化异常情况,需要学生具备扎实的基础、一定的空间想象能力与数学计算能力。
8.(2025•湖北模拟)某种含钢超导材料的晶胞结构及晶体结构俯视图如图,晶胞参数为xrnn、xrnn、ynm
(x<y)o下列叙述错误的是()
A.基态V原子核外电子的空间运动状态有13种
B.晶体中与Cs原子距离最近的Cs原子有6个
C.该晶体的化学式为CsV3sb5
D.若该含钮超导材料的摩尔质量为Mg・moli,则该晶体密度为丁-ZyxioWi9,
【答案】D
【分析】A.原子核外电子的空间运动状态等于轨道数;
B.该晶胞中Cs原子位于顶点,由于晶胞参数为xnm、xnm>ynm,且xVy,晶体中与Cs原子距离最
近的Cs原子有6个,位置为;
C.该晶胞中Cs原子的个数为8x!=1,V原子的个数为4*鼻1=3,Sb原子的个数为4+4x1=5;
oZ4
D.该晶胞中Cs原子的个数为1,V原子的个数为3,Sb原子的个数为5,该含钢超导材料的摩尔质量
为晶胞的体积为噂x2yXl。-21cm3,则该晶体密度为y=------------------g-cm~3□
2-21
2Wyl^xxxyxl0
【解答】解:A.V是23号元素,基态V原子核外电子排布式为Is22s22P63s23P63d34s2,含有电子的轨
道数为13,原子核外电子的空间运动状态有13种,故A正确;
B.该晶胞中Cs原子位于顶点,由于晶胞参数为xnm、xnm、ynm,且x<y,晶体中与Cs原子距离最
中
近的Cs原子有6个,位置为,故B正确;
C.该晶胞中Cs原子的个数为8x^=1,V原子的个数为4x鼻1=3,Sb原子的个数为4+4x』=5,
oZ4
该晶体的化学式为CsV3sb5,故C正确;
D.该晶胞中Cs原子的个数为1,V原子的个数为3,Sb原子的个数为5,该含铀超导材料的摩尔质量
为晶胞的体积为"x?yX10-21cm3,则该晶体密度为--后----------g-cm~3,故D错
221
2NA^-xxxyxlO-
误;
故选:D。
【点评】本题主要考查晶胞的计算,为高频考点,题目难度一般。
9.(2025•承德二模)氧化错(ZrO2)的立方晶胞如图甲所示,La"替代氧化错晶体中部分zd+的位置可
得到一种高性能的催化剂,但由于二者离子半径和化合价不同,会导致部分。2一脱离形成“氧空位”以
保证晶体的电中性,如图乙结构单元。ZrC)2的摩尔质量为晶胞参数为apm,NA为阿伏加
德罗常数的值,下列说法错误的是()
OZd+
乙:La取代Zr后的基本单元
A.La"所带电荷n=3
B.图乙表示的物质化学式为La2Zr2O7
4MQ
C.Zr02晶体的密度为=__T~—^g-cm3
330
NAxaxlO-
D.图甲中与Zd+最近且等距的Zd+有6个
【答案】D
【分析】A.图乙中Zd+的数目为4x!+3x^=2,0?-数目为7,La1^的数目为4x!+3x2=2,根据
化合物中各元素的代数和为0可得n;
B.图乙中Zd+的数目为4x!+3x^=2,O?-数目为7,La"的数目为4x!+3X2=2,则图乙表示的
物质化学式为La2Zr2O7;
C.ZrO2晶体中Zr4+的数目为8xt1+6x21=4,0?数目为8,晶胞的质量为4一Mg,晶胞的体积为a3xiO
°zNA°
-30cm3,代入公式
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